图3)。
[0027]如图3中所示，模制化合物12可以流过第一和第二闸道30、32并分布在接合线18下面，防止筛漏效应。这与中心闸道设计相反，在中心闸道设计中，模制化合物被注入在半导体芯片上方，并且必须径向地向外流动以围绕边沿和接合线，这在模制化合物经过接合线向半导体芯片的底部时导致填充物的筛漏。利用本发明的第一和第二闸道30、32，模制化合物12接近模制模具10的角部28a、28c进入，并且可以在接合线18的下面和上方流动，而不必流过接合线18。
[0028]还优选形成气孔40、42穿过主墙26以接入空腔22，从而允许腔22内的空气在注入模制化合物12时逃逸。优选地,如同第一和第二闸道30、32，第一和第二气孔40、42被形成为偏离中心并且彼此对角线地相反。例如，第一和第二气孔40、42可以限定位于主墙26的所述平面中的第二线44，该主墙26的中心位于第一和第二气孔40、42之间在第二线44上。
[0029]第二线44优选相对于第一线34垂直取向，在某些实施例(诸如，图1中示出的实施例)中，这将导致气孔定位临近主墙26的不与所述第一或第二闸道30、32中的一个相关联的对角线地相反的角部28b、28d。尤其是，优选地，第二线44与主墙26的两个对角线地相反的角部28b、28d相交。
[0030]在实践中，模制模具10被置于基板16上，从而使得半导体芯片14和接合线18通过第二开口 24b容纳在空腔22，如例如图2中所示的。如上所述的，该步骤可以包括将半导体芯片14的对角线地相反的角部14a、14b与第一线34对准。然后，通过第一和第二闸道30、32两者将模制化合物12注入到腔22中，并且模制化合物12绕接合线18流动以包封半导体芯片14和接合线18。
[0031]图4示出了根据本发明的与模制模具10’一起使用的塑性球格栅阵列(PBGA)封装件的截面，作为用于模制的替代装置的示例。PBGA封装件很像图1和2中所示的TBGA封装件，并因此，相同的元件已经被指定以相同的附图标记，但是对于图4中的附图标记使用右角标(’)。PBGA另外包括在基板16’的下侧上的多个球50’，其由焊接等形成。焊料球50’通过基板16’中形成的通孔(via) 52’与导线接合18’连通。
[0032]在前述的说明中，已经参考本发明实施例的具体示例说明了本发明。然而，将明白，其中可以进行多种修改和改变而不偏离如所附权利要求提出的本发明的宽泛的精神和范围。
[0033]本领域技术人员将认识到，上述的操作之间的分界仅仅是示例性的。多个操作可以组合到单个操作中，单个操作可以分布在若干附加的操作中，并且操作可以至少部分时间交迭地执行。另外，替代的实施例可以包括特定的操作的多个实例，并且在多种其它实施例中操作的顺序可以改变。
[0034]此外，说明书和权利要求中的术语“前” “后” “顶” “底” “上” “下”等(如果有的话)用于描述性的目的，并不必然用于描述永久性的相对位置。应理解，如此使用的术语是在适当情况下可互换的，从而使得在此描述的本发明的实施例例如能够以与在此所示的或以另外的方式描述的不同的取向操作。
[0035]在权利要求中，词‘包括’或‘具有’并不排除权利要求中所列出的元件或步骤之外的其它元件或步骤的存在。另外，如在此所使用的术语“一”(“a”或“an”)被定义为一个或一个以上。此外，权利要求中引入性的短语诸如〃至少一个”和〃 一个或更多个〃的使用不应当被认为暗示了通过不定冠词“a”或“an” (一)而对另一权利要求要素的引入将含这样引入的权利要求要素的任何特定权利要求限制到仅包含一个这样的要素的发明，即使在同一权利要求包括引入性的短语“一个或更多个”或“至少一个”以及不定冠词诸如”a “或”an”(一)时也是如此。对于定冠词的使用也是如此。除非以另外的方式说明，诸如“第一”和“第二”的术语被用来任意地区分这样的术语描述的要素。因此，这些术语并不必然意图表示这些要素的时间上的或其它优先级。在彼此不同的权利要求中引述了某些措施的事实并不表示这样的措施的组合不可以用来突出优点。
【主权项】
1.一种用于将模制化合物应用到半导体芯片的模制模具，所述模制模具包括: 侧墙，其形成用于容纳所述半导体芯片的空腔，并具有相反的第一和第二轴向末端，所述侧墙具有在所述第一轴向末端处的第一开口和在所述第二轴向末端处的第二开口，所述第一开口和第二开口中的每一个接入所述空腔； 主墙，在其所述第一轴向末端处耦接到所述侧墙，并且跨所述第一开口，所述主墙的中心与所述侧墙的纵轴对准，所述主墙限定相对于所述侧墙的纵轴基本垂直取向的平面；以及 第一和第二闸道，其被形成穿过所述主墙以接入所述空腔，所述第一和第二闸道限定位于所述主墙的所述平面中的第一线，所述主墙的中心位于所述第一和第二闸道之间在所述第一线上。
2.根据权利要求1所述的模制模具，还包括第一和第二气孔，其被形成穿过所述主墙以接入所述空腔，所述第一和第二气孔形成位于所述主墙的所述平面中的第二线，所述主墙的中心位于所述第一和第二气孔之间在所述第二线上。
3.根据权利要求2所述的模制模具，其中所述第二线被相对于所述第一线垂直地取向。
4.根据权利要求2所述的模制模具，其中所述主墙包括四个角部，并且所述第二线与所述主墙的彼此对角线地相反的两个角部相交。
5.根据权利要求1所述的模制模具，其中所述主墙包括四个角部，并且所述第一线与所述主墙的彼此对角线地相反的两个角部相交。
6.根据权利要求5所述的模制模具，其中所述四个角部是下列中的一种:直角的、圆角的、或倒角的。
7.根据权利要求1所述的模制模具，其中所述主墙被配置使得当所述半导体芯片被容纳在所述空腔中时，所述半导体芯片的第一角部和所述半导体芯片的第二角部与所述第一线对准，所述半导体芯片的所述第一和第二角部彼此对角线地相反。
8.根据权利要求1所述的模制模具，其中所述第二开口大于所述第一开口。
9.一种用于包封利用多个导线接合连接到基板的半导体芯片的方法，所述方法包括: 提供模制模具，其具有: (i)侧墙，其形成空腔并且具有相反的第一轴向末端和第二轴向末端，所述侧墙具有在所述第一轴向末端处的第一开口和在所述第二轴向末端处的第二开口，所述第一开口和第二开口中的每一个接入所述空腔， (?)主墙，在其所述第一端处耦接到所述侧墙，并跨所述第一开口，所述主墙的中心与所述侧墙的纵轴对准，所述主墙限定相对于所述侧墙的纵轴基本垂直取向的平面，以及(iii)第一和第二闸道，其被形成穿过所述主墙以接入所述空腔，所述第一和第二闸道限定位于所述主墙的所述平面中的第一线，所述主墙的中心位于所述第一和第二闸道之间在所述第一线上； 将所述模制模具的所述第二轴向末端置于所述基板上，以使得所述半导体芯片和所述导线接合被容纳在所述模制模具的所述空腔中； 通过所述第一和第二闸道两者将模制化合物注入到所述空腔中，以包封所述半导体芯片和所述多个导线接合。
10.根据权利要求9所述的方法，其中所述方法还包括:在所述模制模具中提供第一和第二气孔，所述第一和第二气孔被形成穿过所述主墙以接入所述空腔，所述第一和第二气孔形成位于所述主墙的所述平面中的第二线，所述主墙的中心位于所述第一和第二气孔之间在所述第二线上。
11.根据权利要求10所述的方法，其中所述第一和第二气孔被设置为使得所述第二线相对于所述第一线垂直地取向。
12.根据权利要求11所述的方法，其中所述模制模具的所述主墙包括四个角部，并且所述第一和第二气孔被设置为使得所述第二线与所述模制模具的所述主墙的彼此对角线地相反的两个角部相交。
13.根据权利要求9所述的方法，其中所述模制模具的所述主墙包括四个角部，并且所述模制模具被设置为使得所述第一线与所述主模具的所述主墙的彼此对角线地相反的两个角部相交。
14.根据权利要求9所述的方法，其中将所述模制模具置于所述基板上的步骤包括:将所述半导体芯片的第一角部和所述半导体芯片的第二角部沿所述第一线对准，所述半导体芯片的所述第一和第二角部彼此对角线地相反。
【专利摘要】一种模制模具包括侧墙,其形成空腔和相反的第一和第二轴向末端。所述侧墙具有分别在第一和第二轴向末端处的第一和第二开口。所述第一开口和第二开口中的每一个接入所述空腔。主墙在其第一端处耦接到所述侧墙，并跨展所述第一开口。所述主墙的中心与所述侧墙的纵轴对准。所述主墙限定相对于所述侧墙的纵轴基本垂直取向的平面。第一和第二闸道被形成为通过所述主墙以接入所述空腔。所述第一和第二闸道限定位于所述主墙的所述平面中的第一线。所述主墙的中心位于所述第一线上在所述第一和第二闸道之间。
【IPC分类】H01L21-56
【公开号】CN104576411
【申请号】CN201310511373
【发明人】罗文耀, 刘德明, 丁行强, 赵树峰
【申请人】飞思卡尔半导体公司
【公开日】2015年4月29日
【申请日】2013年10月25日
【公告号】US20150118802