专利名称：分配器、合成器和s/n增强器的制作方法
技术领域：
本发明涉及分配器、合成器和S/N增强器。具体而言，本发明涉及用来提高例如输入信号中主信号信噪比(S/N)的S/N增强器，并且进一步涉及在S/N增强器中使用的分配器和合成器。
在日本未审查专利公报No.4-123502中揭示了一种普通S/N增强器的实例。图9为这样一个普通S/N增强器实例的示意图。图9所示S/N增强器1包含一个与定向耦合器输入端相连的输入端子2。该定向耦合器3被用来将输入至输入端2的信号分离为与输入信号电平相同的高电平信号和衰减了例如大约30dB的低电平信号。以下将更为详细地描述输入信号、高电平输出信号和低电平输出信号的各个分量定向耦合器3的两个输出端分别与两个利用表面静磁波模式的静磁波滤波器4a和4b的输入端相连。静磁波滤波器4a和4b包含在GGG(钇镓石榴石)衬底的其中一个主表面上形成的作为铁磁性薄膜的YIG(钇铁石榴石)薄膜，在YIG衬底上间隔一定距离平行放置呈单条直线状的输入侧换能器和输出侧换能器，并且直流磁场沿着平行于这些换能器伸向YIG薄膜的方向施加。
静磁波滤波器4a和4b具有相同的频率选择非线性幅度限制特性。借助以下的实例来解释这种频率选择非线性幅度限制特性。
现在假定同时有频率为f1和f2的信号输入滤波器。
1)如果两个信号都没有超过饱和电平，则这两个信号都幅度不受限制地输出。
2)如果频率为f1的信号没有超过饱和电平而频率为f2的信号超过了饱和电平，则频率为f1的信号幅度不受限制地输出，另一方面，频率为f2的信号幅度受限制地输出。
3)如果频率为f1的信号超过了饱和电平而频率为f2的信号没有超过饱和电平，则频率为f1的信号幅度不受限制地输出，另一方面，频率为f2的信号幅度受限制地输出。
4)如果两个信号都超过饱和电平，则这两个信号都幅度受限制地输出。
静磁波滤波器4a用作对定向耦合器3输出的高电平信号中高电平主信号幅度进行限制的限幅器。其它的静磁波滤波器4b用来使定向耦合器3输出的低电平信号通过。
静磁波滤波器4b的输出端与180度相移器5的输入端相连。该180度相移器5被用来将静磁波滤波器4b输出信号的相位反相。而且静磁波滤波器4a的输出端和180度相移器5的输出端还分别与定向耦合器6的两个输入端相连。定向耦合器6被用来使静磁波滤波器4a输出信号的电平衰减并将衰减的电平信号与180度相移器5输出的信号合成在一起。定向耦合器6的输出端进一步与输出端7相连。
因此，在S/N增强器1中，在输入端2与输出端7之间的单元中，定向耦合器3、静磁波滤波器4a和定向耦合器6构成了第一信号路径，而定向耦合器3、静磁波滤波器4b、180度相移器5和定向耦合器6构成了第二信号路径。
在这种S/N增强器1中，当信号输入输入端2时，包含高电平主信号和频率与主信号不同并且电平较低的噪声的输入信号由定向耦合器3分离为电平几乎与输入信号相同的高频信号和衰减了例如30dB的低频信号。在这种情况下，高电平信号包含了频率互不相同的高电平主信号和低电平噪声信号，而低电平信号包含了频率互不相同的低电平主信号和更低电平的噪声信号。
在其中的静磁波滤波器4a中，高电平信号中的主信号由于电平较高而受到了限幅；但是高电平信号中的噪声信号由于频率与主信号不同并且电平较低，所以不会受到限幅。与此相反，在另一个的静磁波滤波器4b中，由于低电平信号中的主信号和噪声信号的电平都较低，所以不会受到限幅。由于静磁波滤波器4a和4b的插入损耗，高电平信号和低电平信号的电平都有些许衰减。
静磁波滤波器4b输出信号的相位由180度相移器5反相。静磁波滤波器4a的输出信号随后由定向耦合器6衰减，并且电平衰减的信号和180度相移器5输出的信号并合成在一起。在这种情况下，静磁波滤波器4b输出信号的相位被反相从而使得由定向耦合器6合成的两个信号中的噪声是相反的。因此通过包括静磁波滤波器4a在内的第一信号路径的噪声和通过包括静磁波滤波器4b在内的第二信号路径的噪声由定向耦合器6互相抵消。并且通过第一信号路径的主信号受到静磁波滤波器4a的限幅而通过第二信号路径的主信号没有受到静磁波滤波器4b的限幅。因此在定向耦合器6的输出端或者输出端7获得了与受到限幅的数量对应的主信号。因此在S/N增强器中，提高了输入信号的S/N。
图10为表示另一个普通S/N增强器实例的示意图。在图10所示S/N增强器中，与图9所示S/N增强器相比，不再使用定向耦合器3和6，输入端2直接与静磁波滤波器4a的输入端相连并且经两个电阻构成的衰减器8连接至静磁波滤波器4b的输入端，而静磁波滤波器4a的输出端经两个电阻构成的衰减器9连接至输出端7，并且180度相移器5的输出端直接与输出端7相连。
而且在图10所示的S/N增强器中，静磁波滤波器4a和4b的操作方式与图9的相同，并且提高了输入信号的S/N。
但是，在图9所示的S/N增强器中，由于定向耦合器3和6被用来分配或者合成信号，所以增强器的尺寸难以缩小。
另一方面，在图10所示S/N增强器中，由于没有采用定向耦合器而采用了由电阻构成的衰减器8和9，所以比较容易缩小增强器的尺寸。但是由于衰减器8和9分别通过形成输入端2和输出端7的分支与它们直接相连，所以难以实现输入端2与外部电路之间和输出端7与外部电路之间的阻抗匹配，并且在静磁波滤波器4a和4b中反射至输出侧换能器的不需要的静磁波引起的信号通过衰减器8，从而有可能引起输出信号的脉动。
因此，本发明的基本目标是提供一种分配器，它便于构成小尺寸的S/N增强器并且可以更容易地实现阻抗匹配。
本发明的另一个目标是提供一种合成器，它便于构成小尺寸的S/N增强器并且可以更容易地实现阻抗匹配。
本发明还有一个目标是提供一种小尺寸的S/N增强器，它可以在尺寸上做得较小并且更为容易地实现阻抗匹配。
为了实现上述目标，按照本发明的一个方面，提供了一种分配器，它包含在其上施加磁场的铁磁性衬底；位于铁磁性衬底上面的输入侧换能器；在铁磁性衬底上平行于输入侧换能器放置的输出侧换能器；与输入侧换能器相连的输入端；与输入侧换能器另一端相连的第一输出端；以及与输入侧换能器一端相连的第二输出端，其中输出侧换能器的其它端接地。
在按照本发明第一方面的分配器中，基于后面将要论述的原因，比较好的是在输入侧换能器与第一输出侧换能器之间连接衰减器或者不可逆电路元件。
按照本发明的另一个方面，提供了一种合成器，它包括在其上施加磁场的铁磁性衬底；位于铁磁性衬底上面的输入侧换能器；在铁磁性衬底上平行于输入侧换能器放置的输出侧换能器；与输入侧换能器一端相连的第一输入端；与输出侧换能器一端相连的第二输入端；以及与输出侧换能器另一端相连的输出端，其中输入侧换能器的其它端接地。
在按照本发明第二方面的合成器中，基于后面将要论述的原因，比较好的是在第二输入端与输出侧换能器之间连接衰减器或者不可逆电路元件。
按照本发明的S/N增强器包含上述按照本发明的分配器或合成器。
按照本发明的第三方面，提供了一种S/N增强器，它包含在其上施加磁场的第一铁磁性衬底；位于第一铁磁性衬底上面的第一输入侧换能器；在第一铁磁性衬底上平行于第一输入侧换能器放置的第一输出侧换能器；在其上施加磁场的第二铁磁性衬底；位于第二铁磁性衬底上面的第二输入侧换能器；在第二铁磁性衬底上平行于第二输入侧换能器放置的第二输出侧换能器；与第一输入侧换能器一端相连的输入端；连接在第一输入侧换能器的其它端与第二输入侧换能器一端之间用来使通过第一输入侧换能器的信号衰减的第一衰减器；连接在第一输出侧换能器的一端与第二输出侧换能器一端之间用来使从第一输出侧换能器获得的信号衰减的第二衰减器；以及与第二输出侧换能器其它端相连的输出端，其中第一输出侧换能器的其它端接地，第二输出侧换能器的其它端接地，并且通过第一衰减器的噪声的相位和通过第二衰减器的噪声的相位被调整为在输出端相互抵消。
在按照本发明的S/N增强器中，利用提供在第一或第二衰减器前面或后面的180度相移器可以调整噪声的相位差。
在按照本发明的S/N增强器中，通过分别将连接至第一输入侧换能器中第一衰减器的端部和连接至第一输入侧换能器中第二衰减器的端部放置在第一铁磁性衬底的两侧，并且通过将连接至第二输入侧换能器中第一衰减器的端部和连接至第二输出侧换能器中第二衰减器的端部放置在第二铁磁性衬底的一侧，可以对噪声的相位差进行调整。
在按照本发明的S/N增强器中，通过将连接在第一衰减器上的第一输入侧换能器的端部和连接在第二衰减器的第一输出侧换能器端部放置在相对侧和第一铁磁性衬底的各个端部并将连接在第一衰减器上的第二输入侧换能器的端部和连接在第二衰减器的第二输出侧换能器端部放置在第二铁磁性衬底同侧来调整噪声信号的相位差。
在按照本发明的S/N增强器中，通过将连接在第一衰减器上的第一输入侧换能器的端部和连接在第二衰减器的第一输出侧换能器端部放置在第一铁磁性衬底上并将连接在第一衰减器上的第二输入侧换能器的端部和连接在第二衰减器的第二输出侧换能器端部放置在第二铁磁性衬底相对侧来调整噪声信号的相位差。
因此，按照本发明，可以获得一种S/N增强器，它在尺寸上较容易做得较小并且较容易实现阻抗匹配。
在按照本发明的S/N增强器中，如果通过对换能器端部的布局而不是利用180度相移器来调整噪声的相位差，则可以使S/N增强器的尺寸做得更小。
通过以下结合附图对本发明的详细描述可以更为清楚地理解本发明的上述和进一步目标、方面和新特征。
图1为表示按照本发明的一个分配器实例的示意图；图2为表示按照本发明另一个分配器实例的示意图；图3为表示按照本发明还有一个分配器实例的示意图；图4为表示按照本发明的一个合成器实例的示意图；图5为表示按照本发明另一个合成器实例的示意图；图6为表示按照本发明还有一个合成器实例的示意图；图7为表示按照本发明的一个S/N增强器实例的示意图；图8为表示按照本发明另一个S/N增强器实例的示意图；图9为表示一个普通S/N增强器实例的示意图；以及图10为表示另一个普通S/N增强器实例的示意图。
图1为表示按照本发明的一个分配器实例的示意图。分配器10包括静磁波元件12。静磁波元件12包括例如呈条状的GGG(钇镓石榴石)衬底。在GGG衬底14其中一个主表面主表面上形成YIG(钇铁石榴石)衬底16作为铁磁性衬底。吸收YIG薄膜16内所产生的不需要静磁波的静磁波吸收材料18分别沿YIG薄膜16长度方向形成于其两个表面端部。
形状例如呈单条直线状的输入侧换能器20和输入侧换能器22在静磁波元件12的YIG薄膜16上间隔一定距离平行放置。在这种情况下，输入侧换能器20和输出侧换能器22的放置方式使得它们沿YIG薄膜16的宽度方向从薄膜16一端横跨另一端。
输入端24连接至输入侧换能器20的一端。第一输出端26a连接至输入侧换能器20的其它端。第二输出端26b连接至输出侧换能器22的一端。输出侧换能器22的其它端接地。
而且直流磁场沿着平行于输入侧换能器20和输出侧换能器22延伸的方向施加在YIG薄膜16上。
在该分配器10中，当包含主信号的信号被输入输入端24时，输入信号通过输入侧换能器20并且从第一输出端26a输出。而且，输入信号中的主信号被转换为表面静磁波。该表面静磁波从输入侧换能器20传播至输出侧换能器22。表面静磁波随后由输入侧换能器22转换为表面静磁波，并且从第二输出端26b输出主信号。因此，在S/N增强器中，该分配器可以作为将包含主信号的输入信号分离为两个信号、将其中一个分离信号的主信号转换为静磁波并将静磁波转换为主信号的装置而在S/N增强器中使用。在这种情况下，在分配器10中，由于不采用定向耦合器，所以较容易地将S/N增强器在尺寸上做得较小。
而且，在该分配器10中，由于输入端和输出端没有做成分支，输入端24连接至输入侧换能器20的一端，第一输出端26a连接至输入侧换能器20的其它端，并且第二输出端26b连接至输出侧换能器22的一端，所以阻抗匹配容易达到。
图2为表示按照本发明的另一个分配器实例的示意图。与图1所示分配器相比，在图2所示分配器中，衰减器28连接在输入侧换能器20与第一输出端26a之间。该衰减器28由三个以例如π形连接的电阻30、32和34构成。
在图2所示分配器中，由于衰减器28以外的元件的操作方式与图1所示分配器的相同，所以S/N增强器在尺寸上可以做得更小并且可以更容易地实现阻抗匹配。
而且在图2所示的分配器10中，由于除衰减器28连接在输入侧换能器20与第一输出端26a之间，所以改善了输入侧换能器20与第一输出端26a之间的隔离。
图3为表示按照本发明还有一个分配器实例的示意图。与图1所示分配器相比，在图3所示分配器中，在输入侧换能器20与第一输出端26a之间连接有作为不可逆电路元件的隔离器36。在这种情况下，该隔离器36的连接方式使得信号从输入侧换能器20输送至第一输出端26a。
在图3所示分配器10中，由于除隔离器36以外的元件的操作方式与图1所示分配器的相同，所以S/N增强器在尺寸上可以做得更小并且可以更容易地实现阻抗匹配。
而且在图3所示的分配器中，由于隔离器36连接在输入侧换能器20与第一输出端26a之间，所以改善了输入侧换能器20与第一输出端26a之间的隔离性和方向性。
图4为表示按照本发明的一个合成器实例的示意图。合成器11与图1-3所示分配器10一样，包括静磁波元件12、输入侧换能器20和输出侧换能器22。静磁波元件12包括例如呈条状的GGG衬底14。在GGG衬底14其中一个主表面主表面上形成YIG(钇铁石榴石)衬底16作为铁磁性衬底。吸收YIG薄膜16内所产生的不需要静磁波的静磁波吸收材料18分别沿YIG薄膜16长度方向形成于其表面两个端部。
而且在合成器11中，第一输入端24a连接至输入侧换能器20的一端，而输入侧换能器20的其它端接地。第二输入端24b连接在输出侧换能器22的一端，并且输出端26连接在输出侧换能器22的其它端。
在该合成器11中，当包含主信号的信号输入至第一输入端24a时，输入信号中的主信号被转换为表面静磁波。该表面静磁波从输入侧换能器20传播至输出侧换能器22。表面静磁波随后由输出侧换能器22转换为主信号，并从输出端26输出主信号。并且当信号输入至第二输入端24b时，输入信号通过输出侧换能器22后从输出端26输出。因此，该合成器11可以作为将输入信号中的主信号转换为静磁波、将静磁波转换为主信号并将主信号与另一个输入信号合成起来的装置而在S/N增强器中使用。在这种情况下，由于不采用定向耦合器，所以较容易地将S/N增强器在尺寸上做得较小。
而且，在合成器11中，输入端和输出端没有做成分支，所以第一输入端24a连接至输出侧换能器20的一端，第二输入端24b连接至输出侧换能器22的一端，并且输出端26连接至输出侧换能器22的其它端，因此可以很容易地实现阻抗匹配。
图5为表示按照本发明的另一个合成器实例的示意图。与图4所示合成器相比，在图5所示合成器中，衰减器28连接在第二输入端24b与输出侧换能器22之间。该衰减器28由三个以例如π形连接的电阻30、32和34构成。
在图5所示合成器中，由于衰减器28以外的元件的操作方式与图4所示合成器的相同，所以S/N增强器在尺寸上可以做得更小并且可以容易地实现阻抗匹配。
而且在图5所示的合成器中，由于衰减器28连接在第二输入端24b与输出侧换能器22之间，所以改善了第二输出端24b与输出侧换能器22之间的隔离。
图6为表示按照本发明还有一个合成器实例的示意图。与图4所示合成器相比，在图6所示合成器中，在第二输入端24b与输出侧换能器22之间连接有作为不可逆电路元件的隔离器36。在这种情况下，该隔离器36的连接方式使得信号从第二输出端24b输送至输出侧换能器22。
在图6所示合成器中，由于除隔离器36以外的元件的操作方式与图4所示合成器的相同，所以S/N增强器在尺寸上可以做得更小并且可以更容易地实现阻抗匹配。
而且在图6所示的合成器11中，由于隔离器36连接在第二输入端24b与输出侧换能器22之间，所以改善了第二输入端24b与输出侧换能器22之间的隔离性和方向性。
图7为表示按照本发明的一个S/N增强器实例的示意图。S/N增强器100包括第一静磁波元件12a和第二静磁波元件12b。
第一静磁波元件12a包括例如呈条状的GGG衬底14a。在GGG衬底14a其中一个主表面上形成YIG薄膜16a作为第一铁磁性衬底。吸收YIG薄膜16a内所产生的不需要静磁波的静磁波吸收材料18a分别沿YIG薄膜16a长度方向形成于其表面两个端部。
同样，第二静磁波元件12b包括例如呈条状的GGG衬底14b。在GGG衬底14b其中一个主表面上形成YIG薄膜16b作为第二铁磁性衬底。吸收YIG薄膜16b内所产生的不需要静磁波的静磁波吸收材料18b分别沿YIG薄膜16b长度方向形成于其表面两个端部。
形状例如呈单条直线状的第一输入侧换能器20a和第一输出侧换能器22a在第一静磁波元件12a的YIG薄膜16a上间隔一定距离平行放置。在这种情况下，第一输入侧换能器20a和第一输出侧换能器22a的放置方式使得它们沿YIG薄膜16a的宽度方向从薄膜16a一端横跨另一端。
同样，形状例如呈单条直线状的第二输入侧换能器20b和第二输出侧换能器22b在第二静磁波元件12b的YIG薄膜16b上间隔一定距离平行放置。在这种情况下，第二输入侧换能器20b和第二输出侧换能器22b的放置方式使得它们沿YIG薄膜16b的宽度方向从薄膜16b一端横跨另一端。
输入端24连接至第一输入侧换能器20a的一端。第一衰减器28a连接在第一输入侧换能器20a的其它端与第二输入侧换能器20b一端之间。第一衰减器28a由三个以例如π形连接的电阻30a、32a和34a构成。
180度相移器38和第二衰减器28b串联连接在第一输出侧换能器22a的一端与第二输出侧换能器22b的一端之间。例如采用反相电路作为180度相移器38。第二衰减器28b由三个以例如π形连接的电阻30b、32b和34b构成。
输出端26连接至第二输出侧换能器22b的其它端。第一输出侧换能器22a的其它端和第二输出侧换能器22b的其它端分别接地。
直流磁场沿着平行于第一输入侧换能器20a和第一输出侧换能器22a延伸的方向施加在YIG薄膜16a上。直流磁场沿着平行于第二输入侧换能器20b和第二输出侧换能器22b延伸的方向施加在YIG薄膜16b上。
在该S/N增强器100中，当包含主信号的信号被输入输入端24时，输入信号通过第一输入侧换能器20a并且由第一衰减器28a衰减。输入信号中经过衰减的主信号被转换为表面静磁波。该表面静磁波从第二输入侧换能器20b传播至第二输出侧换能器22b。不需要的表面静磁波随后由第二输出侧换能器22b转换为主信号，在这种情况下，在输入信号电平经第一衰减器28a衰减之后，输入信号中的主信号被转换为表面静磁波并且表面静磁波被转换为主信号，主信号几乎没有受到限幅。主信号从输出端26b输出。
而且，在该S/N增强器100中，输入信号中的主信号被转换为表面静磁波。该表面静磁波从第一输入侧换能器20a传播至第一输出侧换能器22a。表面静磁波随后由第一输出侧换能器22a转换为主信号。在这种情况下，由于输入信号中的主信号在输入信号电平没有受到衰减的情况下被转换为表面静磁波并且表面静磁波被转换为主信号，所以主信号受到了限幅。随后，受到限幅的主信号的相位经180度相移器38反相，并且其电平由第二衰减器28b衰减。接着，在通过第二输出侧换能器22b之后，相位经过反相并且电平衰减的主信号从输出端26输出。
因此，在S/N增强器100中，在输出端26获得了与受到限幅的数量对应的主信号。
而且，在S/N增强器100中，通过第一衰减器28a的噪声和通过第一衰减器28b的噪声互相抵消，从而抑制了噪声。因此，在S/N增强器100中提高了输入信号的S/N。而且，在S/N增强器100中，由于没有采用定向耦合器，所以S/N增强器100比较容易在尺寸上做得较小。
而且，在S/N增强器100中，由于输入端和输出端没有做成分支，输入端24连接至第一输入侧换能器20a的一端，并且输出端26连接至第二输出侧换能器22b的其它端，因此可以更为容易地实现阻抗匹配。
图8表示按照本发明S/N增强器实例的示意图。与图7所示S/N增强器相比，在图8所示S/N增强器中，180度相移器38没有连接在第一输出侧换能器22a与第二衰减器28b之间，第一输出侧换能器22a与第二衰减器28b直接互相连接在一起，并且在第二输入侧换能器20b中，输入侧与接地侧是倒过来连接的。
与图7所示S/N增强器相比，在图8所示S/N增强器中，代替对第一输出侧换能器22a输出的主信号不进行反相，该信号被反向输入至第二输入侧换能器20b。除此之外，图8所示S/N增强器的操作基本上与图7所示S/N增强器相同。因此，在图8所示S/N增强器中，输入信号的S/N得到了提高，S/N增强器在尺寸上可以做得更小，并且可以按照与图7所示S/N增强器相同的方式较容易地实现阻抗匹配。
而且，在图8所示S/N增强器100中，通过对第二输入侧换能器两个端部的反向布局而不是利用180度相移器对噪声的相位差进行了调整；因此可以使S/N增强器的尺寸做得更小。
虽然在图2、5、7和8所示的每个实施例中衰减器由三个以π形连接的电阻构成，但是在本发明中也可以采用其它类型的衰减器。
虽然在图3和6所示实施例中采用的是隔离器，但是在本发明中也可以采用环行器来代替隔离器。
虽然在图7所示实施例中，在第二衰减器28b的前端提供了180度相移器，但是在本发明中也可以在第一衰减器28a的前后端或者第二衰减器28b的后端提供180度相移器。
此外，虽然上述各实施例中采用了单条直线状的换能器，但是在本发明中也可以采用多条直线状或者其它形状的换能器。
在不偏离本发明的精神和范围的前提下可以构造许多不同的实施例。应该认识到的是本发明并不局限于说明书中所描述的特定实施例。相反，本发明覆盖了包含在权利要求精神和范围内的各种改动和等价装置。下面的权利要求是对本发明最宽泛的解释。
权利要求
1.一种分配器，其特征在于包含适于在其上施加直流磁场的铁磁性衬底；具有两个端部并位于所述铁磁性衬底上面的输入侧换能器；具有两个端部并平行于所述输入侧换能器放置在所述铁磁性衬底上的输出侧换能器；与所述输入侧换能器一端相连的输入端；与所述输入侧换能器另一端相连的第一输出端；以及与所述输入侧换能器一端相连的第二输出端，其中所述输出侧换能器的其它端接地。
2.如权利要求1所述的分配器，其特征在于进一步包含连接在所述输入侧换能器与所述第一输出端之间的衰减器。
3.如权利要求1所述的分配器，其特征在于进一步包含连接在所述输入侧换能器与所述第一输出端之间的不可逆电路元件。
4.一种合成器，其特征在于包含适于在其上施加直流磁场的铁磁性衬底；具有两个端部并位于所述铁磁性衬底上面的输入侧换能器；具有两个端部并平行于所述输入侧换能器放置在所述铁磁性衬底上的输出侧换能器；与所述输入侧换能器一端相连的第一输入端；与所述输出侧换能器一端相连的第二输入端；以及与所述输出侧换能器其它端相连的输出端，其中所述输入侧换能器的其它端接地。
5.如权利要求4所述的合成器，其特征在于进一步包含连接在所述第二输入端与所述输出侧换能器之间的衰减器。
6.如权利要求4所述的合成器，其特征在于进一步包含连接在所述第二输入端与所述输出侧换能器之间的不可逆电路元件。
7.一种S/N增强器，其特征在于包含A)适于在其上施加直流磁场的第一铁磁性衬底；具有两个端部并位于所述第一铁磁性衬底上面的第一输入侧换能器；具有两个端部并平行于所述第一输入侧换能器放置在所述第一铁磁性衬底上的第一输出侧换能器；B)适于在其上施加直流磁场的第二铁磁性衬底；具有两个端部并位于所述第二铁磁性衬底上面的第二输入侧换能器；具有两个端部并平行于所述第二输入侧换能器放置在所述第二铁磁性衬底上的第二输出侧换能器；C)与所述第一输入侧换能器相连的输入端；连接在所述第一输入侧换能器的其它端与所述第二输入侧换能器一端之间用来使通过所述第一输入侧换能器的信号衰减的第一衰减器；连接在所述第一输出侧换能器的一端与所述第二输出侧换能器一端之间用来使通过所述第一输出侧换能器的信号衰减的第二衰减器；以及与所述第二输出侧换能器其它端相连的输出端，其中所述第一输出侧换能器的其它端接地，并且所述第二输入侧换能器的其它端接地，使得通过所述第一衰减器的噪声的相位和通过所述第二衰减器的噪声的相位具有各自的相位从而在所述输出终端之前相互抵消。
8.如权利要求7所述的S/N增强器，其特征在于利用提供在所述第一和第二铁磁性衬底之间使信号反相的180度相移器对噪声的相位差进行调整。
9.如权利要求7所述的S/N增强器，其特征在于通过分别将连接至所述第一输入侧换能器的所述第一衰减器的端部和连接至所述第一输出侧换能器的所述第二衰减器的端部放置在所述第一铁磁性衬底的两侧，并且通过将连接至所述第二输入侧换能器的所述第一衰减器的端部和连接至所述第二输出侧换能器的所述第二衰减器的端部放置在所述第二铁磁性衬底的一侧，可以对噪声的相位差进行调整。
10.如权利要求7所述的S/N增强器，其特征在于通过将连接至所述第一输入侧换能器的所述第一衰减器的端部和连接至所述第一输出侧换能器所述第二衰减器的端部放置在所述第一铁磁性衬底的一端，并且分别通过将连接至所述第二输入侧换能器到所述第一衰减器的端部和连接至所述第二输出侧换能器的所述第二衰减器的端部放置在所述第二铁磁性衬底的两侧，对所述噪声的相位差进行了调整。
全文摘要
本发明提供一种S/N增强器，它包含第一铁磁性衬底；位于所述第一铁磁性衬底上面的第一输入侧换能器；平行于所述第一输入侧换能器放置的第一输出侧换能器；第二铁磁性衬底；位于所述第二铁磁性衬底上面的第二输入侧换能器；平行于所述第二输入侧换能器放置的第二输出侧换能器；与所述第一输入侧换能器相连的输入端；使信号衰减的第一衰减器；使信号衰减的第二衰减器；以及与所述第二输出侧换能器其它端相连的输出端。
文档编号H01P1/23GK1168039SQ97103128
公开日1997年12月17日 申请日期1997年3月7日 优先权日1996年3月8日
发明者冈田刚和, 新村悟, 金谷文夫, 鸟羽彰, 野本俊裕 申请人:株式会社村田制作所, 日本放送协会