硅胶超薄键盘的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种使用手动操作开关的输入装置，具体涉及一种硅胶超薄键盘。
【背景技术】
[0002]现有技术中的笔记本键盘如图1所示，包括键帽1、剪刀脚2、硅胶按键3、聚酯薄膜开关和背板5，其中聚酯薄膜开关具有上层4-1，隔片4-2和下层4-3的三层结构。在隔片4-2上具有与硅胶按键3内部腔体相匹配的隔片孔4-4，硅胶按键3腔体中心具有天心柱，该天心柱与聚酯薄膜开关上的key点一一对应。制造时，键帽1、剪刀脚2和硅胶按键3分别成型后通过人工组装，尤其是剪刀脚2的组装工序较为繁琐，容易出现不良，而且造成笔记本键盘上部结构的厚度较厚，设计一种结构简化的硅胶超薄键盘已成为亟待解决的技术冋题。
【发明内容】
[0003]发明目的:为了克服现有技术中存在的不足，本发明提供一种硅胶超薄键盘。
[0004]技术方案:为解决上述技术问题，本发明提供的硅胶超薄键盘，包括背板、聚酯薄膜开关和按键，所述按键是一体娃胶按键，所述一体娃胶按键包括顶部的一体键帽和底部的底座裙边，所述底座裙边的内边缘与聚酯薄膜开关隔片孔的形状相适配。
[0005]作为优选，所述底座裙边内具有天心柱，所述天心柱的底面与聚酯薄膜开关触点的形状相适配。
[0006]作为优选，所述一体键帽的四周具有凸出的外边缘。
[0007]作为优选，所述一体硅胶按键的底座裙边相互连接，形成整体按键面板。
[0008]制造时，将现有的硅胶按键做成硅胶按键与键帽一体式的，在硅胶按键射出成型时，将硅胶按键底座裙边做成隔片孔一样大，天心柱与聚酯薄膜上KEY点一般大小，硅胶按键上面做成硬材质的，并印刷喷涂数字或英文字母等。
[0009]有益效果:本发明采用全新的设计理念，将硅胶按键与键帽的作用结合在一起，减化了工序(不用组装剪刀脚、键帽)，减少了不良(键帽掉键)，手感更佳(天心柱与KEY点一样大不会有组配偏差造成按键不良)使笔记本键盘更薄，更轻便。
[0010]除了上面所述的本发明解决的技术问题、构成技术方案的技术特征以及由这些技术方案的技术特征所带来的优点外，本发明的硅胶超薄键盘所能解决的其他技术问题、技术方案中包含的其他技术特征以及这些技术特征带来的优点，将结合附图做出进一步详细的说明。
【附图说明】
[0011]图1是现有笔记本键盘的结构不意图；
图2是本发明实施例的超薄硅胶键盘的结构示意图；
图3是图2中一体硅胶按键的局部放大图； 图中:1键帽，2剪刀脚，3硅胶按键，4-1上层，4-2隔片，4-3下层，4_4隔片孔，5背板，6 —体娃胶按键，6-1底座裙边，6-2天心柱，6-3 —体键帽。
【具体实施方式】
[0012]实施例:
本实施例的超薄硅胶键盘如图2所示，包括依次排列的一体硅胶按键6、聚酯薄膜开关和背板5，其中聚酯薄膜开关具有上层4-1，隔片4-2和下层4-3的三层结构。在隔片4-2上具有与一体硅胶按键6内部腔体相匹配的隔片孔4-4，一体硅胶按键6腔体中心具有天心柱，该天心柱与聚醋薄膜开关上的key点--对应。
[0013]如图3所示，一体硅胶按键6包括顶部的一体键帽6-3和底部的底座裙边6-1，其中一体键帽6-3具有凸出的外边缘，底座裙边6-1内具有天心柱6-2。
[0014]本实施例的结构比目前行业内的少了键帽及剪刀脚，简化了生产过程，节约了材料，降低了掉键及手感不良。使笔记本键盘更轻更薄，适应时代的发展。
[0015]以上结合附图对本发明的实施方式做出详细说明，但本发明不局限于所描述的实施方式。对本领域的普通技术人员而言，在本发明的原理和技术思想的范围内，对这些实施方式进行多种变化、修改、替换和变形仍落入本发明的保护范围内。
【主权项】
1.一种硅胶超薄键盘，包括背板、聚酯薄膜开关和按键，其特征在于:所述按键是一体硅胶按键，所述一体硅胶按键包括顶部的一体键帽和底部的底座裙边，所述底座裙边的内边缘与聚酯薄膜开关隔片孔的形状相适配。
2.根据权利要求1所述的硅胶超薄键盘，其特征在于:所述底座裙边内具有天心柱，所述天心柱的底面与聚酯薄膜开关触点的形状相适配。
3.根据权利要求1所述的硅胶超薄键盘，其特征在于:所述一体键帽的四周具有凸出的外边缘。
4.根据权利要求1所述的硅胶超薄键盘，其特征在于:所述一体硅胶按键的底座裙边相互连接，形成整体按键面板。
【专利摘要】本发明公开了一种硅胶超薄键盘，包括背板、聚酯薄膜开关和按键，所述按键是一体硅胶按键，所述一体硅胶按键包括顶部的一体键帽和底部的底座裙边，所述底座裙边的内边缘与聚酯薄膜开关隔片孔的形状相适配。本发明将硅胶按键与键帽的作用结合在一起，减化了组装工序，避免了键帽掉键的不良，使笔记本键盘更轻薄，手感更佳。
【IPC分类】H01H13-705
【公开号】CN104766743
【申请号】CN201510128504
【发明人】邹伟民
【申请人】江苏传艺科技股份有限公司
【公开日】2015年7月8日
【申请日】2015年3月24日