一种膜层图案化的方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种膜层图案化的方法。
【背景技术】
[0002]目前，显示基板内部的重要部件包括多种具有图案的膜层，在膜层图案化的制作过程中，环境或者设备中的悬浮颗粒会落在待图案化膜层的表面。在采用干刻工艺对待图案化膜层进行刻蚀处理时，由于悬浮颗粒的遮挡，在悬浮颗粒下方的膜层不能被刻蚀掉，会在悬浮颗粒物下方留下该膜层的残留物，产生膜层图案化的残留物不良。
[0003]例如在制作阵列基板中的薄膜晶体管的有源层时，在对形成有待图案化的有源层a-Si薄膜上的光刻胶层PR进行曝光显影后得到图案化光刻胶层PR，如图la所示，环境或者干刻设备中的悬浮颗粒会落在待图案化的有源层a-Si薄膜表面起到掩模的作用。在进行干刻过程中，如图lb所示，悬浮颗粒造成下方的有源层a-Si薄膜不会被刻蚀掉；如图lc所示，在图案化光刻胶层被剥离后，在有源层a-Si图案中产生了刻蚀残留物(虚线框所示)。根据刻蚀残留物在阵列基板的具体位置，如图1d所示刻蚀残留物有可能会连接有源层a-Si和像素电极ΙΤ0，也有可能会连接数据线和像素电极，造成亮点，严重影响产品的品质。
[0004]因此，如何在干刻工艺过程中避免产生刻蚀残留物，是本领域技术人员亟待解决的技术问题。
【发明内容】
[0005]有鉴于此，本发明实施例提供了一种膜层图案化的方法，用以解决现有的膜层图案化方法会在图案化膜层上产生刻蚀残留物的问题。
[0006]因此，本发明实施例提供了一种膜层图案化的方法，包括:
[0007]对待图案化膜层进行干刻处理形成图案化膜层；
[0008]去除所述图案化膜层上覆盖的悬浮颗粒；
[0009]对去除悬浮颗粒后的所述图案化膜层再次进行干刻处理，形成膜层的最终图案。
[0010]在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述方法中，在所述对待图案化膜层进行干刻处理形成图案化膜层之前，还包括:
[0011]在待图形化膜层上涂覆光刻胶；
[0012]对所述光刻胶进行曝光显影，在所述待图形化膜层上形成图案化光刻胶层。
[0013]在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述方法中，所述对待图案化膜层进行干刻处理形成图案化膜层，具体包括:
[0014]以覆盖在所述待图案化膜层上的图案化光刻胶层为掩模，对所述待图案化膜层进行干刻处理，形成图案化膜层。
[0015]在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述方法中，所述图案化光刻胶层的图案与所述膜层的最终图案一致。
[0016]在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述方法中，所述去除所述图案化膜层上覆盖的悬浮颗粒，具体包括:对所述图案化膜层进行清洗处理。
[0017]在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述方法中，所述清洗处理具体包括:液体清洗或气体清洗。
[0018]在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述方法中，所述图案化光刻胶层包括:覆盖所述膜层的最终图案的光刻胶完全保留区域，以及覆盖独立于所述膜层的最终图案之外区域的光刻胶部分保留区域。
[0019]在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述方法中，所述去除所述图案化膜层上覆盖的悬浮颗粒，具体包括:
[0020]对所述图案化光刻胶层进行灰化处理，去除所述图案化光刻胶层中的光刻胶部分保留区域。
[0021 ] 在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述方法中，所述对去除悬浮颗粒后的所述图案化膜层再次进行干刻处理，形成膜层的最终图案，具体包括:
[0022]以经灰化处理后的所述光刻胶全部保留区域为掩模，对所述图案化膜层进行干刻处理，形成膜层的最终图案。
[0023]在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述方法中，所述待图案化膜层为有源层、欧姆接触层、源漏电极、像素电极层、公共电极层或触控电极层。
[0024]本发明实施例的有益效果包括:
[0025]本发明实施例提供的一种膜层图案化的方法，在对待图案化膜层进行干刻处理形成图案化膜层时，由于可能存在的悬浮颗粒的遮挡，在悬浮颗粒下方的膜层不会被刻蚀掉而产生刻蚀残留物，因此，通过去除图案化膜层上覆盖的悬浮颗粒，可以将刻蚀残留物上方的悬浮颗粒移位或完全去除，之后对去除悬浮颗粒后的图案化膜层再次进行干刻处理时将刻蚀残留物刻蚀掉，在形成的膜层的最终图案中完全避免了刻蚀残留物的产生，从而提高了产品良率，保证了产品的品质。
【附图说明】
[0026]图la至图1d分别为现有技术中有源层图案化的方法中各步骤执行后的侧视结构示意图；
[0027]图2为本发明实施例提供的膜层图案化的方法的流程示意图之一；
[0028]图3为本发明实施例提供的膜层图案化的方法的流程示意图之二 ；
[0029]图4为本发明实施例提供的实例一的流程示意图；
[0030]图5a至图5d分别为实例一的方法中各步骤执行后的侧视结构示意图；
[0031]图6为本发明实施例提供的实例二的流程示意图；
[0032]图7a至图7d分别为实例二的方法中各步骤执行后的侧视结构示意图；
[0033]图8a至图8d分别为实例二的方法中各步骤执行后的俯视结构示意图。
【具体实施方式】
[0034]下面结合附图，对本发明实施例提供的膜层图案化的方法的【具体实施方式】进行详细地说明。
[0035]附图中各膜层的厚度和形状不反映膜层图案的真实比例，目的只是示意说明本
【发明内容】
。
[0036]本发明实施例提供了一种膜层图案化的方法，如图2所示，包括:
[0037]S201、对待图案化膜层进行干刻处理形成图案化膜层；
[0038]S202、去除图案化膜层上覆盖的悬浮颗粒；
[0039]S203、对去除悬浮颗粒后的图案化膜层再次进行干刻处理，形成膜层的最终图案。
[0040]本发明实施例提供的上述膜层图案化的方法，在对待图案化膜层进行干刻处理形成图案化膜层时，由于可能存在的悬浮颗粒的遮挡，在悬浮颗粒下方的膜层不会被刻蚀掉而产生刻蚀残留物，因此，通过去除图案化膜层上覆盖的悬浮颗粒，可以将刻蚀残留物上方的悬浮颗粒移位或完全去除，之后对去除悬浮颗粒后的图案化膜层再次进行干刻处理时将刻蚀残留物刻蚀掉，在形成的膜层的最终图案中完全避免了刻蚀残留物的产生，从而提高了产品良率，保证了产品的品质。
[0041]在具体实施时，在本发明实施例提供的上述膜层图案化的方法中，在执行步骤S201在对待图案化膜层进行干刻处理形成图案化膜层之前，如图3所示，一般还会执行以下步骤:
[0042]S301、在待图形化膜层上涂覆光刻胶；
[0043]S302、对光刻胶进行曝光显影，在待图形化膜层上形成图案化光刻胶层。
[0044]在具体实施时，本发明实施例提供的上述方法中的步骤S301中对光刻胶进行曝光显影，具体可以采用掩膜板图形对光刻胶进行曝光显影。并且，依据掩膜板图形的不同，形成的图案化光刻胶层的图案可以具体有两种，一种是图案化光刻胶层的图案与膜层的最终图案一致；另一种是图案化光刻胶层包括两部分，一部分是覆盖膜层的最终图案的光刻胶完全保留区域，另一部是分覆盖独立于膜层的最终图案之外区域的光刻胶部分保留区域。
[0045]具体地，可以采用具有完全透光区域和完全遮光区域两部分组成的掩膜板对光刻胶进行曝光显影，以形成与膜层的最终图案一致的图案化光刻胶层的图案。
[0046]具体地，可以采用具有完全透光区域、部分透光区域和完全遮光区域三部分组成的掩膜板对光刻胶进行曝光显影，以形成同时具有光刻胶完全保留区域和光刻胶部分保留区域的图案化光刻胶层。并且，在具体实施时，该掩膜板可以选择使用半色调掩膜板、灰色调掩膜板或者具有狭缝的掩膜板，在此不做限定。
[0047]在具体实施时，在本发明实施例提供的上述方法中的步骤S201对待图案化膜层进行干刻处理形成图案化膜层时，以覆盖在待图案化膜层上的图案化光刻胶层为掩模，对待图案化膜层进行干刻处理，形成图案化膜层。
[0048]具体地，在图案化光刻胶层的图案与膜层的最终图案一致时，步骤S201对待图案化膜层进行干刻处理后，形成的图案化膜层理论上应与膜层的最终图案一致，但是由于悬浮颗粒的遮挡，在悬浮颗粒下方的膜层不会被刻蚀掉而产生刻蚀残留物，因此，干刻处理后形成的图案化膜层除了包含与膜层的最终图案一致的膜层区域之外，还会包括刻蚀残留物。
[0049]因此，在执行本发明实施例提供的上述方法中的步骤S201去除图案化膜层上覆盖的悬浮颗粒时，具体可以采用对图案化膜层进行清洗处理的方式完全清洗掉或移动悬浮颗粒，以露出悬浮颗粒下方的刻蚀残留物，以便在执行步骤S203对图案化膜层再次进行干刻处理时，去掉刻蚀残留物后形成膜层的最终图案。
[0050]具体地，上述对图案化膜层进行清洗处理在具体实施时，该清洗处理具体可以包括:液体清洗或气体清洗。例如采用清水冲洗悬浮颗粒或采