f)更显著改善的结果。典型 磊晶结构（印itaxy structure)和增强抗静电放电型磊晶结构两者都提供显著改善的静电 放电（ESD)良率。尤其，易受静电放电（ESD)影响的典型磊晶结构表现出99%或更佳的高 静电放电（ESD)良率。
[0084]图8是依照本发明的一典型实施例的一种发光二极管芯片的剖面图。为了参考的 缘故，图8对应于沿着图1的线C-C所截取的剖面图（图4)。
[0085] 参照图8,除了一部分的第一电极垫35配置在第一延伸的端部37b的上方之外， 此发光二极管芯片大致上类似于参考图1至图4所述的发光二极管芯片。尤其，连接到反 向并联二极管部分（Rd)中的第一导电型氮化物半导体层25b的第一延伸的端部37b的至 少一部分配置在第一电极垫35的下方。第一延伸的端部37b通过绝缘层39与第一电极垫 35绝缘。
[0086] 依照这典型实施例，因为没有必要在水平方向上分开第一电极垫35与端部37b， 所以能够提供一种其反向并联二极管部分（Rd)具有较小的尺寸且其第一电极垫35的面积 与依照上述典型实施例的发光二极管芯片的面积相同的发光二极管芯片。此外，能够从依 照图8所示的典型实施例的发光二极管芯片与依照图4所示的典型实施例的发光二极管芯 片之间的比较看出，可增加发光二极管部分（Ld)的大小且减少反向并联二极管部分（Rd) 的大小。结果，能够最小化发光二极管部分（Ld)所减少的发光面积，且在单一发光二极管 芯片中形成反向并联二极管部分（Rd)。
[0087] 图9是依照本发明的一典型实施例的一种发光二极管芯片的局部平面示意图，而 图10则是沿着图9的线D-D所截取的剖面图。在图9的平面图中，将放大图1的反向并联 二极管部分（Rd)及围绕反向并联二极管部分（Rd)的一部分的发光二极管部分（Ld)。
[0088] 参照图9及图10,除了发光二极管芯片包括反射器133a、133b之外，此发光二极管 芯片大致上类似于参考图1至图4所述的发光二极管芯片。
[0089] 反射器133a、133b可以是由绝缘层所构成的分布式布拉格反射器。可通过交替 堆叠具有不同折射率的介电层（dielectric layer)来形成分布式布拉格反射器（DBR)结 构。例如，可通过重复堆叠二氧化钛/二氧化硅（Ti02/Si0 2)、五氧化二铌/二氧化硅（Nb2O5/ SiO2)或二氧化铪/二氧化硅（Hf0 2/Si02)来形成分布式布拉格反射器（DBR)结构。此外， 分布式布拉格反射器（DBR)结构可通过薄膜设计来最大化反射，此种设计适用于考虑到要 反射的光的光谱分布（spectrum distribution)的中心波长（central wavelength)，从而 防止因使用单膜二氧化硅（Si02)等而吸收光所导致的光损耗。
[0090] 反射器133a配置在第二延伸37a与发光二极管部分（Ld)之间，并且使第二延伸 37a与发光二极管部分（Ld)的侧面绝缘。此外，反射器133a可当作参考图1至图4所述的 电流阻挡层33a。例如，类似于电流阻挡层33a，反射器133a可配置在第一透明电极层31a 与位于第二电极垫37及第二延伸37a底下的第二导电型氮化物半导体层29a之间。此外， 反射器133a可覆盖一部分的反向并联二极管部分（Rd)。例如，如图9所示，反射器133a可 覆盖反向并联二极管部分（Rd)的第一导电型氮化物半导体层25b的一部分。
[0091]换言之，反射器133a覆盖一部分的反向并联二极管部分（Rd)，并且可延伸至发光 二极管部分（Ld)，以使第二延伸37a与发光二极管部分（Ld)的侧面绝缘。
[0092] 另一方面，反射器133b覆盖一部分的反向并联二极管部分（Rd)且延伸至发光二 极管部分（Ld)，以使第一延伸35a与发光二极管部分（Ld)的第二导电型氮化物半导体层 29a绝缘。亦即，在第一延伸35a通过发光二极管部分（Ld)的上部的结构中，反射器133b 配置在第一延伸35a与第二导电型氮化物半导体层29a之间，以防止第一延伸35a与第二 导电型氮化物半导体层29a之间发生短路（short circuit)。此外，第一延伸35a与第一透 明电极层31a电性绝缘。
[0093] 并且，如图9所示，反射器133b通过覆盖反向并联二极管部分（Rd)及发光二极管 部分（Ld)的侧面使第一延伸35a与反向并联二极管部分（Rd)的侧面及发光二极管部分 (Ld)的侧面绝缘。反射器133a可当作参考图1至图4所述的绝缘层33b。
[0094] 当光从发光二极管部分（Ld)射出时，反射器133a、133b可防止因第一延伸35a及 第二延伸37a吸收光而导致的光损耗。尤其，一些从发光二极管部分（Ld)射出的光被导向 第一延伸35a及第二延伸37a，并且被反射器133a、133b反射而返回进入发光二极管部分 (Ld)。此后，反射的光可经由发光二极管部分（Ld)的其他部分射向外部。
[0095] 在这典型实施例中，第一延伸35a和第二延伸37a当中至少一个可还包括形成于 其上侧的反射金属层137,如图10所示。反射金属层137通过反射进入第一延伸35a及/ 或第二延伸37a的上侧的光来减少光损耗。例如，当从发光二极管部分（Ld)射出的光入射 在配置于反向并联二极管部分（Rd)上的第一延伸35a及/或第二延伸37a时，反射金属层 137将反射此光。反射金属层137可由例如镍（Ni)、错（Al)、银（Ag)、铑（Rh)、铂（Pt)或其 组合构成。
[0096] 图11是依照本发明的一典型实施例的一种发光二极管芯片的局部平面图，而图 12和图13则分别是沿着图11的线E-E和线F-F所截取的剖面图。
[0097] 参照图11至图13,除了发光二极管芯片还包括反射器1331之外，发光二极管芯片 大致上类似于参考图9及图10所述的发光二极管芯片。反射器133r的构成材料及制程可 与反射器133a、133b的构成材料及制程相同。
[0098] 反射器1331覆盖反向并联二极管部分（Rd)，以便包围第一电极垫35。反射器 133r具有借以暴露与第二延伸37a的端部37b连接的第一导电型氮化物半导体层25b的孔 133h〇
[0099] 如图13所示，反射器1331实质上可覆盖围绕第一电极垫35的第二导电型氮化物 半导体层29b的整个区域。此外，反射器133r可覆盖反向并联二极管部分（Rd)的侧面。
[0100] 反射器1331可反射从发光二极管部分（Ld)射出且朝反向并联二极管部分（Rd) 行进的光，从而防止此光再度进入反向并联二极管部分（Rd)。此外，如以下所述，反射器 133r可反射从发光二极管封装的模制部分（molding section)或磷光体（phosphor)进入 反向并联二极管部分（Rd)的光，因而改善发光效率。
[0101] 图14是依照本发明的又另一实施例的一种发光二极管封装的剖面图。
[0102] 参照图14,发光二极管封装包括具有芯片安装面、发光二极管芯片100、至少两条 导线（lead) 111、113 及焊线 115 的芯片安装构件（chip mounting member) 110。
[0103] 对于芯片安装构件110,可使用能够安装发光二极管芯片100于其上的任何构 件。例如，芯片安装构件110可以是导线架（lead frame)型封装体、印刷电路板（printed circuit board)等。发光二极管芯片100可以是参考图1至图4所述的发光二极管芯片、 参考图6所述的发光二极管芯片、参考图9及图10所述的发光二极管芯片或参考图11至 图13所述的发光二极管芯片，因而将省略其详细说明。
[0104] 发光二极管芯片的第一电极垫35及第二电极垫37经由焊线115电性连接到导线 111、113〇
[0105] 图15是依照本发明的一典型实施例的一种发光二极管封装的剖面图。
[0106] 参照图15,发光二极管封装包括具有芯片安装面的芯片安装构件110及发光二极 管芯片100。此外，发光二极管封装可包括至少两条导线111、113、焊线115及模制部分117。 发光二极管封装可还包括波长转换器（wavelength converter)(未示出）。
[0107] 除了依照本实