前，可使一种或更多种流体流进处理腔室中以对容器加压。取决于所需的加压程度，可相应地调整关闭第一压力调节装置与打开第二压力调节装置之间的时间，并且由与处理腔室耦合的一个或更多个压力测量装置来调节。此外，在操作期间，可使一种或多种流体连续地流动，并且可在切换调节装置和系统加压的同时维持这一种或多种流体流动。
[0056]虽然在某些配置中，可在用于所述工艺的系统内使用单个压力调节装置，但是此类装置可能无法在两个压力范围内提供足够的精度。例如，如果第一压力范围在约O托与约0.1托之间，并且第二压力范围在约2托与约10托之间，则由于两个分开的压力调节装置以分别的操作范围来设计尺寸，因此单个的压力调节装置可能无法提供相同的控制质量。此外，在所述配置中所利用的栗中的一个或更多个可能不是跨整个范围都适用的，并且栗中的一个或更多个可能受损或在压力范围中的任一个范围下都无法适当地执行。因此，栗和压力调节装置可与处理腔室耦合，以允许在两个或多于两个压力范围下的精确控制，而同时保护与系统耦合的栗和装置。
[0057]系统还可包含一个或更多个压力测量装置，这一个或更多个压力测量装置将压力信息提供给一个或更多个压力调节装置。系统可包含多个压力测量装置，这些压力测量装置经配置以提供各种操作压力下腔室内的精确的压力测量。例如，压力测量装置可包含第一装置和第二装置，其中，第一装置在约0.1托或低于约0.1托下进行测量，第二装置在约10托或低于约10托下进行测量。通过具有较窄的操作范围，可提供更精确的压力测量，以实现由压力调节装置进行的改善的控制。
[0058]在前面的描述中，出于解释的目的，已记载了众多细节以提供对当前技术的各种实施例的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，可以在没有这些细节中的某些细节的情况下或可以利用另外细节来实践某些实施例。
[0059]已公开了若干实施例，本领域技术人员将领会，可使用各种修改、替代的构造和等效方案而不背离所公开实施例的精神。此外，未描述数个公知工艺和元件以避免不必要地混淆当前的技术。因此，不应当将以上描述视为限制当前技术的范围。
[0060]在提供了数值范围的情况下，应当理解，除非上下文另外清楚地指出，否则也专门公开了在所述范围的上限与下限之间的、到下限单位的最小分数的每一个介于中间的值。涵盖了在任何陈述的值之间的任何较窄的范围或在所陈述范围中未陈述的介于中间的值以及在所述陈述的范围中的任何其他陈述的或介于中间的值。那些较小范围的上限与下限可独立地被包含于所述范围中或被排除在所述范围外，并且在上下限中的任一个、两者都不或两者都被包含在较小范围中的每一个范围也涵盖在当前的技术中，服从于所陈述范围内的任何专门排除的限制。在所陈述的范围包含上下限中的任一者或两者时，也包含排除那些所包含的上下限中的任一者或两者的范围。
[0061 ] 如在本文和所附权利要求书中所使用，单数形式“一”(“a”，“an” )和“所述”(“the”)包含复数个引用，除非上下文另外清楚地指出。因此，例如引用“一孔”包含多个此类孔，而引用“所述流体管线”包含引用一个或更多个流体管线以及为本领域技术人员所知的这一个或更多个流体管线的等效物，以此类推。
[0062]此夕卜，当在本说明书及所附权利要求中使用时，词“包括，，(“comprise”，“comprising”)、“含有，，(“contain”，“containing”)以及“包含”(“include”，“including”)旨在指明所陈述的特征、整体、部件或步骤的存在，但它们并不排除一个或更多个其他特征、整体、部件、步骤、动作或组的存在或附加。
【主权项】
1.一种半导体处理系统，包括: 处理腔室； 第一压力调节装置，所述第一压力调节装置与所述处理腔室耦合； 第二压力调节装置，所述第二压力调节装置与所述处理腔室耦合，并且与所述第一压力调节装置分开； 第一栗，所述第一栗与所述第一压力调节装置流体地耦合，并且与所述第二压力调节装置流体地隔离；以及 第二栗，所述第二栗与所述第二压力调节装置流体地耦合。2.如权利要求1所述的半导体处理系统，进一步包括: 至少一个第一压力测量装置，所述至少一个第一压力测量装置与所述处理腔室耦合，并且经配置以将信息提供给所述第一压力调节装置。3.如权利要求2所述的半导体处理系统，进一步包括: 至少一个第二压力测量装置，所述至少一个第二压力测量装置与所述处理腔室耦合，并且经配置以将信息提供给所述第二压力调节装置。4.如权利要求1所述的半导体处理系统，其中，所述第一压力调节装置经配置以在第一压力范围内调节处理腔室压力。5.如权利要求4所述的半导体处理系统，其中，所述第一压力范围为约5托或低于约5托。6.如权利要求5所述的半导体处理系统，其中，所述第一压力范围为约I托或低于约I托。7.如权利要求1所述的半导体处理系统，其中，所述第二压力调节装置经配置以在第二压力范围内调节处理腔室压力。8.如权利要求7所述的半导体处理系统，其中，所述第二压力范围为约0.1托或高于约0.1 托。9.如权利要求8所述的半导体处理系统，其中，所述第二压力范围为约I托或高于约I托。10.如权利要求1所述的半导体处理系统，其中，当所述第一压力调节装置是打开的时候，所述第二压力调节装置配置为是关闭的。11.如权利要求1所述的半导体处理系统，其中，当所述第二压力调节装置是打开的时候，所述第一压力调节装置配置为是关闭的。12.一种半导体处理系统，包括: 处理腔室； 第一压力调节装置，所述第一压力调节装置沿第一流体管线与所述处理腔室耦合；第二压力调节装置，所述第二压力调节装置沿第二流体管线与所述处理腔室耦合，并且与所述第一压力调节装置分开； 第一栗，所述第一栗沿所述第一流体管线与所述第一压力调节装置流体地耦合；以及 第二栗，所述第二栗与所述第二压力调节装置流体地耦合。13.如权利要求12所述的半导体处理系统，其中，所述第二栗与所述第一压力调节装置流体地耦合。14.如权利要求13所述的半导体处理系统，其中，所述第二栗与第三流体管线流体地耦合，所述第三流体管线与所述第一流体管线和所述第二流体管线两者流体地耦合。15.如权利要求12所述的半导体处理系统，进一步包括: 至少一个第一压力测量装置，所述至少一个第一压力测量装置与所述处理腔室耦合，并且经配置以将信息提供给所述第一压力调节装置。16.如权利要求15所述的半导体处理系统，进一步包括: 至少一个第二压力测量装置，所述至少一个第二压力测量装置与所述处理腔室耦合，并且经配置以将信息提供给所述第二压力调节装置。17.一种操作半导体处理系统的方法，所述方法包括以下步骤: 利用第一压力调节装置来操作与半导体处理腔室耦合的第一流体栗，以便产生第一压力范围内的处理腔室压力； 关闭所述第一压力调节装置； 利用第二压力调节装置来操作与所述半导体处理腔室耦合的第二流体栗；以及 打开所述第二压力调节装置，以便产生第二压力范围内的处理腔室压力。18.如权利要求17所述的方法，其中，所述第一压力范围为约I托或高于约I托，并且所述第二压力范围为约I托或低于约I托。19.一种操作半导体处理系统的方法，所述方法包括以下步骤: 利用第一压力调节装置来操作与半导体处理腔室耦合的第一流体栗，以便产生第一压力范围内的处理腔室压力； 关闭所述第一压力调节装置； 使流体流进所述处理腔室；以及 操作与所述半导体处理腔室耦合的第二压力调节装置，以便在第二压力范围内调节所述处理腔室。20.如权利要求19所述的方法，其中，所述第一压力范围为约I托或低于约I托，并且所述第二压力范围为约I托或高于约I托。
【专利摘要】示例性半导体处理系统可包含处理腔室以及与所述处理腔室耦合的第一压力调节装置。第二压力调节装置也可与处理腔室耦合，并且与第一压力调节装置分开。第一泵可与第一压力调节装置流体地耦合，并且可与第二压力调节装置流体地隔离。第二流体泵可与第二压力调节装置流体地耦合。
【IPC分类】H01L21/02
【公开号】CN105122424
【申请号】CN201480021529
【发明人】S·G·别洛斯托茨基, A·恩古耶, J·迪恩, Y-s·林
【申请人】应用材料公司
【公开日】2015年12月2日
【申请日】2014年4月8日
【公告号】US20140311581, WO2014172142A1