封装载板及其制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种封装结构及其制作方法，且特别是涉及一种封装载板及其制作方法。
【背景技术】
[0002]芯片封装的目的在于保护裸露的芯片、降低芯片接点的密度及提供芯片良好的散热。常见的封装方法是芯片通过打线接合(wire bonding)或倒装接合(flip chipbonding)等方式而安装至封装载板，以使芯片上的接点可电连接至封装载板。因此，芯片的接点分布可通过封装载板重新配置，以符合下一层级的外部元件的接点分布。
[0003]一般来说，封装载板的制作通常是以核心(core)介电层作为蕊材，并利用全加成法(fully additive process)、半力口成法(sem1-additive process)、减成法(subtractiveprocess)或其他方式，将图案化线路层与图案化介电层交错堆叠于核心介电层上。如此一来，核心介电层在封装载板的整体厚度上便会占着相当大的比例。因此，若无法有效地缩减核心介电层的厚度，势必会使封装结构于厚度缩减上产生极大的障碍。
【发明内容】
[0004]本发明的目的在于提供一种封装载板，适于承载芯片，且使用此封装载板的封装结构的封装厚度较小。
[0005]本发明的再一目的在于提供一种封装载板的制作方法，用以制作上述的封装载板。
[0006]为达上述目的，本发明的封装载板的制作方法包括下列步骤。首先，接合两基底金属层。接着，分别压合两支撑层于两基底金属层上。接着，分别设置两离型金属膜于两支撑层上，其中各离型金属膜包括可彼此分离的第一金属箔层及第二金属箔层。接着，分别形成两图案化金属层于两离型金属膜上，其中各图案化金属层适于承载以及电连接芯片。之后，令两基底金属层分离，以形成各自独立的两封装载板。
[0007]本发明的封装载板适于承载芯片。封装载板包括支撑层、基底金属层、离型金属膜以及图案化金属层。支撑层包括第一表面以及相对第一表面的第二表面。基底金属层设置于支撑层的第一表面上。离型金属膜设置于支撑层的第二表面上。离型金属膜包括可彼此分离的第一金属箔层以及第二金属箔层，且第二金属箔层与支撑层接合。图案化金属层设置于第一金属箔层上，其中芯片适于设置于图案化金属层上并与图案化金属层电连接。
[0008]基于上述，本发明的封装载板采用对称的方式分别于两彼此接合的基底金属层上进行封装载板的制作工艺，因此，于拆板后，可同时得到两个各自独立的封装载板，故能有效节省制作工艺时间，并提高生产效能。此外，本发明的封装载板是利用图案化金属层来承载及电连接芯片，并且将离型金属膜连接于支撑层以及图案化金属层之间，使支撑层在完成芯片的封胶制作工艺后可通过离型金属膜的可分离特性而轻易被移除。因此，相较于现有由多层图案化线路层与图案化介电层交错堆叠于核心介电层所构成的封装载板而言，本发明的封装载板可使后续完成的封装结构具有较薄的封装厚度。
[0009]为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图作详细说明如下。
【附图说明】
[0010]图1A至图1G是依照本发明的一实施例的一种封装载板的制作方法的剖面示意图；
[0011]图2A至图2D为图1G的封装载板承载芯片的制作工艺步骤的剖面示意图。
[0012]符号说明
[0013]10:封装结构
[0014]100:封装载板
[0015]105:胶层
[0016]110:基底金属层
[0017]120:支撑层
[0018]122:第一表面
[0019]124:第二表面
[0020]130:离型金属膜
[0021]132:第一金属箔层
[0022]134:第二金属箔层
[0023]140:图案化金属层
[0024]142:芯片接垫
[0025]144:接合接垫
[0026]150:图案化光致抗蚀剂层
[0027]152:开口
[0028]160:蚀刻终止层
[0029]170:表面处理层
[0030]200:芯片
[0031]210:导线
[0032]220:封装胶体
[0033]230:焊球
【具体实施方式】
[0034]图1A至图1G是依照本发明的一实施例的一种封装载板的制作方法的剖面示意图。在本实施例中，封装载板的制作方法包括下列步骤:首先，请参照图1A，接合两基底金属层110。在本实施例中，两基底金属层110分别可为两铜箔层，并通过将胶层105涂布于两基底金属层110的周缘来接合两基底金属层110，并于两基底金属层110的周缘形成密合区，使两基底金属层110暂时地接合在一起，以避免后续制作工艺中所使用的药剂渗入于两基底金属层110之间。
[0035]请接续参照图1B，分别压合两支撑层120于两基底金属层110上。接着，再分别设置两离型金属膜130于两支撑层120上，其中，各离型金属膜130包括可彼此分离的第一金属箔层132及第二金属箔层134。在本实施例中,第二金属箔层134的厚度实质上大于第一金属箔层132的厚度。具体而言，第二金属箔层134的厚度约为18微米(μ m)，第一金属箔层132的厚度约为5微米(μ m)。当然，本实施例仅用以举例说明而并不以此为限。
[0036]接着，请同时参照图1C以及图1D，先分别形成如图1C所示的两图案化光致抗蚀剂层150于两离型金属膜130上，其中，图案化光致抗蚀剂层150可包括多个开口 152，以分别暴露部分离型金属膜130。接着，再如图1D所示，以图案化光致抗蚀剂层150为掩模，分别形成两图案化金属层140于开口 152内，使两图案化金属层140覆盖于开口 152暴露的部分离型金属膜130上。各图案化金属层140适于承载以及电连接芯片。在本实施例中，图案化金属层140可如图1D所示包括芯片接垫142与多个接合接垫144。芯片可例如设置于芯片接垫142上，再通过多条导线与接合接垫144电连接。在本实施例中，图案化金属层140的线宽例如是介于15微米至35微米之间。意即，本实施例的图案化金属层140可视为一种细线路。并且，依此方式所形成的图案化金属层140可依据图案化光致抗蚀剂层150的厚度轻易控制图案化金属层140的形成厚度。因此，使用者也可通过控制图案化金属层140的厚度来调整依此制作工艺所形成的封装载板的厚度。当然，在本发明的其他实施例中，图案化金属层140也可通过蚀刻制作工艺等减成法(subtractive process)形成。
[0037]此外，在本发明的一实施例中，也可在形成图案化金属层140之前，先分别形成如图1D所示的两蚀刻终止层160于图案化光致抗蚀剂层150的开口 152所暴露的部分离型金属膜130内。蚀刻终止层160例如为镍层，并可通过电镀的方式形成于图案化光致抗蚀剂层150的开口 152内。
[0038]之后，可再分别形成如图1E所示的两表面处理层170于两图案化金属层140的上表面上。在本实施例中，表面处理层170可包括电镀金层、电镀银层、还原金层、还原银层、电镀镍IE金层、化镍IE金层或有机保焊剂(organic solderability preservatives, OSP)层，当然，本实施例并不以此为限。接着，再移除图案化光致抗蚀剂层150，即可形成如图1F所示的两图案化金属层140于两离型金属膜130上。
[0039]之后，分离两基底金属层110的密合区，以使两基底金属层110分离，即可形成如图1G所示的各自独立的两封装载板100。如此，依上述制作方法所形成的各封装载板100包括基底金属层110、支撑层120、离型金属膜130以及图案化金属层140。支撑层120包括第一表面122以及相对第一表面122的第二表面124。基底金属层110设置于支撑层120的第一表面122上。离型金属膜130则设置于支撑层120的第二表面124上,其中，离