专利名称：可变电阻的制造方法
技术领域：
本发明涉及可变电阻的制造方法。
背景技术：
以往，在以ZnO为主成分的可变电阻元件表面形成电极后，在该可变电阻原件表面形成由玻璃构成的高电阻层，然后对电极表面进行电镀而获得可变电阻。
但是，由玻璃构成的高电阻层不能够选择性地仅仅形成于可变电阻元件的表面，而且难以形成均一的厚度。所以会存在下列问题进行电镀时形成电镀流而造成短路，或水分等浸入可变电阻元件内部而导致可变电阻的电特性劣化等。
发明的揭示本发明的目的是通过选择性地在可变电阻元件表面形成致密且具有均一厚度的高电阻层，以提供具备良好耐电镀性、耐湿性的可变电阻。
为了达到上述目的，本发明的可变电阻制造方法的特征是包括以下4个步骤(1)使以ZnO为主成分的原材料成形，获得可变电阻元件；(2)在可变电阻元件外表面按照规定间隔至少形成两个第1电极；(3)对前述可变电阻元件进行第1次热处理；(4)在前述可变电阻外表面涂上Si粉，进行第2次热处理。
利用该方法因能形成致密的且有均一厚度的高电阻层，故能获得具备良好耐湿性和耐电镀性的可变电阻。
对附图的简单说明
图1为本发明的一个实施例的可变电阻剖面图。图2为本发明的一个实施例的烧结步骤说明图。
实施发明的最佳状态图1中，1为可变电阻元件，其内部设置了多个以Ag为主成分的内部电极2。这些内部电极2交替从可变电阻元件1两端抽出，再使其两端分别与外部电极3通电连接。被层叠于内部电极2之间及其外侧的瓷片1a以ZnO为主成分，其他还包含Bi2O3、Co2O3、MnO2和Sb2O3等。4a、4b分别表示烧结SiO2或其混合物的同时形成的高电阻层。图2表示在可变电阻元件1表面形成高电阻层4a和4b时，对它与氧化铝坩埚6中的SiO2粉末或与以SiO2为主成分，还添加一种以上选自Fe2O3、Sb2O3、TiO2、Al2O3、Bi2O3、B2O3、PbO、Na2CO3、K2CO3、MgO、CaCO3、AgO的粉末状混合物(以下简称SiO2或其混合物5)一起进行热处理的状态。
以下，对本实施例的可变电阻的制造方法进行说明。
首先，以氧化锌为主成分，将其与增塑剂、粘合剂等混合、粉碎、打成淤浆、形成片状，制得瓷片1a。然后将瓷片1a与以银为主成分的内部电极2交替层叠，再将内部电极2交替从相对的端面导出，按照规定长短切断，制得可变电阻元件1。接着，在100～300℃下对该可变电阻元件1进行热处理，历时5分钟～10小时，使可变电阻元件1中的增塑剂除去后，再在可变电阻元件1表面开槽。然后，在可变电阻元件1的两个端面涂布形成外部电极3的Ag电极糊，于600～950℃下进行5分钟～10小时热处理，使可变电阻元件1烧结后，用图2所示的氧化铝制坩埚6，将可变电阻元件1埋入SiO2或其混合物5中，在空气中或氧氛围中于600～950℃下进行热处理，历时5分钟～10小时。通过热处理，使可变电阻元件1的主成分ZnO与SiO2反应，在可变电阻元件1表面形成主要由Zn2SiO4构成的高电阻层4a。而且，如在可变电阻元件1中添加作为副成分的Bi2O3时，则Bi2O3与ZnO、SiO2反应，可促进Zn2SiO4的生成，同时还在高电阻层4a和可变电阻元件1表面之间形成主要由Bi4(SiO4)3构成的高电阻层4b。由于它们都是在不显现可变电阻的电特性部位进行反应而生成的，所以不会对可变电阻的电特性产生不良影响，因而能够获得耐电镀性和耐湿性都极好的可变电阻。这里重要的是如图2所示，应使每个可变电阻元件1的外表面以与SiO2或其混合物5完全接触的状态埋设。所以，首先要在氧化铝制坩埚6中以规定厚度铺上一层SiO2或其混合物5，然后在其上使可变电阻元件1之间互不接触地以规定个数排列好，然后在此状态下覆以SiO2或其混合物5后，对其进行热处理。此外，根据SiO2混合物5的组成，有时会在外部电极3上因为固着效果而出现混合物5粘着的情况，在这种情况下，有必要通过研磨等手段予以除去以确保导通。如果该固着效果的影响过大，不可能用研磨等方法除去，或在研磨时会使可变电阻元件1表面的高电阻层4a、4b也受到研磨的情况下，则可在外部电极3上再涂布外部电极糊，通过烧结而形成外部电极以确保导通。然后在外部电极3表面电解镀Ni，并进行电解焊接电镀，获得可变电阻。所得可变电阻电镀层厚度是镀Ni层为2μm、焊接电镀层也是2μm。
可变电阻耐电镀性的测定结果如(表1)所示。
表1
引起电镀流例数/试样总数如(表1)所示，如果对没有高电阻层4a、4b的可变电阻元件1进行电镀，则除了外部电极3之外的可变电阻元件1表面也将被镀。而且，如果除SiO2之外还添加了作为副成分的含有Fe2O3、Sb2O3、Ti2O3、Al2O3、Bi2O3和B2O3的玻璃料等时，则电镀流还会进一步减少，这样就会形成更加均一的高电阻层4a、4b。
(表2)表示在SiO2或其混合物5中进行烧结后的电压比(V1mA/V10μA)。
表2
如(表2)所示，不单单使用SiO2粉末，而是使用以SiO2为主成分，还添加PbO、Na2CO3、K2CO3、MgO、CaCO3、Ag2O等时，电压比的数值较小，在低电流区域的非直线性有所上升。可以认为这是因为加入了上述添加物后，会使在较大程度上影响非直线性的粒界层趋于稳定化。
由于本实施例的可变电阻在使表面高电阻化的同时，还进行了致密化处理，所以，还具备电镀时防止电镀液浸入的效果。
本发明的关键所在如下所述。
(1)将可变电阻元件1埋入SiO2或其混合物5时，虽然如图2所示仅仅埋入也足以形成高电阻层4a、4b，但从反应性考虑，较好的是在图2所示的混合物5上施加重量，产生压力，这样就可获得更能提高SiO2或其混合物5对可变电阻元件1的粘着性的效果。
(2)为形成高电阻层4a、4b而进行的热处理，如果是在圆筒状盒中加入规定数目的可变电阻元件1和SiO2或其混合物5后使它们在转动中同时进行的，就能形成更为均一的高电阻层4a和4b。一边旋转一边进行热处理，与使用坩埚6的情况相比，前者不仅能够以少量的SiO2或其混合物5形成高电阻层4a和4b，而且，由于可变电阻元件1的温度变化较小，所以还能够获得以可变电阻电压为主的可变电阻特性变化较小的可变电阻。
(3)如果将可变电阻元件浸入含有至少一种以上Si、Pb、Fe、Sb、Ti、Al、B、Bi、Ag、碱金属、碱土金属的有机金属化合物的液体后，再埋入SiO2或其混合物5，进行热处理，就能够形成厚度更为均一的致密的高电阻层4a和4b。
(4)本实施例中是先对可变电阻元件1进行热处理使其烧结后，再放在SiO2或其混合物5中进行热处理而形成高电阻层4a和4b，这是因为从可变电阻电特性和磁特性的稳定性考虑，像这样分开进行烧结反应和高电阻层形成反应是能够获得良好结果的。但是，即使同时进行可变电阻元件1的烧结反应和高电阻层的形成反应，也能够形成高电阻层4a和4b。此时，可变电阻元件1可在构成外部电极3之前或之后形成，但形成的外部电极3在使用时要能够与外部导通。
(5)本实施例中，SiO2或其混合物5中的添加物是以氧化物形式添加的，只要能在反应温度范围(600～950℃)内形成氧化物即可，对该添加物并不限定为氧化物，可使用任何化合物。
(6)混合物5中主成分SiO2占80wt％以上，就能够容易地形成高电阻层4a和4b。
(7)以SiO2为主成分的混合物5中添加了Fe、Sb、Ti、Al、Bi、B、玻璃料化合物，这样就能有进一步高电阻化倾向，而添加了Ag、Pb、碱金属、碱土金属的化合物，则能够提高可变电阻的非直线性。
(8)本实施例仅对在以SiO2为主成分的混合物5中分别单独添加Fe、Sb、Ti、Al、Bi、B、玻璃料化合物、Ag、Pb、碱金属、碱土金属的氧化物时的情况作了说明，如果添加其中2种以上的化合物，也能够获得与上述同样的效果。
(9)本实施例所用的玻璃料中含有60wt％Bi2O3、20wt％B2O3、10wt％SiO2、10wt％Ag2O，由于含有B的玻璃料的软化点较低，所以，易于形成高电阻层4a和4b。
(10)要形成均一的高电阻层4a和4b，较好的是尽量使SiO2或其混合物5的粒径保持一致。
(11)本实施例对层叠型可变电阻进行了说明，事实上圆盘型等其他形状的可变电阻也能够获得同样的效果。
产业上利用的可能性上述本发明中，在未被可变电阻元件表面电极覆盖的部分形成了主成分为Zn2SiO4、Bi4(SiO4)3的Zn-Si-O系、Bi-Si-O系高电阻层。由于该高电阻层致密且具有均一的厚度，所以能够防止不需要的水分浸入可变电阻元件内部，因而不会使可变电阻的特性劣化。而且在电镀时除了可变电阻元件表面的电极部分之外，其他部分也被电镀，这样就能够防止短路等不良情况的发生。此外，当可变电阻为层叠型时，无效层的厚度比以往的薄，所以还能够实现小型化。
权利要求
1．可变电阻的制造方法，其特征在于，包括以下4个步骤(1)使以ZnO为主成分的原材料成形，获得可变电阻元件；(2)在可变电阻元件外表面按照规定间隔至少形成两个第1电极；(3)对前述可变电阻元件进行第1次热处理；(4)在前述可变电阻外表面涂上Si粉，进行第2次热处理。
2．如权利要求1所述的可变电阻的制造方法，其特征还在于，步骤4是一边使可变电阻元件与Si粉旋转一边进行热处理。
3．如权利要求1所述的可变电阻的制造方法，其特征还在于，用以Si作为主成分，以Pb、Fe、Sb、Ti、Al、B、Bi、Ag、碱金属、碱土金属的化合物、玻璃料中至少一种以上成分作为副成分(除去单独使用Pb、碱金属、碱土金属的情况)的混合物代替步骤4所用的Si粉。
4．如权利要求3所述的可变电阻的制造方法，其特征还在于，步骤4的热处理是与可变电阻元件和混合物的旋转同时进行的。
5．如权利要求1所述的可变电阻的制造方法，其特征还在于，步骤4后，在第1电极上形成第2电极。
6．如权利要求1所述的可变电阻的制造方法，其特征还在于，步骤3后，将可变电阻元件浸入含有至少一种以上Si、Pb、Fe、Sb、Ti、Al、B、Bb、Ag、碱金属、碱土金属的有机金属化合物的液体中。
7．可变电阻的制造方法，其特征在于，包括以下3个步骤(1)使以ZnO为主成分的原材料成形，获得可变电阻元件；(2)在可变电阻元件外表面按照规定间隔至少形成两个第1电极；(3)在前述可变电阻元件外表面涂上含有以Si作为主成分，以Pb、Fe、Sb、Ti、Al、碱金属、碱土金属的化合物、玻璃料中至少一种以上成分作为副成分(单独使用Si、Pb、碱金属、碱土金属的情况除外)的混合物，并进行热处理。
8．如权利要求7所述的可变电阻的制造方法，其特征还在于，步骤3后，在第1电极上形成第2电极。
9．如权利要求7所述的可变电阻的制造方法，其特征还在于，步骤2后，将可变电阻元件浸入含有至少一种以上Si、Pb、Fe、Sb、Ti、Al、B、Bi、Ag、碱金属、碱土金属的有机金属化合物的液体中。
10．如权利要求7所述的可变电阻的制造方法，其特征还在于，步骤3的热处理是与可变电阻元件和混合物的旋转同时进行的。
11．可变电阻的制造方法，其特征在于，包括以下3个步骤(1)使以ZnO为主成分的原材料成形，获得可变电阻元件；(2)在该可变电阻元件表面涂上含有以Si作为主成分，以Pb、Fe、Sb、Ti、Al、B、Bi、Ag、碱金属、碱土金属的化合物、玻璃料中至少一种以上成分作为副成分(单独使用Si、Pb、碱金属、碱土金属的情况除外)的混合物，并进行热处理；(3)在上述可变电阻元件外表面形成至少2个电极。
12．如权利要求11所述的可变电阻的制造方法，其特征还在于，步骤1后，先对可变电阻元件进行热处理，再进行步骤2。
13．如权利要求11所述的可变电阻的制造方法，其特征还在于，步骤2前，将可变电阻元件浸入含有至少一种以上Si、Pb、Fe、Sb、Ti、Al、B、Bi、Ag、碱金属、碱土金属的有机金属化合物的液体中。
14．如权利要求11所述的可变电阻的制造方法，其特征还在于，步骤2的热处理是与可变电阻元件和混合物的旋转同时进行的。
全文摘要
本发明的目的是通过选择性地在可变电阻元件表面形成致密且具有均一厚度的高电阻层,以提供具备良好耐电镀性、耐湿性的可变电阻。为达到上述目的,本发明的可变电阻制造方法是:首先将以氧化锌为主成分的瓷片(1a)与内部电极(2)交替层叠,形成可变电阻元件(1),然后,在可变电阻元件(1)的两个端面涂布形成外部电极(3)的Ag电极糊,接着通过热处理对可变电阻元件(1)进行烧结,然后将可变电阻元件(1)埋入SiO
文档编号H01C7/102GK1220763SQ97195189
公开日1999年6月23日 申请日期1997年5月27日 优先权日1996年6月3日
发明者德永英晃, 东谷美穗, 若畑康男 申请人:松下电器产业株式会社