为采用图2结构缺陷槽的微带滤波器的波形仿真和测试波形比较图。
[0036]图10为采用图3结构缺陷槽的微带滤波器的波形仿真和测试波形比较图。
[0037]图11为采用图4结构缺陷槽的微带滤波器的波形仿真结果图。
[0038]图12为采用图5结构缺陷槽的微带滤波器在不同尺寸下的波形仿真结果图。
[0039]图13为采用图5结构缺陷槽的微带滤波器的波形仿真和测试波形比较图。
[0040]图14为采用图6结构缺陷槽的微带滤波器的波形仿真结果图。
[0041]图15为采用图7结构缺陷槽的微带滤波器的波形仿真结果图。
【具体实施方式】
[0042]基于上述技术方案，本发明给出如下实施例。
[0043]实施例1:U形缺陷槽结构的双频带阻滤波器
[0044]参照图1，本实例包括:介质基板1、输入端口 2和输出端口 3，介质基板I的正面上为金属微带线4、介质基板I反面为接地板5。金属微带线4、输入端口 2和输出端口 3三者位于同一平面上。其中介质基板I的介电常数为10.2，介质基板I厚度为1.27_，金属微带线4的宽度为1.2mm。金属微带线4上刻蚀有周期性的缺陷槽6，该缺陷槽6由四个U形槽线构成，且缺陷槽(6)的槽线深度与金属微带线(4)的厚度相同。
[0045]如图2所示，第一 U形缺陷槽601与第二 U形缺陷槽602的大小相同，依次水平排列在微带线的左侧，第三U形缺陷槽603与第四U形缺陷槽604的大小相同，依次水平排列在微带线的右侧，形成双频带谐振特性。其中第一 U形缺陷槽601与第二 U形缺陷槽602槽宽8丨为0.2mm，横线I丨长为11mm、竖线12长为1mm，第一 U形缺陷槽601与第二 U形缺陷槽602间距&为0.2mm ;第三U形缺陷槽603与第四U形缺陷槽604槽宽a 2为0.2mm，横线I3长为6.5mm、竖线14长为1mm，第三U形缺陷槽603与第四U形缺陷槽604间距g 2为0.2mm,第二 U形缺陷槽602与第三U形缺陷槽603间距81为6_。
[0046]所述的四个U形槽线的排列，构成两组不同的缺陷单元，且这两组不同的缺陷单元控制的电流分布是不一样的，从而使介质基板I的有效介电常数分布发生变化，同时改变了电路的有效电容和电感，形成2.8GHz和4.75GHz这两个不同的谐振频率，其中尺寸大的两个U形槽线601和602控制2.8GHz的谐振频率，尺寸小的两个U形槽线603和604控制4.75GHz的谐振频率。
[0047]实施例2:三个L形缺陷槽结构的双频带阻滤波器
[0048]本实例的结构与实施例1的主要结构相同，所不同的是金属微带线4上刻蚀有非周期性的缺陷槽6，如图3所示。
[0049]参照图3，本实例的缺陷槽6由三个L形槽线构成，第一 L形缺陷槽605与第二 L形缺陷槽606的大小相同，依次水平排列在微带线的上侧，第三L形缺陷槽607水平排列在微带线的下侧的中间位置，形成双频带谐振特性。其中第一 L形缺陷槽605与第二 L形缺陷槽606槽宽83为0.2mm，横线I 5长为5mm、竖线I 6长为0.4mm，第一 L形缺陷槽605与第二 L形缺陷槽606的间距g3S 0.4mm ;第三L形缺陷槽607槽宽a 4为0.2mm，横线I 7长为7.5mm、竖线I8长为0.4mm，第三L形缺陷槽607与第一 L形缺陷槽605和第二 L形缺陷槽606的间距g4为0.4mmο
[0050]所述的三个L形槽线的排列，构成两组不同的缺陷单元，且这两组不同的缺陷单元控制的电流分布是不一样的，从而使介质基板I的有效介电常数分布发生变化，同时改变了电路的有效电容和电感，形成4GHz和6GHz的这两个不同的谐振频率，其中尺寸大的两个L形槽线603和604控制4GHz的谐振频率，尺寸小的一个L形槽线607控制6GHz的谐振频率。
[0051]实施例3:E形缺陷槽结构的多频带阻滤波器
[0052]本实例的结构与实施例1的主要结构相同，所不同的是所用介质基板I的介电常数为2.2，介质基板I厚度为0.8mm，金属微带线4的宽度为2.46mm。金属微带线4上刻蚀有周期性的缺陷槽6，如图4所示。
[0053]参照图4，本实例的缺陷槽6由四个E形槽线构成，第一 E形缺陷槽608与第二 E形缺陷槽609的大小相同，这两个E形缺陷槽水平排列，且开口分别指向介质基板I的两端，即反向水平排列在微带线的上侧，第三E形缺陷槽610与第四E形缺陷槽611的大小相同，这两个E形缺陷槽水平排列，且开口分别指向介质基板I的两端，即反向水平排列在微带线的下侧，形成四频带谐振特性。其中第一 E形缺陷槽608与第二 E形缺陷槽609的槽宽a5为0.2mm，上横线I9长为6mm、中横线11C!长为6mm、下横线I n长为6mm、竖线112长为1mm，上横线19与中横线I 1(|的间距s丨为0.2mm，中横线1:(!与下横线I η的间距s 2为0.2mm ;第一 E形缺陷槽608与第二 E形缺陷槽609的间距邑5为0.1mm，第三E形缺陷槽610槽宽与第四E形缺陷槽611槽宽86为0.2mm，上横线I 13长为13mm、中横线I 14长为13mm、下横线I 15长为13mm、竖线I16长为1mm，上横线I 13与中横线I 14的间距s 3为0.2mm，中横线I 14与下横线I15的间距S 4为0.2mm ;第三E形缺陷槽610与第四E形缺陷槽611的间距g 6为0.1mm，第一E形缺陷槽605与第三E形缺陷槽610的间距而为0.15mm，第二 E形缺陷槽606与第四E形缺陷槽611的间距g8S 0.15mm。
[0054]所述的四个E形槽线的排列，构成两组不同的缺陷单元，且这两组不同的缺陷单元控制的电流分布是不一样的，从而使介质基板I的有效介电常数分布发生变化，同时改变了电路的有效电容和电感，形成4GHz、6GHzUlGHz和14GHz这四个不同的谐振频率，其中尺寸小的两个E形槽线608和609控制IlGHz和14GHz的谐振频率，尺寸大的两个E形槽线610和611控制4GHz和6GHz的谐振频率。
[0055]实施例4:四个L形缺陷槽结构的双频带通滤波器
[0056]本实例的结构与实施例1的主要结构相同，所不同的是金属微带线4上刻蚀有周期性的缺陷槽6，如图5所示。
[0057]参照图5，本实例的缺陷槽6由四个L形槽线通过缝隙a容性耦合构成，其中第一L形缺陷槽612与第二 L形缺陷槽613的大小相同，这两个L形缺陷槽水平排列，且开口分别指向介质基板I的两端，即反向水平排列在微带线的上侧，第三L形缺陷槽614与第四L形缺陷槽615的大小相同，这两个L形缺陷槽水平排列，且开口分别指向介质基板I的两端，即反向水平排列在微带线的下侧，形成双频带谐振特性。其中第一 L形缺陷槽612与第二L形缺陷槽613的槽宽已9为0.2mm，横线I 17长为8mm、竖线I 18长为0.4mm，第一 L形缺陷槽612和第二 L形缺陷槽613到缝隙a的间距&为0.8mm ;第三L形缺陷槽614的槽宽与第四L形缺陷槽615槽宽已8为0.2mm，第三L形缺陷槽614和第四L形缺陷槽615到缝隙a的间距gi(!为1.4mm，第一 L形缺陷槽612与第三L形缺陷槽614的间距g ^为0.2mm，第二L形缺陷槽613与第四L形缺陷槽615的间距g12为0.2mm。
[0058]所述的四个L形槽线的排列，构成两组不同的缺陷单元，且这两组不同的缺陷单元控制的电流分布是不一样的，从而使介质基板I的有效介电常数分布发生变化，同时改变了电路的有效电容和电感，形成2.4GHz和3.5GHz这两个不同的谐振频率，其中尺寸小的两个L形槽线612和613控制3.5GHz的谐振频率，尺寸大的两个L形槽线614和615控制
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