切割用载具及切割方法
【技术领域】
[0001]本发明有关于一种切割用载具及切割方法，尤指一种具有凹槽结构的切割用载具及应用该切割用载具的切割方法。
【背景技术】
[0002]现有的用于切割晶圆、装置晶圆(device wafer)或已封装装置晶圆的切割(dicing)技术的主要步骤通过先将例如晶圆、装置晶圆(device wafer)或已封装装置晶圆的待切割物接置于一切割胶带(dicing tape)上，接着，以红外线(IR)摄影机辨识切割路径(scribe line)的预设位置，并以刀具沿该切割路径切割该待切割物，此时，该切割胶带亦受到刀具部分切割而受损，再以紫外光(UV)照射该切割胶带以去除其粘性，最后，以机器手臂个别从该切割胶带上取下经切割的该待切割物。
[0003]然而，因电子产品目前均趋向于轻、薄、短小，遂发展出例如3D-1C等较为复杂且精密的封装技术，而前述现有的切割技术所使用的切割胶带仅为暂时的与无法重复使用的，且前述高阶封装技术常需要能双面电路导通、能搬运薄化基材的较硬及耐高温的切割用载具，故现有的切割胶带的制程仅能单独进行而无法同时进行封装制程，进而需与封装制程分开进行，增加了封装制程的步骤、复杂度及成本。
[0004]因此，如何避免上述现有技术中的种种问题，实为目前业界所急需解决的课题。
【发明内容】
[0005]有鉴于上述现有技术的缺失，本发明提供一种切割用载具及切割方法，能有效节省制程时间与成本。
[0006]本发明的切割用载具包括:板体，其一表面用于接置待切割物；以及凹槽结构，其形成于该板体的该表面上。
[0007]本发明还提供一种切割方法，包括:于一切割用载具上接置待切割物，该待切割物具有切割路径，该切割用载具包括:板体，其一表面接置该待切割物；及凹槽结构，其形成于该板体的该表面上，且该凹槽结构的位置对应该待切割物的切割路径；沿该切割路径切割该待切割物；以及移除该切割用载具。
[0008]由上可知，本发明的切割用载具预先形成有对应待切割物的切割路径的凹槽结构，所以后续切割时不会损伤该切割用载具，而能重复使用该切割用载具，以节省成本；此夕卜，本发明的切割用载具的材质坚硬且耐高温，故切割制程可与许多封装制程并行进行，进而简化制程步骤与成本；况且，本发明还可形成有凹部，并将导电元件置于内部，以于切割时保护该导电元件免于受到损伤；此外，本发明的板体的另一表面也可做为一般用途的载具。
【附图说明】
[0009]图1A至图1G所示者为本发明的切割方法的剖视图。
[0010]图2A至图2F所示者为本发明的切割方法的各种变化例的剖视图，其中，图2B’为图2B的另一实施例。
[0011]图3A至图3F所示者为本发明的切割方法的另一实施例的剖视图，其中，图3D-1、图3D-2与图3D-3所示者为图3D的各种变化例。
[0012]符号说明
[0013]1切割用载具
[0014]10板体
[0015]101凹槽结构
[0016]102凹部
[0017]2待切割物
[0018]20、71、74基板
[0019]20a、71a第一表面
[0020]20b、7 lb第二表面
[0021]201导电柱
[0022]21线路层
[0023]22、23凸块底下金属层
[0024]24、72导电元件
[0025]30粘着层
[0026]4中介板
[0027]5、73晶片
[0028]6封装基板
[0029]75封装胶体
[0030]76第一晶片
[0031]77第二晶片。
【具体实施方式】
[0032]以下藉由特定的具体实施例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本发明的其他优点及功效。
[0033]须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用于配合说明书所揭示的内容，以供本领域技术人员的了解与阅读，并非用于限定本发明可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本发明所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本发明所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的用语亦仅为便于叙述的明了，而非用于限定本发明可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更技术内容下，当也视为本发明可实施的范畴。
[0034]图1A至图1G所示者，为本发明的切割方法的剖视图。
[0035]如图1A所示，提供一切割用载具1，该切割用载具1包括板体10与凹槽结构101，且该凹槽结构101形成于该板体10的一表面上，形成该板体10的材质为玻璃、半导体、陶瓷或金属，举例来说，该板体10可为晶圆。
[0036]如图1B所7K,提供一具有相对的第一表面20a与第二表面20b的基板20,该基板20具有嵌埋且外露于该第一表面20a的多个导电柱201,于该第一表面20a上形成有电性连接该等导电柱201的线路层21，于该线路层21上形成有凸块底下金属层(Under BumpMetallurgy,简称UBM) 22，该基板20、线路层21与凸块底下金属层22构成一待切割物2，并藉由粘着层30于该线路层21上连接该板体10的该表面，该凹槽结构101朝向该线路层21，且该凹槽结构101的位置对应该待切割物2的切割路径。
[0037]如图1C所示，从该基板20的第二表面20b侧移除该基板20的部分厚度，以外露该等导电柱201的一端。
[0038]如图1D所不，于该基板20的第二表面20b侧的导电柱201上形成凸块底下金属层(Under Bump Metallurgy,简称UBM) 23,并于该凸块底下金属层23上形成导电元件24,该导电元件24例如焊球。
[0039]如图1E所示，沿该切割路径切割该待切割物2，且该切割用载具1未受到切割。
[0040]如图1F所示，移除该切割用载具1与粘着层30，至此即得到多个中介板(interposer)4。
[0041]如图1G所示，其为经切割的待切割物的后续应用例，于该中介板4的相对两表面上分别接置晶片5与封装基板6。
[0042]图2A至图2F所示者，为本发明的切割方法的各种变化例的剖视图，其中，图2B’为图2B的另一实施例。
[0043]如图2A所示，除了前述的中介板4的情况外，该待切割物2也可为例如晶圆或封装基板的基板71，且该晶圆可包含多个积体电路晶粒(IC die)。
[0044]如图2B所示，其为衍生自图2A，该待切割物2具有连接该板体10的一表面的第一表面71a及与其相对的第二表面71b，该待切割物2还包括设于该第二表面71b上的多个导电元件72，该导电元件72可为焊球。
[0045]或者，如图2B’所示，图2B的待切割物2藉由该等导电元件72接置于该板体10上。
[0046]如图2C所示，其衍生自图2B，该待切割物2还包括设于该等导电元件72上的多个晶片73。
[0047]如图2D所示，该待切割物2可为封装件，该待切割物2包括接置于该板体10的一表面上的多个基板74、接置于该基板74上的多个晶片73及形成于该板体10的该表面上且包覆该等基板74与晶片73的封装胶体75，该基板74可为晶片或中介板等。
[0048]如图2E所示，该待切割物2可为封装件，该待切割物2包括形成于该板体10的一表面上的封装胶体75、设于该封装胶体75中的多个晶片73及一设于该封装胶体75上且电性连接该等晶片73的基板71。
[0049]如图2F所示，其衍生自图2E，该待切割物2可为封装件，该基板71具有连接该封装胶体75的第一表面71a及与其相对的第二表面71b，该待切割物2还包括设于该基板71的第二表面71b上的多个导电兀件72,该导电兀件72可为焊球。
[0050]要补充说明的是，于图2A至图2F中，该板体10的表面上与其凹槽结构101中可形成用于接着该待切割物2的粘着层(未图示)，且该粘着层可例如为UV光解胶(UV releaseadhesive)或热释放胶(thermal release adhesive)。
[0051]图3A至图3F所示者，为本发明的切割方法的另一实施例的剖视图。
[0052]如图3A所示，提供一切割用载具1，该切割用载具1包括板体10、凹槽结构101与多个凹部102，且该凹槽结构101与凹部102形成于该板体10的一表面上，形成该板体10的材质为玻璃、半导体、陶瓷或金属，举例来说，该板体10为晶圆；