实现多晶硅栅极平坦化的方法
【专利摘要】本发明提供了一种实现多晶硅栅极平坦化的方法，包括：在衬底上生长多晶硅栅极层；在所述多晶硅栅极层上沉积氧化物层；对整个硅片进行热氧化，使得所述多晶硅栅极层的上部被氧化成氧化硅；去除所述衬底表面的所述氧化物层和被热氧化而形成的氧化硅。
【专利说明】
实现多晶硅栅极平坦化的方法
技术领域
[0001]本发明涉及半导体制造领域，特别涉及28nm技术结点的多晶硅栅极形成技术;更具体地说，本发明涉及一种实现多晶硅栅极平坦化的方法。
【背景技术】
[0002]如图1所示，在多晶硅栅极生长之前，有源活性区和浅沟槽区之间存在一个高度差，由于这个高度差的存在，导致多晶硅的表面出现一个台阶。这个台阶的存在，会导致后续制程的一系列问题。特别是对于后续需要进行SiGe外延生长的集成电路产品，在多晶硅栅台阶的高处，可能出现SiGe残留缺陷。所以有必要消除这个台阶。
[0003]当然，可以通过化学机械研磨的方式，消除多晶硅栅表面的台阶。但是针对多晶硅的研磨，需要特殊的研磨液，另外，化学机械研磨工艺会明显增大多晶硅栅极的厚度极差(虽然局部区域的台阶可以消除，但是整个晶圆上的多晶硅栅的厚度均匀性会变差)。
[0004]流动式化学气相沉积FCVD(flowableChemical Vapor Deposit1n)和旋涂法，都能够得到平坦的氧化硅薄膜。如图2所示为流动式化学气相沉积FCVD的氧化硅薄膜沉积的显微示意图，其中沟槽区的薄膜沉积速度更快，最终得到的氧化硅的表面相比具有台阶的衬底而言，是非常平坦的。
[0005]由此，希望能够提供一种能够消除或者改善多晶娃表面的台阶，从而进一步能够避免在后续制程中由于多晶硅台阶的存在而导致的一系列问题的技术方案。
【发明内容】
[0006]本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种实现多晶硅栅极平坦化的方法，能够避免在后续制程中由于多晶硅台阶的存在而导致的一系列问题。
[0007]为了实现上述技术目的，根据本发明，提供了一种实现多晶硅栅极平坦化的方法，包括:
[0008]第一步骤:在衬底上生长多晶硅栅极层；
[0009]第二步骤:在所述多晶硅栅极层上沉积氧化物层；
[0010]第三步骤:对整个硅片进行热氧化，使得所述多晶硅栅极层的上部被氧化成氧化娃;
[0011]第四步骤:去除所述衬底表面的所述氧化物层和被热氧化而形成的氧化硅。
[0012]优选地，在所述实现多晶硅栅极平坦化的方法中，所述氧化物层是氧化硅层。
[0013]优选地，在所述实现多晶硅栅极平坦化的方法中，所述衬底是硅衬底。
[0014]优选地，在所述实现多晶硅栅极平坦化的方法中，所述多晶硅栅极层的厚度为500-1000Ao
[0015]优选地，在所述实现多晶硅栅极平坦化的方法中，在衬底中形成有填充有非硅片材料的沟槽。
[0016]优选地，在所述实现多晶硅栅极平坦化的方法中，所述多晶硅栅极层表面存在台阶。
[0017]优选地，在所述实现多晶硅栅极平坦化的方法中，述台阶的高度为100-300A。
[0018]优选地，在所述实现多晶硅栅极平坦化的方法中，采用可流动化学气相沉积在衬底上生长多晶硅栅极层。
[0019]优选地，在所述实现多晶硅栅极平坦化的方法中，采用旋涂的方法在衬底上生长多晶硅栅极层。
[0020]优选地，在所述实现多晶硅栅极平坦化的方法中，在第四步骤中，使用湿法清洗的方式去除所述衬底表面的所述氧化物层30和被热氧化而形成的氧化硅。
[0021]由此，在本发明中，在多晶栅极生长之后，首先形成氧化硅膜。由于制程特性，能够得到平坦的氧化硅表面。也就是说，多晶硅的低洼处会填进更多的氧化硅介质。然后对晶圆进行氧化处理，目的是对氧化硅下面的多晶硅进行氧化。由于多晶硅栅凸起处的氧化硅薄膜更薄，而低洼处的氧化硅更厚，而热氧化工艺中的氧气是通过扩散的方式到达多晶硅处，那么在多晶娃突起的地方会先被氧化。由此，能够将多晶娃台阶减小甚至消除。最后在去除覆盖在多晶硅栅上的氧化硅膜，就可以得到相对更加平坦的多晶硅表面。
【附图说明】
[0022]结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本发明有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中:
[0023]图1示意性地示出了根据现有技术的方法导致的多晶硅栅极台阶的显微示意图。
[0024]图2示意性地示出了图2所示为流动式化学气相沉积FCVD的氧化硅薄膜沉积的显微示意图。
[0025]图3示意性地示出了根据本发明优选实施例的实现多晶硅栅极平坦化的方法的第一步骤。
[0026]图4示意性地示出了根据本发明优选实施例的实现多晶硅栅极平坦化的方法的第二步骤。
[0027]图5示意性地示出了根据本发明优选实施例的实现多晶硅栅极平坦化的方法的第三步骤。
[0028]图6示意性地示出了根据本发明优选实施例的实现多晶硅栅极平坦化的方法的第四步骤。
[0029]图7示意性地示出了根据本发明优选实施例的实现多晶硅栅极平坦化的方法的流程图。
[0030]需要说明的是，附图用于说明本发明，而非限制本发明。注意，表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。
【具体实施方式】
[0031]为了使本发明的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本发明的内容进行详细描述。
[0032]本发明提出一种实现多晶硅栅极平坦化的方法，提供完成多晶硅生长的晶圆，首先在多晶硅上采用可流动化学气相沉积或者旋涂法的方式沉积一定厚度的氧化硅薄膜，然后例如利用热氧化工艺对晶圆进行氧化，在这个过程中多晶硅也会被氧化。最后去除多晶硅表面的氧化硅。通过上述方法，能够消除或者改善多晶硅表面的台阶，避免在后续制程中由于多晶硅台阶的存在而导致的一系列问题。
[0033]具体地，图3至图6示意性地示出了根据本发明优选实施例的实现多晶硅栅极平坦化的方法的各个步骤。图7示意性地示出了根据本发明优选实施例的实现多晶硅栅极平坦化的方法的流程图。
[0034]更具体地，如图3至图6以及图7所示，根据本发明优选实施例的实现多晶硅栅极平坦化的方法包括:
[0035]第一步骤S1:在衬底10上生长多晶硅栅极层20;
[0036]一般，所述衬底10是硅衬底。
[0037]优选地，所述多晶硅栅极层20的厚度为500-1000A。
[0038]例如，如图3所示，在衬底10中形成有填充有非硅片材料的沟槽11;由于沟槽11可能会向表面突出一些，由此，所述多晶硅栅极层20表面的沟槽位置处会存在台阶21。
[0039]例如，在所述多晶硅栅极层20的厚度为500-1000A的情况下，所述台阶21的高度为100-300Ao
[0040]第二步骤S2:在所述多晶硅栅极层20上沉积氧化物层30，具体如图4所示；
[0041 ]优选地，所述氧化物层30是氧化硅层。
[0042]优选地，在第二步骤S2中，采用可流动化学气相沉积在衬底10上生长多晶硅栅极层20。可替换地，优选地，在第二步骤S2中，采用旋涂的方法在衬底10上生长多晶硅栅极层
20 ο
[0043]第三步骤S3:对整个硅片进行热氧化;在第三步骤S3中，如图5所示，使得所述多晶硅栅极层20的上部被氧化成氧化硅50 ；
[0044]第四步骤S4:去除所述衬底10表面的所述氧化物层30和被热氧化而形成的氧化硅50，如图6所示。
[0045]优选地，在第四步骤S4中，使用湿法清洗的方式去除所述衬底10表面的所述氧化物层30和被热氧化而形成的氧化硅50。更具体地，例如，在第四步骤S4中，可以使用稀释氢氟酸溶液去除所述衬底10表面的所述氧化物层30和被热氧化而形成的氧化硅50。
[0046]由此，如图6所示，在第四步骤S4之后，硅片表面只剩下减薄的多晶硅栅极层20。
[0047]由此，在本发明中，在多晶栅极生长之后，首先形成氧化硅膜。由于制程特性，能够得到平坦的氧化硅表面。也就是说，多晶硅的低洼处会填进更多的氧化硅介质。然后对晶圆进行氧化处理，目的是对氧化硅下面的多晶硅进行氧化。由于多晶硅栅凸起处的氧化硅薄膜更薄，而低洼处的氧化硅更厚，而热氧化工艺中的氧气是通过扩散的方式到达多晶硅处，那么在多晶硅突起的地方会先被氧化。由此能够将多晶硅台阶减小甚至消除。最后在去除覆盖在多晶硅栅上的氧化硅膜，就可以得到平坦的多晶硅表面。
[0048]此外，需要说明的是，除非特别说明或者指出，否则说明书中的术语“第一”、“第二”、“第三”等描述仅仅用于区分说明书中的各个组件、元素、步骤等，而不是用于表示各个组件、元素、步骤之间的逻辑关系或者顺序关系等。
[0049]可以理解的是，虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本发明。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。
【主权项】
1.一种实现多晶硅栅极平坦化的方法，其特征在于包括: 第一步骤:在衬底上生长多晶硅栅极层； 第二步骤:在所述多晶硅栅极层上沉积氧化物层； 第三步骤:对整个硅片进行热氧化，使得所述多晶硅栅极层的上部被氧化成氧化硅； 第四步骤:去除所述衬底表面的所述氧化物层和被热氧化而形成的氧化硅。2.根据权利要求1所述的实现多晶硅栅极平坦化的方法，其特征在于，所述氧化物层是氧化硅层。3.根据权利要求1或2所述的实现多晶硅栅极平坦化的方法，其特征在于，所述衬底是硅衬底。4.根据权利要求1或2所述的实现多晶硅栅极平坦化的方法，其特征在于，所述多晶硅栅极层的厚度为500-1000A。5.根据权利要求1或2所述的实现多晶硅栅极平坦化的方法，其特征在于，在衬底中形成有填充有非硅片材料的沟槽。6.根据权利要求1或2所述的实现多晶硅栅极平坦化的方法，其特征在于，所述多晶硅栅极层表面存在台阶。7.根据权利要求6所述的实现多晶硅栅极平坦化的方法，其特征在于，所述台阶的高度为100-300A。8.根据权利要求1或2所述的实现多晶硅栅极平坦化的方法，其特征在于，在第二步骤中，采用可流动化学气相沉积在衬底上生长多晶硅栅极层。9.根据权利要求1或2所述的实现多晶硅栅极平坦化的方法，其特征在于，在第二步骤中，采用旋涂的方法在衬底上生长多晶硅栅极层。10.根据权利要求1或2所述的实现多晶硅栅极平坦化的方法，其特征在于，在第四步骤中，使用湿法清洗的方式去除所述衬底表面的所述氧化物层30和被热氧化而形成的氧化娃。
【文档编号】H01L29/423GK105845557SQ201610327876
【公开日】2016年8月10日
【申请日】2016年5月17日
【发明人】雷通, 严钧华
【申请人】上海华力微电子有限公司