专利名称：高灵敏锑化铟磁敏电位器的制作方法
技术领域：
本实用新型高灵敏锑化铟磁敏电位器是一种电子元件，主要用于电路控制，如医疗仪器、地质仪器、建筑机械、汽车的无级调速，自动控制等。
高灵敏锑化铟磁敏电位器主要靠进口，其制造技术是“巴黎统筹委员会”对我国封锁的技术，外商拒绝技术输出和合资生产，经国内调研和文献检索目前还是空白，虽然天津大学与天津无线电十一厂、天津8358所在研制，但由于结构不够合理，工艺不够成熟无法进入实用。为满足国内要求，解决长期依赖进口，故研究制造高灵敏锑化铟磁敏电位器。
本实用新型的目的在于提供一种新型高灵敏锑化铟磁敏电位器。
本实用新型高灵敏锑化铟磁敏电位器由轴1、卡环2、轴承3、轴座4、磁体5、支架6、壳体7、电路板8、基片9、敏感元10盖片11、极靴12、内引线13、补偿电路14、外引线15组成。轴1用黄铜按一定尺寸做成，用作调整把，其下端轴盘上安装磁体，卡环2用黄铜按一定尺寸做成，其作用主要将轴卡在壳体上供其活动而不脱出。轴承3可选用不锈钢外购标准件，主要使轴调整自如，轴座4主要固定轴与轴承作用。磁体5选用钐钴按一定尺寸做成，主要产生一固定磁场。支架6选用电木按一定尺寸做成，主要起固定壳体内的元件。壳体7可选用铁板按一定尺寸做成，主要起包裹所有元件，使其不外露。电路板8选用铜泊胶木板按要求腐蚀而成，与其它电子元件起电路作用。基片9选用陶瓷按要求做成，主要承放敏感元件。敏感元10选用锑化铟材料按设计的要求将锑化铟晶锭切割成小片，将厚度磨抛，在10至15um左右，厚的不平行度小于1／3000。并在小片内制作几千根20um宽相互间隔30um的短路条。主要是起磁敏控制作用。盖片11选用玻璃做成，主要起保护磁敏元件作用。极靴12选用纯铁按一定尺寸做成，主要起磁路作用。内引线13选用银质线，可外购，主要起连结敏感元与电路板形成一个内部电路。补偿电路14，由电路板8和MR1、MR2、R3、R4、R5、R6金属膜电阻。K7热敏电阻，R8组成，其作用主要是调整灵敏度的一致性，使元件互换性好，减小温度系数，增大输出阻抗。外引线16起与外部连接作用。
本实用新型锑化铟磁敏电位器其结构主要是在轴下端底盘部装有磁体5，磁体下部对应处装有敏感元10，敏感元下部对应处装有基片9，基片下部对应处装有对好中心的极靴12。其工作原理是利用磁阻效应，在磁场的作用下MR1、MR2电阻阻值发生变化，使通过MR1、MR2输出的电流也发生变化，也就是说只要磁场变化，MR1、MR2的阻值就会发生变化，输出的电流也随之变化，即输出的电流与磁场变化有一个对应关系，达到控制目的。但是磁阻效应并非如此简单地出现，因在磁场BZ中(如附图3)MR1、MR2(半导体锑化铟磁敏元)通过电流Ix时则由于载流子运动在Y轴上出现电动势Vy(霍尔较应)，该电动势产生霍尔电场Ey，该电场旋向电子的合力倾向于在Ix方向，迫使电子向反方向运动，从而使载流子的平均自由程不会增加，也就是说磁场存在以否对半导体的电阻没有多大影响，也就不会出现磁阻效应。为此在MR1、MR2锑化铟半导体内Y方向处制作几千根短路条，短路条每条约20um宽条与条之间间隔30um，使霍尔电场Ey消失，这样半导体中的电子向对边运动后通过短路条与空穴复合，使电子运动的平均自由程增加，出现了磁阻效应，这是我们所希望得到的。选择锑化铟半导体材料主要是因为它的电子流迁移力大，灵敏度高，但是它的温度系数高，不容易达到要求，为此设计了由MR1、MR2、R3、R4、R5R6、R7、R8组成的复联补偿电路14，如说明书附图2所示，该补偿电路是采取在电路的2、5端加一个由金属膜电阻R7和热敏电阻R8并联电路，其优点是充分利用锑化铟半导体的优异性能，克服其温度系数高的不足，这样可以使温度系数减小到0.05％rin／℃，输出电阻增大到5KΩ以上，使元件的互换性能好。
本实用新型高灵敏锑化铟磁敏电位器是选用电子流迁移力大，灵敏高的锑化铟半导体材料，配合补偿电路精心设计制作而成，由于设计计新颖，制造技术先进，该电位器通过侧试和实际应用、效果很好，满足了国内外要求，填补了国内空白，利用我们的制造技术还可以做成用于各种仪器、机械设备的系列产品，如滑动电位器，小倾角传感器，压力传感器等有很好的经济价值和社会效益。
说明书附图
图1是结构示意图(摘要附图)轴1、卡环2、轴承3、轴座4磁体5、支架6、壳体7、电路板8、基片9、敏感元10、盖片11极靴12、内引线13、补偿电路14、外引线15。
图2是补偿电路。
图3是敏感元工作原理图。
权利要求1.一种由轴1、卡环2、轴承3、轴座4、磁体5、支架6、壳体7、电路板8、基片9、敏感元10、盖片11、极靴12、内引线13、补偿电路14、外引线15组成的高灵敏锑化铟磁敏电位器，其特征在于轴1下端底盘部装有磁体5，磁体下部对应处装有敏感元10，敏感元下部对应处装有基片9，基片下部对应处装有对好中心的极靴12和补偿电路14。
2.根据权利要求1所述的高灵敏锑化铟磁敏电位器，其特征在于敏感元10采用锑化铟晶锭切割成小片，并将其厚度抛磨在10至15um左右，其厚度不平行度小于1／3000，在小片内制作几千根宽20um，相互间隔30um左右的短路条。
3.根据权利要求1所述的高灵敏锑化铟磁敏电位器，其特征在于补偿电路14采用复联形式，在电路的2、5端加一由金属膜电阻R7和热敏电阻R8并联电路。
专利摘要本实用新型高灵敏锑化铟磁敏电位器，选用电子流迁移力大，灵敏度高的锑化铟半导体材料配合补偿电路，精心设计制作而成。其特征在于轴1下端底盘部装有磁体5，磁体下部对应处装有敏感元10，敏感元下部对应处装有基片9，基片下部对应处装有对好中心的极靴12和补偿电路14。
文档编号H01L43/08GK2074056SQ9020973
公开日1991年3月27日 申请日期1990年7月9日 优先权日1990年7月9日
发明者浦秀珍, 吴显峰 申请人:北京市通县福利电子器材厂