此绝缘。再布线金属层I 4的裸露面通过化学镀工艺形成的镍/金层形成防氧化层I 41。
[0017]为进一步提高本发明的指纹识别传感器的封装结构的灵敏性，可以在感应区域22的上表面设置蓝宝石、陶瓷等材质的高K介电层6，其一般在50?400微米，而又以100?250为佳。高K介电层6覆盖整个封装结构的上表面，且通过介电层61与再布线金属层I 4的防氧化层I 41固定连接，如图2所示，介电层61的介电系数不大于高K介电层6介电系数。为节约成本，高K介电层6可以仅覆盖在感应区域22的上方，通过介电层61与再布线金属层I 4的防氧化层I 41固定连接，如图3所示。
[0018]指纹识别传感器芯片2的四周设置通孔11，通孔11的个数不少于电极25的个数，通孔11上下贯穿包封体1和绝缘层3。通孔11的纵截面呈梯形、矩形，其横截面呈圆形或多边形。通孔11的内壁沉积导电性能良好的金属层5，金属层5的材质包括但不限于铜。
[0019]再布线金属层II 7采用成熟的再布线工艺选择性地分布于包封体1的下表面，其下表面设置焊盘71，以便于本发明的指纹识别传感器的封装结构与PCB、MPCB等基板连接。再布线金属层II 7与对应的电极25电性连接；再布线金属层II 7不连续，其分别对应不同的电极25，并彼此绝缘。再布线金属层II 7的厚度不大于10微米。金属层5的一端与再布线金属层I 4连接，其另一端与再布线金属层II 7连接，实现电性连接，从而使指纹识别传感器的正面的电极信号外延至包封体1的背面，整体指纹识别面比较平滑，有助于提高指纹识别传感器的敏感度。同时，与传统指纹识别传感器的封装结构中的金属线相比，再布线金属层I 4和再布线金属层II 7的性能更加稳定，有助于提高指纹识别传感器的封装结构的可靠性。一般地，通孔11内金属层5与再布线金属层II 7均采用成熟的圆片级再布线工艺同时成形。
[0020]保护层8填充通孔11、覆盖再布线金属层II 7并露出焊盘71。焊盘71的裸露面设置防氧化层II 9，防氧化层II 9也可以是化学镀工艺形成的镍/金层。
[0021]本发明的指纹识别传感器的封装结构中多次应用技术成熟的金属再布线工艺，通过结构的调整设计和进一步减薄金属再布线的厚度，有效地减薄了整个封装结构的厚度，具体地，本发明的整个封装结构的厚度不大于300微米，一般地，整个封装结构的厚度不大于250微米。
[0022]本发明一种指纹识别传感器的封装结构不限于上述优选实施例，因此，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何修改、等同变化及修饰，均落入本发明权利要求所界定的保护范围内。
【主权项】
1.一种指纹识别传感器的封装结构，其包括指纹识别传感器芯片(2)，所述指纹识别传感器芯片(2 )包括硅基本体(21)、设置于硅基本体(21)的顶部中央的感应区域(22 )和环绕于感应区域(22)四周的若干个电极(25)， 其特征在于:还包括包封体(1)、绝缘层(3)和再布线金属层I (4)，所述指纹识别传感器芯片(2 )由背面嵌入包封体(1)，所述绝缘层(3 )覆盖所述感应区域(22 )和电极(25 )之外的硅基本体(21)的上表面与包封体(1)的上表面，所述再布线金属层I (4)选择性地分布于绝缘层(3)的上表面并与对应的电极(25)电性连接； 还包括通孔(11)、再布线金属层II (7 )和保护层(8 )，所述通孔(11)设置于指纹识别传感器芯片(2)的四周并上下贯穿包封体(1)和绝缘层(3)，其内壁沉积金属层(5)，所述再布线金属层II (7)选择性地分布在包封体(1)的下表面，其下表面设置若干个焊盘(71 )，所述金属层(5)的一端与再布线金属层I (4)连接，其另一端与再布线金属层II (7)连接，所述保护层(8)填充通孔(11)、同时覆盖再布线金属层II (7)并露出焊盘(71)，所述焊盘(71)的裸露面设置防氧化层II (9); 所述感应区域(22 )的上方设置介电层(61)和高K介电层(6 )，所述高K介电层(6 )通过介电层(61)与再布线金属层I (4)的防氧化层I (41)固定连接，所述高K介电层(6)的介电常数多介电层(61)的介电常数。2.根据权利要求1所述的指纹识别传感器的封装结构，其特征在于:所述通孔(11)内金属层(5)与再布线金属层II (7)为一体成形结构。3.根据权利要求1所述的指纹识别传感器的封装结构，其特征在于:所述再布线金属层I (4)的裸露面覆盖防氧化层I (41)。4.根据权利要求1所述的指纹识别传感器的封装结构，其特征在于:所述通孔(11)的纵截面呈梯形、矩形。5.根据权利要求1或4所述的指纹识别传感器的封装结构，其特征在于:所述通孔(11)的横截面呈圆形或多边形。6.根据权利要求1所述的指纹识别传感器的封装结构，其特征在于:所述硅基本体(21)的上表面与包封体(1)的上表面齐平。
【专利摘要】本发明公开了一种指纹识别传感器的封装结构，属于半导体封装技术领域。其指纹识别传感器芯片由背面嵌入包封体，所述绝缘层覆盖所述感应区域和电极之外的硅基本体的上表面与包封体的上表面，所述再布线金属层Ⅰ选择性地分布于绝缘层的表面并与对应的电极电性连接；所述通孔设置于指纹识别传感器芯片的四周并上下贯穿包封体和绝缘层，所述再布线金属层Ⅱ选择性地分布在包封体的下表面，金属层的一端与再布线金属层Ⅰ连接，其另一端与再布线金属层Ⅱ连接，所述感应区域的上方设置的高K介电层通过介电层与再布线金属层Ⅰ的防氧化层Ⅰ固定连接。本发明指纹识别传感器的封装结构实现了提高可靠性、减薄封装厚度、提高敏感度等效果。
【IPC分类】H01L23/31, G06K9/00
【公开号】CN105405816
【申请号】CN201510992192
【发明人】张黎, 龙欣江, 赖志明, 陈栋, 陈锦辉, 胡正勋
【申请人】江阴长电先进封装有限公司
【公开日】2016年3月16日
【申请日】2015年12月28日