长度（例如沿沟道区延伸方向）为1mm~10mm，宽度（例如垂直于沟道区延伸 方向，例如与栅极交叉区域）为100ym~1mm，厚度为500~1000皿。
[0032] 其中，栅绝缘层13为氧化娃、氮化娃、氮氧化娃、其他低k材料、其他高k材料等 等。在本发明一个优选实施例中，栅绝缘层13为聚甲基丙締酸甲醋（PMMA)，如此W提高柔 性、透光性、W及与有机半导体有源层的接合强度，提高温度稳定性、进一步提高有机半导 体材料赛贝克系数测量精度。
[0033] 如图2所示为依照本发明测量结构的制备方法。
[0034] 首先，例如采用电子束蒸发、化学气相沉积、脉冲激光沉积、原子层沉积或磁控瓣 射方法，在绝缘衬底11上形成栅电极12。绝缘衬底11、栅电极12的材质和尺寸如前所述。
[0035] 其次，例如采用电子束蒸发、化学气相沉积、脉冲激光沉积、原子层沉积、磁控瓣 射、喷涂、丝网印刷、凝胶-溶胶等方法，在栅电极12上形成栅绝缘层13。栅绝缘层13材料 如前所述，尺寸优选地至少大于栅电极12W便于在沟道区完全覆盖或包裹栅电极12。
[0036] 接着，在栅绝缘层13上形成有机半导体有源层，例如采用机械剥离或者是化学气 相沉积的方法。
[0037] 然后，例如采用电子束蒸发、化学气相沉积、脉冲激光沉积、原子层沉积或磁控瓣 射方法，在绝缘衬底11上形成连接了有机半导体有源层的源漏区的多个温度传感器连接 线14、15、16、17。连接线分布在栅电极12的两侧。连接线14~17的材料与尺寸如前所 述。
[003引最后，例如采用电子束蒸发、化学气相沉积、脉冲激光沉积、原子层沉积或磁控瓣 射方法，在绝缘衬底11上形成分别连接了与源漏区相连的温度传感器连接线的多个温度 控制线18、19,使得温度控制线也分布在栅电极12的两侧并且位于温度传感器连接线的同 一侧。例如，温度控制线18连接至与源区相连的温度传感器连接线17,温度控制线19连接 至与漏区相连的温度传感器连接线15。温度控制线18、19的材料与尺寸如前所述。
[0039] 优选地，可W采用相同的材料与工艺一步制作出温度传感器连接线与温度控制 线。
[0040] 如上所述制备工艺最终得到的测量结构如图1所示。
[0041] 在应用如图1所示测量结构对OTFT的有机半导体有源层材料的赛贝克系数进行 测量的方法中，优选采用四端接触法测量样品的温度和电压。
[0042] 具体地，首先使用电流源（例如Keithley6221型）测量温度传感器连接线的电 阻值，例如将测量仪的四个输入端夹子或探针分别电连接至四个温度传感器连接线14~ 17。
[0043] 然后，用电阻温度系数仪器把测量的电阻值转换成温度值T，例如事先测量大批量 OTFT，记录下有机半导体有源层的电阻值与温度值之间的相互关系，或者从测试仪器设备 的存储器（例如ROM)中读取预先写入的电阻-温度相互关系，然而根据通过多个温度传感 器连接线测得的分布式电阻数值转换成待测0TFT的温度值。
[0044] 接着，测量温度传感器连接线的热电压V，例如使用2182A型毫微伏特计，将测量 仪的四个输入端夹子或探针分别电连接至四个温度传感器连接线14~17。温度控制线18、 19外接温度控制器（未示出），通过温度控制器的加热或冷却方式，进而达到控制温度的目 的。
[0045] 随后，采用如下的公式（1)计算样品的赛贝克系数：
[0046]
[0047] 其中，AV是热电压的变化值，AT是温度变化值，S代表热电压随温度的变化速 率。优选地，通过使用步进温度扫描法和在等温条件下测量获得的电阻值从而对温度值进 行校正。
[0048] 优选地，为保证测量的准确性，对包含上述测量结构的0TFT测量需置于高真空条 件下，例如真空度大于（也即测试腔室内气压小于）1. 0X1(T中a。
[0049] 在本发明的一个实施例中，首先，利用电子束蒸发工艺，在带有200nm厚Si化的绝 缘层的Si衬底上，磁控瓣射200nm的Au薄膜作为金属栅电极；然后，利用化学沉积方法在 金属栅电极上沉积PMMA绝缘层；然后采用化学气相沉积法将有机材料转移到PMMA绝缘层； 然后利用磁控瓣射方法在有机材料的侧面沉积四个厚度为200nm的温度传感器连接线，其 间隔为50ym;最后用磁控瓣射法制备两个厚度为200nm的用于控制材料温度的金属线。在 制备好器件后，使用Keithley6221型电流源测量温度传感器连接线的电阻值，然后用电阻 温度系数把测量的电阻值转换成温度值；使用2182A型毫微伏特计测量温度传感器连接线 热电压；最后通过上述公式（1)计算出材料的赛贝克系数。
[0化0] 此外，虽然本申请附图1公开了底栅结构的OTFT测量结构，但是本申请也同样可W适用于顶栅结构的OTFT，例如栅电极、栅绝缘层分布在有机半导体有源层之上。
[0化1] 依照本发明的测量结构、制备方法和测量方法，在有机半导体层源漏两侧形成多 个温度传感器连接线、W及分别连接至源漏两侧温度传感器连接线的温度控制线，通过四 端接触法测量样品的温度和电压进而测算样品的赛贝克系数，W高效低成本方式提高了测 量精度。
[0052]尽管已参照一个或多个示例性实施例说明本发明，本领域技术人员可W知晓无需 脱离本发明范围而对器件结构或方法流程做出各种合适的改变和等价方式。此外，由所公 开的教导可做出许多可能适于特定情形或材料的修改而不脱离本发明范围。因此，本发明 的目的不在于限定在作为用于实现本发明的最佳实施方式而公开的特定实施例，而所公开 的器件结构及其制造方法将包括落入本发明范围内的所有实施例。
【主权项】
1. 一种测量结构，包括绝缘衬底、栅电极、栅绝缘层、有机半导体材料的有源层，其中， 多个温度传感器连接线分别连接至有源层的源漏区，多个温度控制线分别连接至与源漏区 相连的多个温度传感器连接线的一部分。2. 如权利要求1的测量结构，其中，绝缘衬底材料为表面带绝缘层的半导体衬底、SOI 衬底、A1N、蓝宝石、玻璃、塑料；任选地，栅电极和/或温度传感器连接线和/或温度控制线 的材料为金属、所述金属的合金、所述金属的导电氧化物、所述金属的导电氮化物、所述金 属的导电娃化物，可选地，所述金属选自Pt、Au、W、Pd、Cu、Ag、Ni、Al、Ti、Ta、Co、Ir、Zn的 任一种或其组合；任选地，栅绝缘层材料为PMMA。3. 如权利要求1的测量结构，其中，栅电极和/或温度传感器连接线和/或温度控制线 的宽度为1~2mm，厚度为100~500nm;任选地，绝缘衬底厚度为1~IOmm04. 如权利要求1的测量结构，其中，有源层长度为1~10mm，宽度为IOOym~1mm，厚 度为 500 ~lOOOnm。5. 如权利要求1的测量结构，其中，相邻温度传感器连接线之间间距为10~500ym; 任选地，相邻温度控制线之间间距为IOOnm~500ym。6. -种测量结构制备方法，包括： 在绝缘衬底上形成栅电极、栅绝缘层、有机半导体材料的有源层； 在绝缘衬底上形成多个温度传感器连接线，分别连接至有源层的源漏区； 在绝缘衬底上形成多个温度控制线，分别连接至与源漏区相连的多个温度传感器连接 线的一部分。7. 如权利要求6的测量结构制备方法，其中，栅电极和/或多个温度传感器连接线和 /或多个温度控制线的制备方法为电子束蒸发、化学气相沉积、脉冲激光沉积、原子层沉积、 磁控溅射方法；任选地，栅绝缘层制备方法为电子束蒸发、化学气相沉积、脉冲激光沉积、原 子层沉积、磁控溅射、喷涂、丝网印刷、凝胶-溶胶；任选地，有源层制备方法为机械剥离、化 学气相沉积。8. -种使用如权利要求1的测量结构测量有机半导体材料赛贝克系数的方法，包括： 使用四端接触法测量所述测量结构的有机半导体材料的电阻值； 将测得电阻值转换成有机半导体材料的温度值T; 测量温度传感器连接线的热电压V; 采用公式S=AV/AT计算有机半导体材料的赛贝克系数。9. 如权利要求8的方法，其中，通过使用步进温度扫描法和在等温条件下测量获得的 电阻值对温度值进行校正。10. 如权利要求8的方法，其中，所述测量结构置于高真空条件下。
【专利摘要】一种测量结构，包括绝缘衬底、栅电极、栅绝缘层、有机半导体材料的有源层，其中，多个温度传感器连接线分别连接至有源层的源漏区，多个温度控制线分别连接至与源漏区相连的多个温度传感器连接线的一部分。依照本发明的测量结构、制备方法和测量方法，在有机半导体层源漏两侧形成多个温度传感器连接线、以及分别连接至源漏两侧温度传感器连接线的温度控制线，通过四端接触法测量样品的温度和电压进而测算样品的赛贝克系数，以高效低成本方式提高了测量精度。
【IPC分类】H01L51/05, H01L51/40, H01L23/544, H01L21/66
【公开号】CN104900557
【申请号】CN201510226906
【发明人】卢年端, 李泠, 刘明, 高南, 徐光伟, 王伟
【申请人】中国科学院微电子研究所
【公开日】2015年9月9日
【申请日】2015年5月7日