一种无像素bank的TFT-OLED及制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示器技术领域，尤其涉及一种无像素bank的TFT-0LED及制备方法。
【背景技术】
[0002]随着显示面板朝着轻薄、低能耗、便携带的趋势发展，以有机电致发光二极管(0LED)为代表的新一代显示技术受到了越来越广泛的关注。相比于IXD显示技术，0LED具有轻薄、低功耗、低驱动电压、更良好的视角和对比度、以及更快的响应速度等优点。
[0003]0LED显示器的一个重要组成部分是TFT阵列，目前TFT-0LED显示器件的制备过程通常为:在TFT阵列制备完成后，通过一次光刻工艺在TFT阵列的S/D电极上端挖一个孔露出S/D电极，然后沉积一层ΙΤ0，随后再次通过一次光刻工艺将ΙΤ0图案化形成与TFT阵列的S/D电极相连的像素电极，但是制程较为复杂，并且由于此时的ΙΤ0在TFT阵列的平坦层上形成了一层凸起，为了防止像素电极的边缘处在制备0LED器件的过程中发生短路，因此需要额外增加一层像素界定层(像素bank)，覆盖像素电极ΙΤ0的边缘部分，这使得进一步复杂了制备工艺，增大了制备成本，此外像素bank的使用相对也减小了 TFT-0LED显示器的开口率。
[0004]因此，现有技术还有待于改进和发展。
【发明内容】
[0005]鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种无像素bank的TFT-0LED及制备方法，旨在解决现有TFT-0LED的制备方法复杂、制备成本高及开口率小的问题。
[0006]本发明的技术方案如下:
一种无像素bank的TFT-0LED的制备方法，其中，包括步骤:
A、在具有TFT阵列的基板的平坦层上沉积一层光阻，利用掩膜对光阻进行曝光，其中，对TFT阵列的S/D电极上端的待挖孔区域进行全曝光，同时对待制备像素电极的区域进行半曝光；
B、对曝光光阻进行显影，其中，全曝光区域的光阻全部去除，半曝光区域残留部分光阻；
C、利用刻蚀工艺进行刻蚀，刻蚀后露出TFT阵列的S/D电极，其中，待制备像素电极的区域形成一凹槽；
D、在凹槽内沉积像素电极；
E、剥离基板上残留的光阻，将像素电极图案化，形成嵌入平坦层的像素电极；
F、在像素电极上制备0LED发光器件，最后进行封装，得到TFT-0LED。
[0007]所述的无像素bank的TFT-0LED的制备方法，其中，所述步骤A中，所述基板为玻璃基板或柔性基板。
[0008]所述的无像素bank的TFT-0LED的制备方法，其中，所述步骤A中，通过等离子增强化学气相沉积得到所述平坦层。
[0009]所述的无像素bank的TFT-0LED的制备方法，其中，所述步骤A中，所述TFT阵列为非晶硅TFT阵列、多晶硅TFT阵列或金属氧化物TFT阵列。
[0010]所述的无像素bank的TFT-0LED的制备方法，其中，所述步骤C中，所述刻蚀工艺为干法刻蚀工艺。
[0011]所述的无像素bank的TFT-0LED的制备方法，其中，所述步骤C中，待制备像素电极的区域形成深度为50?200nm的凹槽。
[0012]所述的无像素bank的TFT-0LED的制备方法，其中，待制备像素电极的区域形成深度为100?150nm的凹槽。
[0013]所述的无像素bank的TFT-0LED的制备方法，其中，所述步骤D中，像素电极为透明导电金属氧化物或导电金属。
[0014]所述的无像素bank的0LED显示器的制备方法，其中，所述步骤D中，像素电极的厚度与TFT阵列的凹槽深度一致。
[0015]一种无像素bank的TFT-0LED，其中，采用如上任一所述的无像素bank的0LED显示器的制备方法制备得到。
[0016]有益效果:本发明通过半曝光工艺在需要沉积像素电极区域的平坦层上刻蚀形成一个凹槽，从而将像素电极沉积在凹槽内，形成嵌入TFT阵列平坦层中的像素电极；同时通过光阻剥离将像素电极图案化，免去了像素bank的使用；另外，还免去了传统像素电极图案化的一次光刻工艺，从而大大简化了 TFT-0LED的TFT基板的制作工艺，节约了制备成本。
【附图说明】
[0017]图1为本发明一种无像素bank的TFT-0LED的制备方法较佳实施例的流程图。
[0018]图2为图1中步骤S200后得到的截面示意图。
[0019]图3为图1中步骤S300后得到的截面示意图。
[0020]图4为图1中步骤S400后得到的截面示意图。
[0021]图5为图1中步骤S500后得到的截面示意图。
【具体实施方式】
[0022]本发明提供一种无像素bank的TFT-0LED及制备方法，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
[0023]请参阅图1，图1为本发明一种无像素bank的TFT-0LED的制备方法较佳实施例的流程图，如图所示，其包括步骤:
S100、在具有TFT阵列的基板的平坦层上沉积一层光阻，利用掩膜对光阻进行曝光，其中，对TFT阵列的S/D电极上端的待挖孔区域进行全曝光，同时对待制备像素电极的区域进tx半曝光；
S200、对曝光光阻进行显影，其中，全曝光区域的光阻全部去除，半曝光区域残留部分光阻；
S300、利用刻蚀工艺进行刻蚀，刻蚀后露出TFT阵列的S/D电极，其中，待制备像素电极的区域形成一凹槽；
S400、在凹槽内沉积像素电极； S500、剥离基板上残留的光阻，将像素电极图案化，形成嵌入平坦层的像素电极；
S600、在像素电极上制备OLED发光器件，最后进行封装，得到TFT-OLED。
[0024]本发明通过在制作TFT-0LED像素电极的过程中采用半曝光工艺，即:TFT阵列的S/D电极上端的挖孔区域全曝光，待制备像素电极的区域半曝光，在S/D电极刻蚀挖孔的过程中，待制备像素电极区域的TFT阵列的平坦层上端的光阻较薄，刻蚀过程中被刻蚀掉，因此该待制备像素电极区域的TFT阵列平坦层上由于失去了光阻的保护而被刻蚀掉一部分，形成一个凹槽，随后直接沉积像素电极，接着进行光阻剥离，以使像素电极图案化，此时的像素电极在TFT阵列平坦层的凹槽内，而没有凸出在TFT阵列平坦层表面，因而不需要额外的像素bank来覆盖像素电极边缘，以防止制备0LED时发生短路，大大简化了 TFT-0LED的制备工艺，节约了制备成本。
[0025]图2?图5为图1中各步骤后得到的