一种引线框架管脚端面镀锡的封装方法及封装结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明实施例涉及半导体封装领域，尤其涉及一种引线框架管脚端面镀锡的封装方法及封装结构。
【背景技术】
[0002]随着现代科技的发展，半导体器件和组件在工程、商业上得到了广泛应用。它在雷达、遥控遥测、航空航天等的大量应用对其可靠性提出了越来越高的要求。而因芯片焊接不良造成的失效也越来越引起了人们的重视，因为这种失效往往是致命的，不可逆的。因此，在半导体行业得到一个好的焊接可靠性是非常重要的，半导体焊接面的锡层可以使得焊接更加牢固，特别是汽车电子。
[0003]众所周知，QFN(QuadFlat No-lead Package，四侧无引脚扁平封装)和 DFN(DuadFlat No-lead Package，双侧无引脚扁平封装)包封在一个窗口中，在电镀完成后再切割为单个单元。但现有技术中存在产品切割后侧面并没有电镀上锡层的问题，导致在半导体焊接PCB时的可靠性较差。
【发明内容】
[0004]鉴于此，本发明的目的是提出一种引线框架管脚端面镀锡的封装方法及封装结构，以提高产品的可焊性和可靠性。为达此目的，本发明采用以下技术方案:
[0005]一方面，本发明实施例提供了一种引线框架管脚端面镀锡的封装方法，所述方法包括如下步骤:
[0006]产品注塑成型，在产品中与位于引线框架基座上的芯片电连接的引线框架管脚上，开设第一凹槽至露出环氧树脂；
[0007]对引线框架管脚上开设第一凹槽之后的产品镀锡；
[0008]从所述引线框架管脚第一凹槽处切割产品。
[0009]进一步地，所述在引线框架管脚上开设第一凹槽包括:
[0010]当相邻芯片之间的引线框架管脚的中部相连时，在引线框架管脚的中部开设第一凹槽；
[0011]当相邻芯片之间的引线框架管脚的中部被部分环氧树脂填充时，在靠近所述部分环氧树脂的引线框架管脚的端部开设第一凹槽。
[0012]进一步地，所述在引线框架管脚上开设第一凹槽的方法为蚀刻法或者镭射切割法。
[0013]进一步地，所述第一凹槽的开口形状为方形、椭圆形或者圆形。
[0014]进一步地，所述从所述引线框架管脚第一凹槽处切割产品的切割方法为砂轮切割法或者镭射激光切割法。
[0015]进一步地，在产品注塑成型前还包括:
[0016]产品注塑成型前，在所述引线框架正面的管脚上开设第二凹槽；
[0017]所述第二凹槽正对所述第一凹槽。
[0018]另一方面，本发明实施例提供了一种引线框架管脚端面镀锡的封装结构，所述结构包括引线框架、结合材、芯片、导线、环氧树脂以及锡层；所述引线框架包括引线框架基座和引线框架管脚；所述芯片通过结合材固定在所述引线框架基座上，所述芯片上的引脚和所述引线框架管脚通过所述导线电连接，所述环氧树脂将芯片、导线、结合材塑封在引线框架上，所述引线框架的背面，引线框架管脚的端面或端面的一部分镀有锡层。
[0019]进一步地，所述芯片为四侧无引脚扁平封装芯片或双侧无引脚扁平封装芯片。
[0020]本发明实施例中提供的引线框架管脚端面镀锡的封装方法及封装结构，通过在引线框架管脚上开设第一凹槽，然后对整个产品镀锡，最后从引线框架管脚第一凹槽处切割产品，使引线框架管脚的切割区域的端面镀锡，有效提高了产品的可焊性和可靠性。
【附图说明】
[0021]为了更加清楚地说明本发明示例性实施例的技术方案，下面对描述实施例中所需要用到的附图做一简单介绍。显然，所介绍的附图只是本发明所要描述的一部分实施例的附图，而不是全部的附图，对于本领域普通技术人员，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图得到其他的附图。
[0022]图1是本发明实施例一提供的引线框架管脚端面镀锡的封装方法的流程图；
[0023]图2a_图2g是本发明实施例二提供的实现引线框架管脚端面镀锡的封装过程的示意图；
[0024]图3a_图3g是本发明实施例三提供的实现引线框架管脚端面镀锡的封装过程的示意图；
[0025]图4a_图4i是本发明实施例四提供的实现引线框架管脚端面镀锡的封装过程的示意图；
[0026]图5a、图5b是本发明实施例五提供的引线框架管脚端面镀锡的封装结构示意图。
【具体实施方式】
[0027]为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，以下将结合本发明实施例中的附图，通过【具体实施方式】，完整地描述本发明的技术方案。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例，基于本发明的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下获得的所有其他实施例，均落入本发明的保护范围之内。
[0028]实施例一
[0029]图1给出了本实施例一提供的引线框架管脚端面镀锡的封装方法的流程图。本发明实施例适用于将封装后的半导体器件更加牢固地焊接到印刷电路板上。本实施例中采用的芯片可以为四侧无引脚扁平封装芯片，也可以为双侧无引脚扁平封装芯片。如图1所示，该方法包括以下步骤:
[0030]101、产品注塑成型，在产品中与位于引线框架基座上的芯片电连接的引线框架管脚上，开设第一凹槽至露出环氧树脂。
[0031]该步骤中，多个芯片通过结合材逐一固定在多个引线框架基座上，其中，芯片与引线框架管脚通过导线电连接，环氧树脂将芯片、导线、结合材塑封在引线框架上，使其注塑成型形成产品。在引线框架管脚上开设第一凹槽至露出环氧树脂，具体的，该第一凹槽位于引线框架的背面。
[0032]102、对引线框架管脚上开设第一凹槽之后的产品镀锡。
[0033]该步骤中，引线框架管脚上开设第一凹槽之后，从引线框架背面，对整个产品均匀地镀上锡层，其中，镀锡方法可采用电镀法镀锡。
[0034]103、从引线框架管脚第一凹槽处切割产品。
[0035]在产品镀锡后，整个引线框架的背面及第一凹槽处的引线框架管脚的侧面均镀上了锡层，沿着第一凹槽处切割产品，以切割成单个单元的产品。
[0036]本发明实施例一提供的引线框架管脚端面镀锡的封装方法，通过在引线框架管脚上开设第一凹槽，然后对整个产品镀锡，最后从引线框架管脚第一凹槽处切割产品，使引线框架的切割区域侧面镀锡，有效提高了产品的可焊性和可靠性。
[0037]实施例二
[0038]图2a_图2g是本发明实施例二提供的实现引线框架管脚端面镀锡的封装过程的示意图。本发明实施例适用于将封装后的半导体器件更加牢固地焊接到印刷电路板上。用于封装的芯片可以为四侧无引脚扁平封装芯片，也可以为双侧无引脚扁平封装芯片。示例性的，本实施例采用双侧无引脚扁平封装芯片，且邻芯片之间的引线框架管脚的中部相连。本实施例的封装方法包括:
[0039]201、产品注塑成型，在引线框架管脚11的中部开设第一凹槽16至露出环氧树脂
12ο
[0040]图2a为产品注塑成型的俯视图，图2b为图2a中A-A区域的切面图。如图2a、图2b所示，将芯片13通过结合材14固定在引线框架基座10上，其中，芯片13与引线框架管脚11通过导线15电连接，环氧树脂12将芯片13、导线15、结合材14塑封在引线框架上，使其注塑成型形成产品。
[0041]参考图2c、图2d，在引线框架管脚11的中部开设第一凹槽16至露出环氧树脂12。其中，第一凹槽16可通过化学腐蚀法进行刻蚀，也可利用镭射激光进行开槽；第一凹槽16的开口形状可以为方形、椭圆形或者圆形。
[0042]202、对引线框架管脚11上开设第一凹槽16之后的产品镀锡。
[0043]图2e为产品镀锡的俯视图，图2f为图2e中A-A区域的切面图。如图2e、图2f所示，在引线框架管脚11上开设第一凹槽16之后，从引线框架背面，对整个产品均匀地镀上锡层，其中，镀锡方法可采用电镀法镀锡。
[0044]203、从引线框架管脚11未镀锡的第一凹槽16处切割产品。
[0045]参考图2e、图2f，在虚线框内对产品进行切割，切割方法可以为砂轮切割法，也可以为镭射激光切割法；切割后的产品如图2g所示，引线框架管脚11的端面镀有锡层。
[0046]本发明实施例二提供的引线框架管脚端面镀锡的封装方法，通过在引线框架管脚的中部开设第一凹槽，然后对整个产品镀锡，最后从引线框架管脚第一凹槽处切割产品，使引线框架管脚的切割区域的端面镀锡，有效提高了产品的可焊性和可靠性。
[0047]实施例三
[0048]图3a_图3g是本发明实施例三提供的实现引线框架管脚端面镀锡的封装过程的示意图。本发明实施例适用于将封装后的半导体器件更加牢固地焊接到印刷电路板上。用于封装的芯片可以为四侧无引脚扁平封装芯片，也可以为双侧无引脚扁平封装芯片。示例性的，本实施例采用双侧无引脚扁平封装芯片，且邻芯片之间的引线框架管脚的中部被部分环氧树脂填充。本实施例的封装方法包括:
[0049]301、产品注塑成型