专利名称：光接收装置的制作方法
技术领域：
本发明是涉及光接收装置的一种技术，尤其涉及用在将光远距离控制器发送来的光信号转换为电气信号的光远距离控制接收装置上的光接收装置。
光远距离控制接收装置(以下称为“光遥控接收装置”)由象光电二极管那样的将光信号变换为电流的光接收装置及其外围电路构成。该外围电路将光射入时，在光接收装置上所发生的光电流转换为微电脑等逻辑电路可以识别的信号。
一般来说，光接收装置和发送器之间的距离，即接收距离越长，光接收装置接收到的光越弱。因此，光遥控接收装置的光检测灵敏度越高，该装置的可接收距离越长，相反，光检测灵敏度越低，可接收距离越短。另外，光遥控接收装置的接收距离长的话，既能降低发送器的输出功率使电池更耐用，又能使接收范围变大，使用起来更方便、更自由。
正因为如此，在市场上可接收距离较长(10m以上左右)的光遥控接收装置很受欢迎，所以，需要有光检测灵敏度更高的光接收装置。
另一方面，光遥控接收装置一般在普通家庭中使用，所以其光检测灵敏度会大受萤光灯等的电磁噪声的影响。即由于电磁噪声随着发送器输出的光信号一起混入光遥控接收装置内，所要接收的光信号被电磁噪声遮住，从而导致光检测灵敏度下降。
于是，到目前为止，为消除这种电磁噪声，对光接收装置已经做了各种各样的尝试。
以往的光接收装置有以下几种用金属制容器遮蔽整个装置以免受电磁噪声影响的(参照特开平6-69409号公报)；在受光表面上形成透光性导电膜的(参照特开平6-291356号公报)；用扩散层屏蔽光电二极管的整个受光面的(参照特开平2-275680号公报)；以及仅把靠近噪声发源地的受光面用扩散层进行部分屏蔽的(参照实开平4-40553号公报)。
以往的光接收装置存在以下几个问题。
首先，遮蔽整个装置以免受电磁噪声影响的，从装置大小和成本方面来看都不够理想，其次，有穿透性导电膜形成的，虽说该穿透性导电膜具有穿透性，但其穿透度不到100％，所以在提高光检测灵敏度这一方面受到一定限制。因此，在上述以往的光接收装置中，用扩散层屏蔽受光面的那种，可以说装置大小、成本以及光检测灵敏度这几方面都比较理想。
以往的用扩散层屏蔽整个受光面的装置虽能减少电磁噪声的影响，但实际上对提高光检测灵敏度不起多大作用，从而很难把光遥控接收装置的接收距离延长到10m以上。还有，由于在一般家庭中无法确定电磁噪声的发源地，因此仅把靠近噪声发源地的局部受光面用扩散层屏蔽这种想法，实际上做不到。
由本案发明人的实验研究结果得知，起屏蔽作用的扩散层和受光层的互相接触会在光接收装置内引起自发噪声，并且该自发噪声有碍于提高光接收装置的光检测灵敏度。
鉴于上述几个问题，本发明的目的在于提供一种光检测灵敏度比以前高，且光遥控接收装置的可接收距离比以前长的光接收装置。
为了解决上述问题，在第1方面的发明中所采取的具体作法是光接收装置由第1导电型半导体衬底和在该半导体衬底表面区域内所形成的由第2导电型杂质区域构成的受光部构成，其中，在上述受光部的表面区域形成了由上述第1导电型杂质区域构成的且能消除电磁噪声的屏蔽部，上述屏蔽部只覆盖了上述受光部表面的一部分以便使因它和上述受光部的相互接触而引起的自发噪声不会过大。
若采用第1方面的发明，消除电磁噪声的屏蔽部只覆盖了受光部表面的一部分以便使因它和受光部的相互接触而引起的自发噪声不会过大，所以自发噪声不会大到影响提高光接收装置的光检测灵敏度的程度。这样，和以前相比，光检测灵敏度也提高了，光遥控接收装置的可接收距离也延长了。
在第2方面的发明中，设定上述第1方面的光接收装置的屏蔽部在上述受光部表面中所占的面积以保证该光接收装置的光检测灵敏度达到规定的水平。
还有，在第3方面的发明中，上述第2方面的光接收装置的上述屏蔽部在上述整个受光部表面所占的面积比应设在0.40～0.60这一范围内。
在第4方面的发明中，假设形成在上述第1方面的光接收装置的上述受光部表面区域的屏蔽部为第1屏蔽部，在上述半导体衬底表面区域中上述受光部之外围形成了由上述第1导电型杂质区域构成的第2屏蔽部。
按照第4方面的发明，除了在上述受光部表面区域形成了第1屏蔽部以外，还在半导体衬底表面区域中的受光部之外的部分形成了由第1导电型杂质区域构成的第2屏蔽部，所以可以用这个第2屏蔽部消除从受光部表面之外的半导体衬底表面上传来的电磁噪声。
在第5方面的发明中，上述第4方面的光接收装置的第1和第2屏蔽部是电连接的。
按照第5方面的发明，因为第1和第2屏蔽部是电连接的，所以不需要在第1屏蔽部上另设屏蔽用电极来让第1屏蔽部接地，只在第2屏蔽部上设置即可。这样，就不再存在受光部表面被屏蔽用电极遮光的问题，受光部表面也就能够作为受光面而被有效地利用。
在第6方面的发明中，上述第5方面中的光接收装置的第1和第2屏蔽部被一体化了。
在第7方面的发明中，上述第5方面中的光接收装置的第1和第2屏蔽部由金属布线相连接。
在第8方面的发明中，设置上述第7方面中的光接收装置的金属布线以便几乎覆盖上述半导体衬底上的上述受光部的边界区域。
在第9方面的发明中，上述第4方面中的光接收装置的第2屏蔽部几乎全面包围了上述半导体衬底表面中的受光部。
在第10方面的发明中，上述第4方面中的光接收装置的第2屏蔽部在上述半导体衬底中包括深度比上述受光部还深的侧面屏蔽部分。
按照第10方面的发明，侧面屏蔽部在半导体衬底中比受光部还深，所以能够消除来自受光部侧面的电磁噪声。
在第11方面的发明中，第10方面中的光接收装置的侧面屏蔽部形成在上述半导体衬底的侧表面区域。
在第12方面的发明中，上述第1方面的光接收装置的上述半导体衬底底面的表面区域上形成了由上述第1导电型杂质区域构成的接触层，上述半导体衬底的几乎整个底表面由导电性粘合剂粘结于引线上。
按照第12方面的发明，半导体衬底的几乎整个底表面由导电性粘合剂粘结于引线上，所以来自半导体衬底底面的电磁噪声就能被该引线消除掉。
在第13方面的发明中，上述第12方面的光接收装置中的半导体衬底的侧下方至少有一部分被上述导电性粘合剂覆盖着。
按照第13方面的发明，可以用导电性粘合剂消除来自半导体衬底底部侧面的电磁噪声。
在第14方面的发明中，上述第13方面的光接收装置中的接触层形成在上述半导体衬底的几乎整个底面上，在上述半导体衬底侧面中所形成的上述接触层的侧表面由上述导电性粘合剂覆盖着。
在第15方面的发明中，假设在上述第12方面的光接收装置的上述受光部表面区域上所形成的屏蔽部为第1屏蔽部，那么在上述半导体衬底表面区域中的上述受光部之外围就形成了由上述第1导电型杂质区域构成且与上述第1屏蔽部进行电连接的第2屏蔽部，上述第2屏蔽部上设有与上述引线相连接的阳极。
按照第15方面的发明，设在第2屏蔽部上的阳极具有屏蔽用电极的功能。因此，不存在受光部表面被屏蔽用电极遮光的问题。
在第16方面的发明中，上述第1方面的光接收装置的半导体衬底上形成了具有防止光反射功能的保护膜。
在第17方面的发明中，上述第16方面的光接收装置的保护膜是至少含有硅氮化膜的多层膜。
在第18方面的发明中，上述第1方面中的光接收装置的屏蔽部在上述受光部表面所占区域的形状是圆形。
在第19方面的发明中，上述第1方面的光接收装置的受光部及屏蔽部是采用扩散法、注入法或者外延生长法而形成的。
在第20方面的发明中，上述第1方面的光接收装置的屏蔽部是由穿透性导电膜形成的。
还有，第21方面的发明所采取的具体作法是光接收装置由第1导电型半导体衬底和在该半导体衬底的表面区域上形成的由第2导电型杂质区域构成的受光部构成，其中，在上述受光部的表面区域内形成了由上述第1导电型杂质区域构成的第1屏蔽部，而且，在上述半导体衬底的表面区域的上述受光部之外围形成了由上述第1导电型杂质区域构成的第2屏蔽部，上述第2屏蔽部包括深度比上述受光部还深的侧面屏蔽部分。
按照第21方面的发明，在半导体衬底中侧面屏蔽部分比受光部还深，所以能消除来自受光部侧面的电磁噪声。
另外，第22方面的发明所采取的具体作法是光接收装置由第1导电型半导体衬底和在该半导体衬底的表面区域上形成的由第2导电型杂质区域构成的受光部构成，其中，在上述受光部的表面区域内形成由上述第1导电型杂质区域构成的屏蔽部；在上述半导体衬底底表面区域上形成由上述第1导电型杂质区域构成的接触层；而且，上述半导体衬底的几乎整个底面由导电性粘合剂粘结于引线上，上述半导体衬底侧面的下方部分被上述导电性粘合剂覆盖着。
按照第22方面的发明，半导体衬底的几乎整个底面由导电性粘合剂粘结于引线，所以，来自半导体衬底底面的电磁噪声被该引线消除掉，来自半导体衬底侧面的电磁噪声则被导电性粘合剂消除掉了。
下面对附图进行简单说明图1是本发明第1实施例的光接收装置的构造俯视图。
图2是图1所示的本发明第1实施例的光接收装置构造的一个剖面图。
图3是表示第1实施例的光接收装置的穿透电磁噪声量和屏蔽面积比之相互关系的曲线图。
图4是表示第1实施例的光接收装置的自发噪声量和屏蔽面积比之相互关系的曲线图。
图5是本发明第1实施例的光接收装置被作为光遥控接收装置使用时的可接收距离和屏蔽面积比之相互关系的曲线图。
图6是本发明第2实施例的光接收装置的构造俯视图。
图7是本发明第2实施例的光接收装置被作为光遥控接收装置使用时的可接收距离和屏蔽面积比之相互关系的曲线图。
图8是本发明第3实施例的光接收装置的构造俯视图。
图9是表示图8所示的本发明第3实施例的光接收装置构造的一个剖面图。
图10是只在受光部表面上形成屏蔽部的一种光接收装置的俯视图。
图11是在受光部表面上所形成的屏蔽部形状为矩形的光接收装置的俯视图。
图12是在受光部表面上所形成的屏蔽部形状为圆形的光接收装置的俯视图。
下面，参照
本发明的实施例。另外，在下面的说明中，设第1导电型为P型、第2导电型为N型。(第1实施例)图1是表示本发明的第1实施例所涉及的光接收装置构造的俯视图。图2是将图1的光接收装置沿X-X’线剖开的剖视图。另外，为说明方便，取虚线X-X’为通过阴极12和阳极13的折线而不取直线。
如图1和图2所示，在本实施例所涉及的光接收装置中，在掺P(磷)使其杂质浓度为10-13cm-3，长宽为1.50×1.50mm，厚度为350μm的P型半导体衬底1上，形成了掺B(硼)后，杂质浓度为10-15cm-3，长宽为1.35×1.35mm，深度为5μm的由N型杂质区域构成的受光部2。光电二极管(PD)由该半导体衬底1和受光部2构成，于是半导体衬底1就为PD的阳极，受光部2则为PD的阴极。
还有，在半导体衬底1上形成了掺P(磷)使其杂质浓度为10-18cm-3的第1P型杂质区域3和第2P型杂质区域4。第1P型杂质区域3呈网格状覆盖受光部2的表面的一部分且包围了受光部2，其深度为2μm。另外，在半导体衬底1的侧表面区域上形成了起屏蔽侧面作用的第2P型杂质区域4，它包围了第1P型杂质区域3，其深度为5μm以上，比受光部2深。在受光部2的表面区域上形成的那一部分第1P型杂质区域3构成了第1屏蔽部5，在受光部2的表面之外形成的那一部分第1P型杂质区域3和第2P型杂质区域4共同构成了第2屏蔽部6。该第1和第2屏蔽部5、6被接地后，就能起到消除电磁噪声的屏蔽作用。
还有，在半导体衬底1上形成了由多层膜构成的保护膜11(图1中图示省略)，该多层膜包括用LP-CVD法(减压气相淀积法)而形成的硅氮化(LP-SiN)膜。由于硅氮化膜是用LP-CVD法形成的，所以在形成过程中不会损伤受光部2的表面，而且由于膜质细密，保护功能也得到了提高，还能够把保护膜11的膜厚做得比一般的薄，使其具有防止光反射的功能。保护膜11的膜厚按光的波长来设定，例如，硅氮化膜的厚度为400～1000时，其上的硅氧化(SiO2)膜则为200～400。
用来连接受光部2和外围电路的阴极12设在受光部2表面上没有第1屏蔽部5构成的那一部分；用来连接半导体衬底1和外围电路的阳极13设在第2屏蔽部6的表面上。而且，在半导体衬底1的底面区域形成了由第3P型杂质区域构成的接触层14，半导体衬底1的几乎整个底面用Ag膏、焊料、导电性树脂等导电性粘合剂2 2粘结在作为引线的芯片垫21上。芯片垫21的表面面积比半导体衬底1的底面面积大，并且，导电性粘合剂22受表面张力的作用，沿半导体衬底1的侧面上涨，至少覆盖住了半导体衬底1的侧面下方的一部分。
阳极13通过焊线23焊接在芯片垫21上(图1未示出)。这样，第1屏蔽部5通过第2屏蔽部6、阳极13和焊线23与芯片垫21进行电连接，然后接地。这里，未表示阴极12的焊接。
图3是表示在本实施例的光接收装置中，未经过第1屏蔽部5进行任何消除而是直接射入到受光部2的穿透电磁噪声量和第1屏蔽部5在受光部2表面所占面积之间的关系曲线。在图3中，纵轴表示穿透电磁噪声量(设受光部2表面没设第1屏蔽部5时的噪声量为“1”，即相对比率)，横轴表示屏蔽面积比，即第1屏蔽部5在受光部2的整个表面中所占的面积和受光部2整个表面的面积比。
如图3所示，第1屏蔽部5在受光部2表面所占的面积越大，来自外部的电磁噪声就越容易通过第1屏蔽部5传到地面，穿透电磁噪声量就变少。所以，在除了来自外部的电磁噪声之外，不存在任何其它噪声的情况下，第1屏蔽部5的表面积越大，光接收装置的光检测灵敏度越高。
然而，实际上，因受光部2和第1屏蔽部5的相互接触会引起自发噪声，所以第1屏蔽部5的表面积过大的话，因为该自发噪声的发生，光接收装置的光检测灵敏度却会下降。
图4表示在本实施例的光接收装置中，受光部2和第1屏蔽部5的相互接触所引起的自发噪声量和第1屏蔽部5在受光部2的表面上所占面积两者间的相互关系。在图4中，纵轴表示自发噪声量(设第1屏蔽部5完全占据了整个受光部2时的自发噪声量为“1”，即相对比率)，横轴表示屏蔽面积比。
从图4可知，第1屏蔽部5在受光部2表面所占的面积越小，自发噪声也越小，所以在不存在外部电磁噪声的环境下，受光部2表面不设第1屏蔽部5时，光接收装置的光检测灵敏度最高，作为光遥控接收装置时的接收距离也最长。
鉴于以上所述。在本实施例中，如图1所示，在受光部2的局部表面上形成了第1屏蔽部5，以免两者的相互接触过多地引起自发噪声。这样一来，与在受光部2的表面上没有屏蔽部的光接收装置相比，可少受来自外部的电磁噪声的影响，另一方面，与在受光部2的整个表面形成了屏蔽部的光接收装置相比，能够抑制自发噪声的产生。其结果，光检测灵敏度变得比以前高，作为光遥控接收装置时的接收距离也相应地变长。
图5表示了把图1和图2所示的有关本实施例的光接收装置用作光遥控接收装置时，且有电磁噪声存在的日常室内环境下所做的动作实验结果。即表示光遥控接收装置的接收距离和第1屏蔽部5在受光部2表面所占面积之间的相互关系。在图5中，纵轴表示接收距离(m)，横轴表示屏蔽面积比。
如图5所示，屏蔽面积比为0时，即受光部2的表面没有第1屏蔽部5时，接收距离为7m左右。屏蔽面积比为1.0时，即在整个受光部2表面上形成有第1屏蔽部5时，接收距离为10m左右。另外，若使屏蔽面积比为0.25～0.95，则接收距离可达到10m以上。换句话说，与以往的在受光部2的整个表面形成了屏蔽部的光接收装置相比，通过使屏蔽面积比为0.25～0.95.便可提高光检测灵敏度。屏蔽面积比为0.5时，光接收装置的光检测灵敏度则最高，而且，光遥控接收装置的接收距离最长，可达到13m左右。原因是这时，穿透电磁噪声量与自发噪声量的和最小。实际上，屏蔽面积比设在0.4～0.6这一范围内时，能得到最理想的光检测灵敏度。
另外，本实施例所涉及的光接收装置除了第1屏蔽部5只覆盖受光部2的一部分表面这一特征以外，技术上还具有以下几个特征。
首先，由于在半导体衬底1表面区域中的受光部2外围形成了第2屏蔽部6，所以来自受光部2表面之外的半导体衬底1上的电磁噪声也能被第2屏蔽部6消除掉。其次，第2屏蔽部6具有比受光部2还深的起屏蔽侧面作用的第2P型杂质区域4，因此，来自受光部2侧面的电磁噪声也能被第2屏蔽部6消除掉。另外，在本实施例中，虽然第2P型杂质区域4形成在半导体衬底1侧表面区域里，但其形成时不紧贴半导体衬底1的侧面也可以。
由于第1屏蔽部5和第2屏蔽部6电连接且通过阳极13接地，所以不必在受光部2的表面另设屏蔽电极。因此，受光部2的表面不会被屏蔽电极遮光，从而受光部2的表面可作为受光面而被有效地利用。
芯片垫21能确实地消除来自半导体衬底1底面的电磁噪声。并且，由于导电性粘合剂22受表面张力的作用，沿着半导体衬底1的侧面上涨，所以能够由该导电性粘合剂22消除来自半导体衬底1侧面方向的电磁噪声。当导电性粘合剂22的上涨高度高于接触层14上表面时，即接触层14的侧表面被导电性粘合剂22完全覆盖住时，导电性粘合剂22对电磁噪声的消除效果会更显著。(第2实施例)图6是表示本发明的第2实施例所涉及的光接收装置构造的俯视图。如图6所示，在本实施例的光接收装置中，在半导体衬底1上形成了掺P(磷)后，杂质浓度为10-18cm-3的P型杂质区域3A。该杂质区域3A呈网格状覆盖着受光部2的一部分表面，并包围住受光部2，其形成后的深度为2μm。该P型杂质区域3A被接地后，就起消除电磁噪声的屏蔽作用。在受光部2的表面区域内所形成的P型杂质区域3A构成第1屏蔽部5A，在受光部2的表面之外所形成的P型杂质区域3A构成第2屏蔽部6A。但在本实施例中，不存在第1实施例中那样的第2P型杂质区域4，而且，第2屏蔽部6A不延伸到半导体衬底的侧面。另外，图6未示出阳极和阴极。
图7表示把图6所示的有关本实施例的光接收装置用作光遥控接收装置时，且有电磁噪声存在的日常室内环境下所做的动作实验结果。即表示光遥控接收装置的接收距离和第1屏蔽部5A在受光部2表面所占面积两者间的相互关系。在图7中，纵轴表示接收距离(m)，横轴表示屏蔽面积比即在受光部2的整个表面中，第1屏蔽部5A所占的面积大小。
如图7所示，若使屏蔽面积比为0.25～0.95，则能保证光遥控接收装置的接收距离为10m以上。使屏蔽面积比为0.35～0.70时，自发噪声和电磁噪声的影响更少，光遥控接收装置的接收距离将达到11m以上。使屏蔽面积比为0.5时，光接收装置的光检测灵敏度则最高，光遥控接收装置的接收距离也最长，长达12m左右。原因是这时，穿透电磁噪声量与自发噪声量的和最小。实际上，设屏蔽面积比在0.4～0.6这一范围内时，能得到最理想的光检测灵敏度。(第3实施例)图8是表示本发明的第3实施例所涉及的光接收装置构造的俯视图。图9是将图8的光接收装置沿Y-Y’线剖开的剖面图。
如图8和图9所示，在本实施例的光接收装置中，有N型杂质区域所构成的受光部2在其表面区域内形成的P型半导体衬底1上，形成了掺P(磷)后，杂质浓度为10-18cm-3的P型杂质区域3B。其深度为2μm。该P型杂质区域3B由两部分构成，即呈网格状覆盖受光部2的一部分表面的部分和包围受光部2表面区域的部分。该区域3B也能通过接地起消除电磁噪声的屏蔽作用。P型杂质区域3B中，在受光部2的表面区域内所形成的那一部分构成第1屏蔽部5B，在受光部2的表面区域之外所形成的另一部分则构成第2屏蔽部6B。
在第1实施例中，通过第1杂质区域3，第1及第2屏蔽部5、6被一体化，但在本实施例中，第1屏蔽部5B和第2屏蔽部6B是通过设在半导体衬底1上的作为金属布线用的铝布线膜7而进行电气连接的。这样，因为第1屏蔽部5B通过设在第2屏蔽部6B上的阳极13而被接地，所以受光部2的表面不会被屏蔽电极遮光，受光部2的表面便可作为受光面而被有效地利用起来。
又在本实施例中，铝布线膜7几乎覆盖住了半导体衬底1和其中的受光部2之间的边界区域，所以铝布线膜7还具有消除来自外部的电磁噪声的功能。
另外，在第1～第3实施例中，虽然是在半导体衬底1表面区域中的受光部2周围设置了能够消除电磁噪声的第2屏蔽部6、6A和6B，但只在受光部2的表面区域里设置屏蔽部当然也是可以的。图10是只在受光部2的表面区域内形成屏蔽部5C的一种光接收装置的俯视图。
又在第1～第3实施例中，虽然在受光部2表面的第1屏蔽部5、5A和5B都呈网格状，但受光部表面屏蔽部的形状并不只限于网格状，其形状既可以是如图11所示的矩形(屏蔽部5D)，也可以是如图12所示的圆形(屏蔽部5E)。在这种情况下，通常，和其面积相比，屏蔽部的厚度极小，所以只要受光部2表面屏蔽部的面积相同，不管其形状如何，其光检测灵敏度几乎相同。但在和其面积相比，屏蔽部的厚度厚到了不可忽视的程度时，将其形状做成如图12所示的圆形，这样一来，表面积相同时，其周长要比其他形状的短，而且与受光部的接触面积变小，其结果，减少了自发噪声量，提高了光接收装置的光检测灵敏度。
另外，不用扩散法形成受光部和屏蔽部，用注入法或外延法也可以。还有，用穿透性导电膜形成屏蔽部也可以。
另外，虽然在本实施例中是以光电二极管为例进行了说明，但本发明同样适合PIN型、雪崩型等其他半导体光电元件。
如上所述，在本发明中，为使消除电磁噪声的屏蔽部和受光部之间的相互接触不致引起过大的自发噪声，屏蔽部只覆盖了受光部表面的一部分。这样以来，和以前相比，光检测灵敏度得到了提高，光遥控接收装置的接收距离得到了延长。其结果，降低了发送器的输出功率而使电池更耐用，增大了发送器的发送范围从而达到了提高其使用方便性的效果。
权利要求
1.一种光接收装置，包括第1导电型半导体衬底和在该半导体衬底的表面区域上形成的由第2导电型杂质区域构成的受光部，其特征在于在上述受光部的表面区域上形成了一个由上述第1导电型杂质区域构成且用于消除电磁噪声的屏蔽部；上述屏蔽部只覆盖上述受光部表面的一部分，以免它和上述受光部的相互接触引起过大的自发噪声。
2.如权利要求1所述的光接收装置，其特征在于设定上述屏蔽部在上述受光部表面所占的面积以保证该光接收装置的光检测灵敏度达到规定的水平。
3.如权利要求2所述的光接收装置，其特征在于将上述屏蔽部在上述受光部表面所占的面积与上述受光部整个表面积的面积比设在0.40～0.60这一范围内。
4.如权利要求1所述的光接收装置，其特征在于假设形成在上述受光部表面区域的屏蔽部为第1屏蔽部，在上述半导体衬底表面区域的上述受光部之外围形成了由上述第1导电型杂质区域构成的第2屏蔽部。
5.如权利要求4所述的光接收装置，其特征在于上述第1和第2屏蔽部是电连接的。
6.如权利要求5所述的光接收装置，其特征在于上述第1和第2屏蔽部被一体化了。
7.如权利要求5所述的光接收装置，其特征在于上述第1和第2屏蔽部是通过金属布线相互连接起来的。
8.如权利要求7所述的光接收装置，其特征在于设置上述金属布线以便几乎覆盖上述半导体衬底上的上述受光部的边界区域。
9.如权利要求4所述的光接收装置，其特征在于上述第2屏蔽部包围了上述半导体衬底表面上的几乎整个上述受光部。
10.如权利要求4所述的光接收装置，其特征在于上述第2屏蔽部包括在上述半导体衬底上形成的比上述受光部还深的侧面屏蔽部分。
11.如权利要求10所述的光接收装置，其特征在于上述侧面屏蔽部分是在上述半导体衬底侧表面区域上形成的。
12.如权利要求1所述的光接收装置，其特征在于上述半导体衬底底表面区域上形成由上述第1导电型杂质区域构成的接触层，上述半导体衬底的几乎整个底表面由导电性粘合剂粘结于引线上。
13.如权利要求12所述的光接收装置，其特征在于上述半导体衬底侧面下方至少有一部分被上述导电性粘合剂覆盖。
14.如权利要求13所述的光接收装置，其特征在于上述接触层是在上述半导体衬底的几乎整个底表面上形成的，上述半导体衬底侧面上的上述接触层的侧表面由上述导电性粘合剂覆盖着。
15.如权利要求12所述的光接收装置，其特征在于假设在上述受光部的表面区域上形成的屏蔽部为第1屏蔽部，上述半导体衬底表面区域上的上述受光部之外围形成了由上述第1导电型杂质区域构成且与上述第1屏蔽部进行电连接的第2屏蔽部，上述第2屏蔽部上设有与上述引线相连接的阳极。
16.如权利要求1所述的光接收装置，其特征在于在上述半导体衬底上形成了具有防止光反射功能的保护膜。
17.如权利要求16所述的光接收装置，其特征在于上述保护膜是至少含有硅氮化膜的多层膜。
18.如权利要求1所述的光接收装置，其特征在于上述屏蔽部在上述受光部表面所占区域的形状是圆形。
19.如权利要求1所述的光接收装置，其特征在于上述受光部及屏蔽部是用扩散法、注入法或者外延生长法而形成的。
20.如权利要求1所述的光接收装置，其特征在于上述屏蔽部由穿透性导电膜形成。
21.一种光接收装置，包括第1导电型半导体衬底和在该半导体衬底的表面区域上形成的由第2导电型杂质区域构成的受光部，其特征在于；在上述受光部的表面区域上形成由上述第1导电型杂质区域构成的第1屏蔽部，而且，在上述半导体衬底表面区域的上述受光部之外围形成由上述第1导电型杂质区域构成的第2屏蔽部；上述第2屏蔽部包括在上述半导体衬底上形成的比上述受光部还深的侧面屏蔽部分。
22.一种光接收装置，包括第1导电型半导体衬底和在该半导体衬底的表面区域上形成的由第2导电型杂质区域构成的受光部，其特征在于在上述受光部的表面区域上形成由上述第1导电型杂质区域构成的屏蔽部；在上述半导体衬底的底表面区域上形成由上述第1导电型杂质区域构成的接触层，而且，上述半导体衬底的几乎整个底表面由导电性粘合剂粘结于引线；上述半导体衬底的侧下方被上述导电性粘合剂覆盖着。
全文摘要
本发明提供一种和以前相比,光检测灵敏度更高,光遥控接收装置的接收距离更长的光接收装置。在由N型杂质区域构成的受光部形成在其中的P型半导体衬底上,形成第1P型杂质区域来作为消除电磁噪声的屏蔽部。该屏蔽部呈网格状覆盖受光部的一部分表面,以防止因它和受光部相互接触而引起的自发噪声过大。并且,形成比受光部深的第2P型杂质区域来包围第1P型杂质区域,以便消除来自半导体衬底侧面的电磁噪声。
文档编号H01L31/0216GK1192054SQ9810063
公开日1998年9月2日 申请日期1998年2月23日 优先权日1997年2月25日
发明者大泽胜市, 老邑克彦 申请人:松下电器产业株式会社