薄膜晶体管及显示面板的制作方法

本申请涉及显示，尤其涉及一种薄膜晶体管及显示面板。

背景技术：

1、随着显示技术的发展，人们对显示画质的需求日益增长，高画质、高分辨率和高开口率的显示面板的需求越来越普遍，也越来越得到显示面板厂家的重视，例如很多显示面板厂家都在致力于研发虚拟现实设备（virtual reality，vr）、增强现实设备（augmentedreality，ar）等小型便携式电子设备，因此对于显示面板中的薄膜晶体管（thin filmtransistor，tft）的尺寸要求也越来越高。目前，薄膜晶体管一般分为两种，一种是水平沟道结构的薄膜晶体管，另一种是垂直沟道的薄膜晶体管，在缩小薄膜晶体管尺寸方面，垂直沟道的薄膜晶体管相较于水平沟道的薄膜晶体管更具优势，但传统的垂直沟道薄膜晶体管也存在着一定的问题：传统的垂直沟道薄膜晶体管因为受工艺、材料以及结构等限制，存在电流驱动能力不足，导致薄膜晶体管功耗增加的问题。

技术实现思路

1、有鉴于此，本申请提供一种薄膜晶体管及显示面板，用以改善垂直沟道的薄膜晶体管电流驱动能力不足，功耗增加的问题。

2、而本申请为解决上述技术问题所采用的技术方案为：

3、第一方面，本申请的实施例提供了一种薄膜晶体管，包括：

4、基底；

5、源漏极层，设于所述基底上，包括分隔设置的源极和漏极；

6、有源层，设于所述源漏极层背离所述基底的一侧并与所述源漏极层连接；

7、栅极层，设于所述有源层背离所述源漏极层的一侧；

8、其中，所述有源层包括第一沟道部、第二沟道部以及第三沟道部，所述第一沟道部与所述第三沟道部相对设置，所述第一沟道部与所述源极连接，所述第三沟道部与所述漏极连接，所述第二沟道部位于所述第一沟道部和所述第三沟道部之间并将所述第一沟道部和所述第三沟道部连接，所述第一沟道部和所述第三沟道部均与所述源漏极层所在的平面具有倾斜夹角，所述第二沟道部与所述源漏极层所在的平面平行。

9、在本申请的部分实施例中，所述倾斜夹角的角度范围为65°至90°。

10、在本申请的部分实施例中，所述第二沟道部的沟道长度范围为不大于3um。

11、在本申请的部分实施例中，所述第一沟道部和所述第三沟道部相对所述第二沟道部的中轴线呈对称设置。

12、在本申请的部分实施例中，所述有源层还包括第一延伸部和第二延伸部，所述第一延伸部与所述第一沟道部背离所述第二沟道部的一侧连接并沿所述源漏极层所在平面延伸，所述第一延伸部与所述源极接触，所述第二延伸部与所述第三沟道部背离所述第二沟道部的一侧连接并沿所述源漏极层所在平面延伸，所述第二延伸部与所述漏极接触，所述第一延伸部和所述第二延伸部呈背向延伸。

13、在本申请的部分实施例中，所述薄膜晶体管还包括缓冲层和层间介质层，所述缓冲层设于所述基底上并覆盖所述源漏极层，所述缓冲层开设有第一延伸孔和第二延伸孔，所述第一延伸部和所述第二延伸部分别位于所述第一延伸孔和所述第二延伸孔内；所述层间介质层设于所述缓冲层背离所述基底的一侧并位于所述第一延伸部和所述第二延伸部之间，所述有源层设于所述层间介质层上并沿所述层间介质层的表面延伸。

14、在本申请的部分实施例中，所述层间介质层具有第一表面、第二表面以及第三表面，所述第一表面与所述第三表面相对设置，所述第二表面位于所述第一表面和所述第三表面之间并将所述第一表面和所述第三表面连接，所述第一表面和所述第三表面均与所述源漏极层所在的平面具有倾斜角，所述第二表面与所述源漏极层所在的平面平行；

15、所述第一沟道部覆盖于所述第一表面，所述第二沟道部覆盖于所述第二表面，所述第三沟道部覆盖于所述第三表面。

16、在本申请的部分实施例中，所述栅极层包括第一倾斜电极部、水平电极部以及第二倾斜电极部，所述第一倾斜电极部与所述第二倾斜电极部相对设置，所述水平电极部位于所述第一倾斜电极部和所述第二倾斜电极部之间并将所述第一倾斜电极部和所述第二倾斜电极部连接，所述第一倾斜电极部与所述第一沟道部对位设置，所述水平电极部与所述第二沟道部对位设置，所述第二倾斜电极部与所述第三沟道部对位设置。

17、在本申请的部分实施例中，所述薄膜晶体管还包括栅极绝缘层、钝化层以及像素电极，所述栅极绝缘层设于所述缓冲层背离所述基底的一侧且覆盖所述有源层，所述钝化层设于所述栅极绝缘层背离所述基底的一侧且覆盖所述栅极层，所述像素电极设于所述钝化层背离所述基底的一侧并依次延伸穿过所述钝化层、所述栅极绝缘层以及所述缓冲层与所述漏极连接。

18、第二方面，本申请的实施例提供了一种显示面板，包括如第一方面所述的薄膜晶体管。

19、综上，由于采用了上述技术方案，本申请至少包括如下有益效果：

20、本申请的实施例提供了一种薄膜晶体管及显示面板，其主要是利用有源层所具有的第一沟道部、第二沟道部以及第三沟道部分别形成水平方向上的沟道和竖直方向上的沟道，从而既能够相较于传统的水平沟道结构，达到尺寸减小的目的，又能够相较于传统的垂直沟道结构，实现单位面积能够流通的电流量增大，从而提高薄膜晶体管电流驱动能力的效果。详细地说，主要是将有源层设置为第一沟道部、第二沟道部以及第三沟道部依次连接，并且第一沟道部与第三沟道部相对设置的结构，使有源层呈一个凸起结构。其中，第一沟道部和第三沟道部均与源漏极层所在的平面形成倾斜夹角，从而在垂直方向上能够形成竖直沟道，有效减小薄膜晶体管尺寸；第二沟道部与源漏极层所在平面平行，从而在水平方向上能够形成水平沟道，通过竖直沟道与水平沟道的共同作用，能够有效实现单位面积的电流增大，从而提高薄膜晶体管的电流驱动能力。

技术特征：

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述倾斜夹角的角度范围为65°至90°。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二沟道部的沟道长度范围为不大于3um。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一沟道部和所述第三沟道部相对所述第二沟道部的中轴线呈对称设置。

5.如权利要求1至4任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层还包括第一延伸部和第二延伸部，所述第一延伸部与所述第一沟道部背离所述第二沟道部的一侧连接并沿所述源漏极层所在平面延伸，所述第一延伸部与所述源极接触，所述第二延伸部与所述第三沟道部背离所述第二沟道部的一侧连接并沿所述源漏极层所在平面延伸，所述第二延伸部与所述漏极接触，所述第一延伸部和所述第二延伸部呈背向延伸。

6.如权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括缓冲层和层间介质层，所述缓冲层设于所述基底上并覆盖所述源漏极层，所述缓冲层开设有第一延伸孔和第二延伸孔，所述第一延伸部和所述第二延伸部分别位于所述第一延伸孔和所述第二延伸孔内；所述层间介质层设于所述缓冲层背离所述基底的一侧并位于所述第一延伸部和所述第二延伸部之间。

7.如权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述层间介质层具有第一表面、第二表面以及第三表面，所述第一表面与所述第三表面相对设置，所述第二表面位于所述第一表面和所述第三表面之间并将所述第一表面和所述第三表面连接，所述第一表面和述第三表面均与所述源漏极层所在的平面具有倾斜角，所述第二表面与所述源漏极层所在的平面平行；

8.如权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极层包括第一倾斜电极部、水平电极部以及第二倾斜电极部，所述第一倾斜电极部与所述第二倾斜电极部相对设置，所述水平电极部位于所述第一倾斜电极部和所述第二倾斜电极部之间并将所述第一倾斜电极部和所述第二倾斜电极部连接，所述第一倾斜电极部与所述第一沟道部对位设置，所述水平电极部与所述第二沟道部对位设置，所述第二倾斜电极部与所述第三沟道部对位设置。

9.如权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括栅极绝缘层、钝化层以及像素电极，所述栅极绝缘层设于所述缓冲层背离所述基底的一侧且覆盖所述有源层，所述钝化层设于所述栅极绝缘层背离所述基底的一侧且覆盖所述栅极层，所述像素电极设于所述钝化层背离所述基底的一侧并依次延伸穿过所述钝化层、所述栅极绝缘层以及所述缓冲层与所述漏极连接。

10.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1至9中任一项所述的薄膜晶体管。

技术总结
本申请提供了一种薄膜晶体管及显示面板，涉及显示技术领域，用以改善垂直沟道的薄膜晶体管电流驱动能力不足，功耗增加的问题。该薄膜晶体管包括：基底；源漏极层，设于基底上；有源层，设于源漏极层背离基底的一侧并与源漏极层连接；栅极层，设于所述有源层背离所述源漏极层的一侧；其中，有源层包括形成有沟道的第一沟道部、第二沟道部以及第三沟道部，第一沟道部与第三沟道部相对设置且与源漏极层连接，第二沟道部位于第一沟道部和第三沟道部之间并将第一沟道部和第三沟道部连接，第一沟道部和第三沟道部均与源漏极层所在的平面具有倾斜夹角，第二沟道部与源漏极层所在的平面平行。本申请能够有效提高薄膜晶体管的电流驱动能力。

技术研发人员：罗传宝
受保护的技术使用者：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
技术研发日：20240313
技术公布日：2024/4/17