防止eeprom被紫外线擦写的版图实现方法及版图结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及存储器擦写及工艺版图设计领域，特别是涉及一种防止EEPR0M(带电可擦可编程只读存储器)被紫外线擦写的版图实现方法。本发明还涉及一种防止EEPROM被紫外线擦写的版图结构。
【背景技术】
[0002]EEPROM作为一种掉电后数据不丢失的存储芯片，可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息，重新编程。EEPROM是器件中存在浮栅结构，EEPROM的写入就是通过某种效应让电子聚集在浮栅上，EEPROM擦除(非电擦除)是指在需要消去电子时，可以利用紫外线进行照射，给电子足够的能量，逃逸出浮栅。通常嵌入式芯片中EEPROM从测试模式进入到应用模式后，EEPROM就不可以再被擦除。但可以采用上面的紫外线照射方法从物理层面将数据擦除。
【发明内容】
[0003]本发明要解决的技术问题是提供一种防止EEPROM被紫外线擦写的版图实现方法，可以防止通过紫外线照射方法擦除EEPROM数据；为此，本发明还要提供一种防止EEPROM被紫外线擦写的版图结构。
[0004]为解决上述技术问题，本发明的防止EEPROM被紫外线擦写的版图实现方法是采用如下技术方案实现的:
[0005]采用一个EEPROM存储器，可以正常进行EEPROM读写操作；
[0006]采用一个Mn金属屏蔽层，将EEPROM存储器阵列区域覆盖；
[0007]采用多个第一接地连接孔将Mn金属屏蔽层连接到EEPROM存储器芯片中的地信号上;
[0008]采用一个Mk金属屏蔽层，将EEPROM存储器阵列区域覆盖；
[0009]采用多个第二接地连接孔将Mk金属屏蔽层连接到EEPROM存储器芯片中的地信号上;
[0010]其中，Mn为EEPROM存储器芯片中第η层金属，Mk为EEPROM存储器芯片中第k层金属，η和k均为正整数，且k弇η。
[0011]所述防止EEPROM被紫外线擦写的版图结构，包括:
[0012]一能够正常进行读写操作的EEPROM存储器；
[0013]一位于EEPROM存储器芯片中的Mn金属屏蔽层；
[0014]一位于EEPROM存储器芯片中的Mk金属屏蔽层；
[0015]多个第一接地连接孔；
[0016]多个第二接地连接孔；
[0017]所述Mn金属屏蔽层，覆盖在EEPROM存储器阵列区域的上方，且通过第一接地连接孔将Mn金属屏蔽层接地；所述Mk金属屏蔽层，覆盖在EEPROM存储器阵列区域的上方，且通过第二接地连接孔将Mk金属屏蔽层接地；其中，Mn为EEPROM存储器芯片中第η层金属，Mk为EEPROM存储器芯片中第k层金属，η和k均为正整数，且k弇η。
[0018]随着芯片设计技术的发展，产品在实现更多功能的同时，芯片的安全变的越来越重要。本发明以较简单物理实现的方法，实现了在非授权情况下保护EEPROM数据被擦写的功能，从而提高了产品的安全和市场竞争力。
【附图说明】
[0019]下面结合附图与【具体实施方式】对本发明作进一步详细的说明:
[0020]附图是防止EEPROM被紫外线擦写的版图结构示意图。
【具体实施方式】
[0021]从【背景技术】部分的分析可以知道，当紫外线照射EEPROM芯片时，可以进行数据擦除；而通过版图设计方法能够禁止这种通过紫外线擦除EEPROM的方式。结合附图所示，所述防止EEPROM被紫外线擦写的版图结构，具体实现方式是:
[0022]采用一个容量为P能够正常进行读写操作的EEPROM存储器，例如10Κ，40Κ…等的EEPR0M。
[0023]在EEPROM存储器阵列区域上方，布一层^金属屏蔽层同时通过Mn接地连接孔(第一接地连接孔)将屏蔽层接地。Mjg EEPROM存储器芯片中第η层金属。
[0024]在EEPROM存储器阵列区域上方，布一层仏金属屏蔽层同时通过Mk接地连接孔(第二接地连接孔)将屏蔽层接地。Mk指EEPROM存储器芯片中第k层金属，且k古η。η和k均为正整数。
[0025]EEPROM存储器中储存的数据经过以上两层金属屏蔽层的保护，在专用紫外线擦写器的照射下数据不能被擦写改变。
[0026]以上通过【具体实施方式】和实施例对本发明进行了详细的说明，但这些并非构成对本发明的限制。在不脱离本发明原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改进，这些也应视为本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种防止EEPROM被紫外线擦写的版图实现方法，其特征在于: 采用一个EEPROM存储器，该EEPROM存储器能够正常进行读写操作； 采用一个Mn金属屏蔽层，将EEPROM存储器阵列区域覆盖； 采用多个第一接地连接孔将Mn金属屏蔽层连接到EEPROM存储器芯片中的地信号上； 采用一个Mk金属屏蔽层，将EEPROM存储器阵列区域覆盖； 采用多个第二接地连接孔将Mk金属屏蔽层连接到EEPROM存储器芯片中的地信号上；其中，Mn为EEPROM存储器芯片中第η层金属，Mk为EEPROM存储器芯片中第k层金属；η和k均为正整数，且k# η。2.一种防止EEPROM被紫外线擦写的版图结构，其特征在于，包括: 一能够正常进行读写操作的EEPROM存储器； 一位于EEPROM存储器芯片中的Mn金属屏蔽层； 一位于EEPROM存储器芯片中的Mk金属屏蔽层； 多个第一接地连接孔； 多个第二接地连接孔； 所述Mn金属屏蔽层，覆盖在EEPROM存储器阵列区域的上方，且通过第一接地连接孔将Mn金属屏蔽层接地；所述Mk金属屏蔽层，覆盖在EEPROM存储器阵列区域的上方，且通过第二接地连接孔将Mk金属屏蔽层接地； 其中，Mn为EEPROM存储器芯片中第η层金属，Mk为EEPROM存储器芯片中第k层金属，η和k均为正整数，且k# η。
【专利摘要】本发明公开了一种防止EEPROM被紫外线擦写的版图实现方法，采用一个EEPROM存储器，可以正常进行EEPROM读写操作，采用一个Mn金属屏蔽层，将EEPROM存储器阵列区域覆盖，采用多个第一接地连接孔将Mn金属屏蔽层连接到EEPROM存储器芯片中的地信号上，采用一个Mk金属屏蔽层，将EEPROM存储器阵列区域覆盖，采用多个第二接地连接孔将Mk金属屏蔽层连接到EEPROM存储器芯片中的地信号上；其中，Mn为EEPROM存储器芯片中第n层金属，Mk为EEPROM存储器芯片中第k层金属，且k≠n。本发明还公开了一种防止EEPROM被紫外线擦写的版图结构。本发明可以防止通过紫外线照射方法擦除EEPROM数据。
【IPC分类】H01L23/552, H01L27/115, H01L23/58
【公开号】CN105633088
【申请号】CN201410667926
【发明人】肖特
【申请人】上海华虹集成电路有限责任公司
【公开日】2016年6月1日
【申请日】2014年11月20日