专利名称：卫星用半导体探测器的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种半导体应用技术，尤其是一种卫星用半导体探测器。
现有的卫星用半导体探测器因其初始表面的粗糙度较低，表面较光洁，因而在作锂补偿时，锂的附着率较低，电阻率较低的半导体材料的缺陷受主完全补偿。另其电极上无电极引线，采用压接触法，其抗振动能力差。另现有的探测器的保护槽表面未作处理，且槽内未填以绝缘物质；因而其稳定性差和噪声大。
本实用新型的目的在于提供一种采用锂补偿时的锂附着率高、在较低温度下扩散可减少半导体材料缺陷，具有极好的长期稳定性、抗振动、抗干扰能力的卫星用半导体探测器。
本实用新型的目的可通过如下措施来实现一种卫星用半导体探测器，包括电极、管壳、绝缘垫、硅片；在电极上直接联有电极引线，且所述的硅片的初始表面粗糙度为M20-30。另在保护槽内作腐蚀处理，并在保护槽内填以绝缘物质。
本实用新型相比现有技术具有如下优点1、本实用新型的硅片的初始表面较粗糙，因而有利于提高锂的附着率，可使在采用锂补偿时达到足够的浓度，扩散之后将多余的锂去掉，去除表面氧化物，可减少可能造成的缺陷，从而可提高探测器的电特性。
2、本实用新型在电极上采用特定工艺，直接联接电极引线可提高探测器的抗振动能力。
3、本实用新型在封装前对保护槽内作腐蚀处理，可提高探测器的稳定性和降低噪声。
本实用新型的具体结构由以下附图给出
图1是本实用新型的结构示意图1-电极 2-电极引线 3-管壳 4-绝缘垫5-硅片 6-保护槽本实用新型还将结合附图1实施例作进一步详述参照图1，一种卫星用半导体探测器，包括电极1、管壳3、绝缘垫4、硅片5；在电极1上直接联有电极引线2，且所述的半导体探测器5的表面粗糙度为M28。在保护槽6内作酸腐蚀处理，并在保护槽6内填以绝缘物质。
权利要求1.一种卫星用半导体探测器，包括电极(1)、管壳(3)、绝缘垫(4)、硅片(5)；其特征在于在电极(1)上直接联有电极引线(2)，且所述的硅片(5)的初始表面粗糙度为M20-30。
2.如权利要求1所述的卫星用半导体探测器，其特征在于在所述的保护槽(6)内作腐蚀处理，并在保护槽(6)内填以绝缘物质。
专利摘要本实用新型涉及一种卫星用半导体探测器,包括电机、管壳、绝缘垫、硅片;在电极上直接联有电极引线,且所述的硅片的初始表面粗糙度为M20—30;本实用新型的锂附着率高、可减少半导体材料缺陷,在保护槽内作表面处理并在槽内填以绝缘物质;具有极好的长期稳定性、抗振动、抗干扰能力。
文档编号H01L31/0224GK2406339SQ9925617
公开日2000年11月15日 申请日期1999年12月30日 优先权日1999年12月30日
发明者谭继廉, 李存璠, 卢子伟, 张金霞, 王柱生 申请人:中国科学院近代物理研究所