缘层而成的层叠构造的层叠体；设置于层叠体的内部的第一以及第二线圈；以及设置于层叠体的外表面上的第一?第四外部端子电极。第一以及第二外部端子电极分别与第一线圈的一端以及另一端电连接，第三以及第四外部端子电极分别与第二线圈的一端以及另一端电连接。
[0028]第一以及第二线圈都包括:分别沿绝缘层间的多个界面延伸且具有位于绝缘层的比较中央附近的内周侧端部和位于比较外周附近的外周侧端部的螺旋状的多个线圈导体；以及将在层叠方向上相邻的线圈导体的各内周侧端部相互连接的内周侧通孔导体。
[0029]第一线圈还包括将在层叠方向上相邻的线圈导体的各外周侧端部间相互连接的外周侧通孔导体，在该第一线圈中，多个线圈导体交替地经由内周侧通孔导体和外周侧通孔导体来串联连接。
[0030]而且，为了解决上述的技术的课题，在本发明中，首先，第一特征在于:用于第二线圈的线圈导体包括被层叠成夹在用于第一线圈的线圈导体中的由内周侧通孔导体相互连接的2个线圈导体之间的线圈导体。换言之，第一特征在于:用于第一线圈的线圈导体中的由内周侧通孔导体相互连接的几组的线圈导体以与用于第二线圈的线圈导体仅夹着一个绝缘层的方式设置。这有助于增强第一线圈与第二线圈的耦合。
[0031]而且，在本发明，第二特征在于:在第一线圈中，外周侧通孔导体被设置成仅贯通一个绝缘层。换言之，在该第二特征中，通过外周侧通孔导体相互连接的线圈导体以仅夹着一个绝缘层的方式设置，因此，能够缩短外周侧通孔导体的轴线方向上的长度。由此，在烧成工序中，能够减少外周侧通孔导体带来的导体材料的扩散量，并且在冲压工序中，能够抑制外周侧通孔导体导致的绝缘层的厚度减少。
[0032]在本发明中，优选对第一线圈给予的上述的特征构成也对第二线圈给予。S卩，对于第二线圈，也还包括将在层叠方向上相邻的线圈导体的各外周侧端部间相互连接的外周侧通孔导体，在该第二线圈中，多个线圈导体交替地经由内周侧通孔导体和外周侧通孔导体来串联连接。用于第一线圈的线圈导体包括被层叠成夹在用于第二线圈的线圈导体中的由内周侧通孔导体相互连接的2个线圈导体之间的线圈导体。而且，在第二线圈中，外周侧通孔导体也被设置成仅贯通一个绝缘层。
[0033]根据上述的优选构成，在第一以及第二线圈双方中，能够减少烧成时的外周侧通孔导体带来的导体材料的扩散量，并且能够抑制冲压时的外周侧通孔导体导致的绝缘层的厚度减少，并且能够使第一线圈与第二线圈的耦合更增强。
[0034]另外，在本发明中，优选第一线圈的形态与第二线圈的形态关于层叠方向对称。由此，在共模扼流圈的安装时能够去除方向性。
[0035]根据本发明，在第一线圈与第二线圈之间确保比较强的耦合，并且能够抑制起因于外周侧通孔导体的导体材料的扩散、绝缘层的厚度减少，所以即使在外周侧通孔导体的轴线的延长线上或者其附近配置与该外周侧通孔导体之间能够产生电位差的导体，也能够减少针对耐压可靠性降低的担心。因此，能够提高共模扼流圈中的线圈形状的设计自由度。另外，对于外部端子电极与外周侧通孔导体的位置关系，也能够提高设计的自由度。而且，为了耐压可靠性的提高，无需增加绝缘层的厚度，所以不会阻碍共模扼流圈的小型化。
[0036]另外，根据本发明，如参照图4而后述的那样，通过改变用于第一线圈的线圈导体和用于第二线圈的线圈导体的层叠顺序，能够容易地调整共模扼流圈的特性阻抗。
【附图说明】
[0037]图1是表示本发明的第一实施方式的共模扼流圈30的外观的立体图。
[0038]图2是将构成图1所示的共模扼流圈30所具备的层叠体31中的低导磁率部32的多个绝缘层35?42根据层叠顺序配置来表示的俯视图。
[0039]图3是将图1所示的共模扼流圈30所具备的层叠体31中的外周侧通孔导体58及其附近放大表示的剖视图。
[0040]图4是用于说明在具备层叠型线圈的共模扼流圈中，对用于I次线圈的线圈导体和用于2次线圈的线圈导体的层叠顺序进行各种改变所带来的特性阻抗的调整的图。
[0041]图5是表示本发明的第二实施方式的与图2对应的图。
[0042]图6是表示本发明的第三实施方式的与图2对应的图。
[0043]图7是用于说明本发明所要解决的课题的图，是将采用了交替层叠构造的共模扼流圈所具备的层叠体的一部分放大表示的、与图3对应的图。
[0044]图8是将构成采用了交替层叠构造的共模扼流圈所具备的层叠体的多个绝缘层11?15根据层叠顺序配置来表示的俯视图。
[0045]图9是用于说明本发明所要解决的课题的图，是将图8所示的绝缘层13以及14取出表示的俯视图。
[0046]图10是用于说明本发明所要解决的课题的图，是将图8所示的绝缘层14以及15取出表示的俯视图。
【具体实施方式】
[0047]参照图1，共模扼流圈30具备作为部件主体的层叠体31。层叠体31具有用2个磁性体部33以及34夹着低导磁率部32的构造。磁性体部33以及34例如由Ni — Cu —Zn系铁氧体、Mn — Zn系铁氧体，六角晶系铁氧体等构成。另一方面，作为低导磁率部32的材质，例如能够使用导磁率几乎为I的玻璃陶瓷之类的非磁性体、导磁率为I?10左右的N1-Cu- Zn系铁氧体、非磁性铁氧体等。另外，作为低导磁率部32的材质，也能够使用聚酰亚胺等树脂。
[0048]在层叠体31的外表面上设置有第一?第四外部端子电极43?46。更详细地说，外部端子电极43以及46位于层叠体31的侧面47，外部端子电极44以及45位于与侧面47对置的侧面48。作为外部端子电极43?46所包含的导体材料，例如能够使用Cu、Pd、Al、Ag等导电性金属或者包含这些的合金。
[0049]低导磁率部32具有配备包括图2所示的8个绝缘层35?42的被层叠的多个绝缘层而成的层叠构造。绝缘层35?42按该顺序从下开始被层叠。此外，在图2以及后述的图5以及图6中，显示在右列与左列之间的括弧标记表示层叠中的插入位置。
[0050]在绝缘层35?42上分别形成螺旋状的线圈导体49?56。线圈导体49?56分别具有位于绝缘层35?42的比较中央附近的内周侧端部和位于比较外周附近的外周侧端部。此外，线圈导体49?56实际上被形成为沿绝缘层35?42的相邻的层之间的界面分别延伸，但在以下，作为位于绝缘层35?42的每一个上来进行说明。
[0051]在层叠体31的内部，更特定地在低导磁率部32的内部设置有第一以及第二线圈。共模扼流圈30中的I次线圈以及2次线圈相对地决定，在以下，将第一以及第二线圈分别作为I次线圈以及2次线圈进行说明。
[0052]在图2中，在右侧示出I次线圈，在左侧示出2次线圈。图1所示的第一以及第二外部端子电极43以及44分别与I次线圈的一端以及另一端电连接，同样地图1所示的第三以及第四外部端子电极45以及46分别与2次线圈的一端以及另一端电连接。I次线圈具有线圈导体50、53、54以及56而构成，2次线圈具有线圈导体49、51、52以及55而构成。
[0053]首先，对构成I次线圈的线圈导体50、53、54以及56的连接方式进行说明。
[0054]若以从下开始的层叠顺序进行说明，则形成在绝缘层36上的线圈导体50的外周侧端部被引出到绝缘层36的外周边缘，与图1所示的第一外部端子电极43连接。另一方面，线圈导体50的内周侧端部与被设置成贯通绝缘层37、38以及39的内周侧通孔导体57连接。
[0055]此外，在通孔导体57，与参照图7而上述的通孔导体3关联地形成的通孔焊盘3a同样地形成通孔焊盘。虽没有特别采取说明，但对于以下出现的其他通孔导体也同样。
[0056]接着，上述的内周侧通孔导体57与形成在绝缘层39上的线圈导体53的内周侧端部连接。这样一来，线圈导体50的内周侧端部与线圈导体53的内周侧端部通过内周侧通孔导体57相互连接。线圈导体53的外周侧端部与被设置成贯通绝缘层40的外周侧通孔导体58连接。
[0057]接着，上述的外周侧通孔导体58与形成在绝缘层40上的线圈导体54的外周侧端部连接。这样一来，线圈导体53的外周侧端部与线圈导体54的外周侧端部通过外周侧通孔导体58相互连接。线圈导体54的内周侧端部与被设置成贯通绝缘层41以及42的内周侧通孔导体59连接。
[0058]接着，上述的内周侧通孔导体59与形成在绝缘层42上的线圈导体56的内周侧端部连接。这样一来，线圈导体54的内周侧端部与线圈导体56的内周侧端部通过内周侧通孔导体59相互连接。线圈导体56的外周侧端部被引出到绝缘层42的外周边缘，与图1所示的第二外部端子电极44连接。
[0059]如上所述，线圈导体50、53、54以及56依次经由内周侧通孔导体57、夕卜周侧通孔导体58以及内周侧通孔导体59、即交替地经由内周侧通孔导体和外周侧通孔导体来进行连接，由此构成I次线圈。
[0060]接下来，对构成2次线圈的线圈导体49、51、52以及55的连接方式进行说明。
[0061]若以从下开始的层叠顺序进行说明，则形成在绝缘层35上的线圈导体49的外周侧端部被引出到绝缘层35