显示面板的制作方法
【专利摘要】本发明公开一种显示面板，包括一第一基板、一第二基板以及一显示介质层。第一基板包括一底板、一栅极、一有源层、一源极与一漏极及一遮蔽结构。栅极设置于底板上，有源层与栅极电性绝缘且对应设置，源极与漏极电连接有源层，遮蔽结构位于有源层上，并覆盖至少部分的有源层。遮蔽结构包括一金属层及一抗反射结构，抗反射结构直接接触金属层。显示介质层设置于第一基板与第二基板之间。
【专利说明】
显示面板
技术领域
[0001] 本发明涉及一种显示面板，且特别是涉及一种具有高开口率的显示面板。
【背景技术】
[0002] 随着显示技术的快速发展，不论面板尺寸大小，高分辨率（即相同尺寸下被要求 更高像素）的显示器以逐渐成为市场主流，其能够处理数位讯号，并显示更多的画面细节。
[0003] 然而，当分辨率越高，往往会牺牲像素的开口率。在此，开口率是指除去每个像素 的配线部、晶体管部之后，光的穿透面积与每个像素的整体面积之间的比例。开口率越高， 光线通过部分的面积越大，光穿透的效率就越高。在现有技术中，薄膜晶体管（Thin Film transistor, TFT)基板/彩色滤光片（Color Filter, CF)基板进行对组时，虽然可根据对位 标记进行对准，但是，基板上的诸多元件在对组过程中会出现大小变化、旋转、变形等问题， 如此一来，这些元件的对组精度往往无法控制，进而影响到产品的开口率。
[0004] 因此，如何维持显示面板的对组精度，且兼顾高的开口率，以达到显示器省电节能 的目的，实为本领域积极研究的目标。
【发明内容】
[0005] 本发明的目的在于提供一种显示面板，通过在基板上设置一金属层与抗反射结 构，可缩小遮光矩阵的面积，有效提升显示面板的开口率。
[0006] 根据本发明，提出一种显示面板，包括一第一基板、一第二基板以及一显示介质 层。第一基板包括一底板、一栅极、一有源层、一源极与一漏极及一遮蔽结构。栅极设置于 底板上，有源层与栅极电性绝缘且对应设置，源极与漏极电连接有源层，遮蔽结构位于有源 层上，并覆盖至少部分的有源层。遮蔽结构包括一金属层及一抗反射结构，抗反射结构直接 接触金属层。显示介质层设置于第一基板与第二基板之间。
[0007] 为了对本发明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举实施例，并配合所附的 附图，作详细说明如下：
【附图说明】
[0008] 图1A为本发明第一实施例的显示面板的部分剖视图；
[0009] 图1B为本发明第一实施例的显不面板的部分俯视图；
[0010] 图2A~图2C为本发明的遮蔽层的不同实施例的示意图；
[0011] 图3A为本发明第二实施例的显示面板的部分剖视图；
[0012] 图3B为本发明第二实施例的显示面板的部分俯视图；
[0013] 图4为本发明第三实施例的显示面板的部分剖视图；
[0014] 图5A为本发明第四实施例的显示面板的部分剖视图；
[0015] 图5B为本发明第四实施例的显示面板的部分俯视图；
[0016] 图6为本发明第五实施例的显示面板的部分剖视图；
[0017] 图7A~图7C为以固定厚度的铝-铜的氮化物（Al-Cu-N)/不同厚度的氧化铟锌 (ΙΖ0)，对于不同波长光线的反射率的量测结果的示意图；
[0018] 图8为铝（A1)以及铝-钕（Al-Nd)合金，对于不同波长光线的反射率的量测结果 的示意图。
[0019] 符号说明
[0020] 1、2、3、4、5 :显示面板
[0021] 101、102、103 :第一基板
[0022] 10 :底板
[0023] 21 :栅极
[0024] 21G :栅极线
[0025] 22 :源极
[0026] 22D :数据线
[0027] 23 :漏极
[0028] 27 :贯孔
[0029] 30 :有源层
[0030] 40 :栅极绝缘层
[0031] 50 :遮蔽结构
[0032] 500 :金属层
[0033] 501 :抗反射结构
[0034] 502 :侧壁
[0035] 51 :第一抗反射层
[0036] 52 :第二抗反射层
[0037] 502 :边缘倾斜处
[0038] 61 :第一保护层
[0039] 62 :第二保护层
[0040] 63 :平坦层
[0041] 71 :第一电极
[0042] 72:第二电极
[0043] 200、201 :第二基板
[0044] 80 :底板
[0045] 81 :彩色滤光片
[0046] 82、82 ' ：遮光矩阵
[0047] 82-1 :第一遮光部
[0048] 82-2 :第二遮光部
[0049] 82-2 (T):条状部
[0050] 82-2 (P):凸出部
[0051] 86 :平坦层
[0052] 300 :显示介质层
[0053] 90:间隔物
[0054] L1、L2、L3:光线
[0055] R1、R2、R3:反射光
[0056] Ml、M2:介质
[0057] A-A'、B-B'、C_C' ：剖线面
[0058] X、Y、Z:坐标轴
【具体实施方式】
[0059] 以下是参照所附的附图详细叙述本发明的实施例。附图中相同的标号用以标示相 同或类似的部分。需注意的是，附图已简化以利清楚说明实施例的内容，附图上的尺寸比例 并非按照实际产品等比例绘制，因此并非作为限缩本发明保护范围之用。
[0060] 本发明实施例的显示面板可包括一第一基板、一第二基板以及一显示介质层。第 二基板与第一基板相对设置，显示介质层设置于第一基板与第二基板之间。举例来说，第一 基板可例如为一薄膜晶体管基板，第二基板可例如为一彩色滤光片基板，显示介质层可例 如为一液晶层，但本发明并未限定于此。
[0061] 在本发明实施例中，第一基板可包括一底板、一栅极、一有源层、一源极与一漏极 及一遮蔽结构。栅极设置于底板上，有源层与栅极电性绝缘且对应设置，源极与漏极电连接 有源层，遮蔽结构位于有源层上且覆盖至少部分的有源层。遮蔽结构包括一金属层与一抗 反射结构，抗反射结构直接接触金属层。
[0062] 以下以第一至第五实施例，详细叙述本发明的显示面板的不同实施方式。
[0063] 第一实施例
[0064] 图1Α绘示本发明第一实施例的显示面板1的部分剖视图。图1Β绘示本发明第一 实施例的显示面板1的部分俯视图。在此，图1Α为沿着图1Β的Α-Α'剖面线所绘示的显示 面板1的剖面示意图。
[0065] 如图1Α、图1Β所不，显不面板1可包括一第一基板101、一第二基板200以及一显 示介质层300。第二基板200与第一基板101相对设置，显示介质层300设置于第一基板 101与第二基板200之间。显示介质层300中的显示介质，例如可为液晶或有机发光层。此 外，显示面板1也可包括间隔物90,设置于第一基板101与第二基板200之间。
[0066] 本发明第一实施例的第一基板101包括一底板10、一栅极21、一有源层30、一源极 22与一漏极23、一栅极绝缘层40及一遮蔽结构50。栅极21、有源层30、源极22、漏极23与 栅极绝缘层40构成一晶体管。栅极21设置于底板10上，有源层30与栅极21对应设置， 源极22与漏极23电连接有源层30。有源层30与栅极21可为电性绝缘且相对设置，例如 此实施例中，栅极绝缘层40设置于栅极21与有源层30之间。
[0067] 在本实施例中，底板10可例如为一玻璃基板或一可挠式基板（例如塑胶）。有源 层30可为一非晶硅（a-Si)层、一多晶硅层或一金属氧化物层。适用于有源层的金属氧化 物层，例如可为氧化铟镓锌（indium gallium zinc oxide, IGZ0)层。此外，遮蔽结构50为 一两层或多层结构。
[0068] 图2A~图2C绘不本发明的遮蔽结构50的不同实施例。遮蔽结构50可包括一金 属层500与一抗反射结构501，抗反射结构501可设置于金属层500上方，并直接接触金属 层500。光线经由抗反射结构501产生的反射光与经由金属层500产生的反射光会进行破 坏性干涉，降低遮蔽层50的整体反射率。
[0069] 举例来说，如图2A所示，光线L1由介质Ml进入介质M2时会折射成为光线L2,同 时在介质Ml、M2的界面产生反射光R1，光线L2由介质M2进入抗反射结构501时会折射成 为光线L3,同时在介质M2与抗反射结构501的界面产生反射光R2,光线L3经由金属层500 的反射会产生反射光R3。在此，介质Ml例如为空气，介质M2例如为玻璃。抗反射结构501 的折射率与金属层500的折射率为不同，使得在抗反射结构501的界面所产生的反射光R2 与在金属层500的界面所产生的反射光R3产生光程差，而造成非建设性干涉（或破坏性干 涉）。抗反射结构501的折射率可为大于或小于金属层500的折射率。
[0070] 本发明实施例中，金属层500的材料可选自由铝（A1)、钼（Mo)、铬（Cr)、镍（Ni)、 铜（Cu)、铁（Fe)、钕（Nd)、其合金、及其混合物所组成的群组。亦即，金属层500可为前述金 属、前述金属的合金、或前述金属及前述合金的混合物。举例来说，当金属层500为合金时， 可例如为铝合金、镍合金或铜合金。
[0071] 抗反射结构501的材料可选自由一金属氧化物、一金属氮化物、一金属合金氧 化物、一金属合金氮化物、及其混合物所组成的族群。例如，抗反射结构可包括氧化铟锡 (indium tin oxide, ITO)、氧化铟锌（indium zinc oxide, IZO) 〇
[0072] 再者，抗反射结构501的材料所包括的金属，可与金属层500所包括的金属为相同 金属。例如，抗反射结构501可为金属层500的材料的氧化物或氮化物，并且，可通过使金 属层500进行氧化或氮化，而形成抗反射结构。具体而言，当金属层500为铝，抗反射结构 501可为铝的氧化物或氮化物。又例如，当金属层500为合金，抗反射结构501可为此合金 的氧化物、此合金的氮化物、此合金的氧化物、或此合金的氮化物。具体而言，当金属层500 为铝镍合金，抗反射结构501可为铝镍合金的氧化物或氮化物。当金属层500为铝铜合金， 抗反射结构501可为铝铜合金的氧化物或氮化物。
[0073] 如图2B所示，抗反射结构501设置于金属层500的上方，且抗反射结构501可完 全覆盖金属层500,并且覆盖金属层500的侧壁502。这样的结构能有效避免金属层500的 倾斜（taper)的侧壁502反射率过高的问题。
[0074] 此外，抗反射结构501也可为一两层或多层结构。举例来说，如图2C所示，抗反射 结构501可包括一第一抗反射层51与一第二抗反射层52,第一抗反射层51与第二抗反射 层52分别设置于金属层500的两侧。在本实施例中，第一抗反射层51位于金属层500的 上侧，可降低来自显示面板1外部的自然光反射，第二抗反射层52位于金属层500的位于 下侧，可降低来自背光模块（未绘示）的光源反射。在此，上侧可表示接近第二基板200的 出光侧，下侧可表示远离此出光侧的另一侧。
[0075] 然而，本发明并未限定抗反射结构501的层数，也就是说，抗反射结构501可包括 更多的抗反射层。抗反射结构501可位于金属层500的上侧或下侧，或者可同时位于金属 的上侧及下侧。并且，抗反射结构501的层数并没有限制。当抗反射结构501包括多层抗 反射层时，以多层抗反射层位于金属层500的上侧为例，多层抗射层中的每一层的折射率η 值并没有一定限制，例如，η值可为朝向出光侧而渐渐变大或渐渐变小。或者，η值也可是大 /小/大/小…交错排列。
[0076] 在本发明第一实施例中，第一基板101还可包括一第一保护层61、一第一电极71 及一第二电极72。第一保护层61位于有源层30与遮蔽结构50之间，第一电极71接触漏 极23,第二电极72设置于第一保护层61上。此外，遮蔽结构50可具有如图2C所绘示的 结构，也就是说，遮蔽结构50的抗反射结构501 (第二抗反射层52)可直接接触第一保护层 61。金属层500与抗反射结构501能有效遮蔽有源层30。
[0077] 第一电极71与第二电极72可为透明导电层，例如氧化铟锡或氧化铟锌。在本实 施例中，第一电极71可例如为一像素电极（pixel electrode)层，第二电极72可例如为一 共用电极（common electrode)层。如图1B所示，第二电极72可例如为一栅状。
[0078] 此外，图1B绘示栅极线（gate line) 21G与数据线（data line) 22D，图1A的栅极 21连接于图1B的栅极线21G，图1A的源极22连接于图1B数据线22D。
[0079] 本发明实施例的第二基板200可例如为一彩色滤光片基板，包括一底板80、一彩 色滤光片81、一遮光矩阵82及一平坦层86。平坦层86可为有机透明平坦层。遮光矩阵82 包括多个第一遮光部82-1及多个第一开口部83,多个第一遮光部82-1间隔设置并沿一第 一方向（Y方向）沿伸，且第一开口部83由第一遮光部82-1所曝露出。举例来说，图1B绘 示第二基板200的其中两个第一遮光部82-1，而第一开口部83位于两个第一遮光部82-1 之间。
[0080] 由于遮蔽结构50 (包括金属层500与抗反射结构501)已遮蔽有源层30,遮光矩阵 82可仅用以防止相邻像素间的混光。因此，有源层30在第二基板200上的垂直投影，至少 部分位于第一开口部83中，也就是说，以平面图透视观察有源层30与遮光矩阵82的位置 关系，遮光矩阵82的第一开口部83可曝露出至少部分的有源层30。亦即，此实施例的遮 光矩阵82可不需要在一第二方向上（图中为X方向）遮蔽有源层30。或者，遮光矩阵82 在第二方向上可遮蔽部分的有源层，而不需要遮蔽全部的有源层（第二方向不同于第一方 向，图中为X方向，此实施例中，第二方向为垂直于第一方向）。因此，此结构能有效降低遮 光矩阵82的面积，增加显示面板1的开口率。
[0081] 第二实施例
[0082] 图3A绘示本发明第二实施例的显示面板2的部分剖视图。图3B绘示本发明第二 实施例的显示面板2的部分俯视图。在此，图3A为沿着图3B的B-B'剖面线所绘示的显示 面板2的剖面示意图。要注意的是，为了更清楚说明显示面板2的结构，图3B的部分俯视 图省略部分元件，例如数据线22D、栅极线21G等结构。
[0083] 类似于第一实施例，显示面板2可包括一第一基板102、一第二基板200以及一显 示介质层300。第二基板200与第一基板102相对设置，显示介质层300设置于第一基板 1〇2与第二基板200之间。此外，显示面板2也可包括间隔物90,设置于第一基板102与第 二基板200之间。与第一实施例的显示面板1不同之处，在于第二实施例的第一基板102 的结构。
[0084] 本发明第二实施例的第一基板102包括一底板10、一栅极21、一有源层30、一源 极22与一漏极23、一栅极绝缘层40及一遮蔽结构50。栅极21设置于底板10上，有源层 30与栅极21电性绝缘且相对设置，源极22与漏极23电连接有源层30,栅极绝缘层40设 置于栅极21与有源层30之间。
[0085] 第一基板102还可包括一第一保护层61、一第一电极71及一第二电极72。第一 保护层61位于有源层30与遮蔽结构50之间，第一导电层71接触漏极23。此外，遮蔽结构 50可具有如图2C所绘示的结构，也就是说，遮蔽结构50的抗反射结构501 (第二抗反射层 52)可直接接触第一保护层61。金属层500与抗反射结构501能有效遮蔽有源层30。
[0086] 如图3A所示，第一基板102还包括一第二保护层62与一平坦层63。平坦层63位 于第一保护层61上。在本实施例中，平坦层63可例如设置于第一保护层61与第二电极72 之间，且平坦层63可例如包括有机材料，能有效将第二电极72与第一基板102中的其他元 件（例如：有源层30)绝缘。第二保护层62设置于平坦层63上，且部分的第二保护层62 介于第一电极71与第二电极72之间。
[0087] 如图3A所示，第一基板102可包括一贯孔（via) 27,贯孔27贯穿平坦层63和第一 保护层61，以曝露漏极23的一表面。至少部分第一电极71位于贯孔27内，使第一电极71 可电连接漏极23的表面。也就是说，第一电极71可沿着贯孔27而设置于第二保护层62、 漏极23及平坦层63的表面，并直接接触漏极23。
[0088] 第一电极71与第二电极72可为透明导电层，例如氧化铟锡或氧化铟锌。在本实 施例中，第一电极71可例如为一像素电极（pixel electrode)层，第二电极72可例如为一 共用电极（common electrode)层。如图3B所示，第一电极71可例如为一栅状。
[0089] 类似地，本发明实施例的第二基板200可例如为一彩色滤光片基板，包括一底板 80、一彩色滤光片81、一遮光矩阵82及一平坦层86。平坦层86可为有机透明平坦层。如 图3B所示，遮光矩阵82包括多个第一遮光部82-1及多个第一开口部83,多个第一遮光部 82-1间隔设置并沿一第一方向（Y方向）沿伸，且第一开口部83由第一遮光部82-1所曝露 出。
[0090] 此外，由于遮蔽结构50 (包括金属层500与抗反射结构501)已遮蔽有源层30,遮 光矩阵82可仅用以防止相邻像素间的混光，因此，有源层30在第二基板200上的垂直投 影，至少部分位于第一开口部83中，也就是说，以平面图透视观察有源层30与遮光矩阵82 的位置关系，遮光矩阵82的第一开口部83可曝露出至少部分的有源层30。亦即，此实施例 的遮光矩阵82可不需要在X方向上遮蔽有源层30。或者，遮光矩阵82在X方向上可遮蔽 部分的有源层30,而不需要遮蔽全部的有源层30。因此，此结构能有效降低遮光矩阵82的 面积，增加显示面板2的开口率。
[0091] 第三实施例
[0092] 图4绘示本发明第三实施例的显示面板3的部分剖视图。本发明第三实施例的显 示面板3的俯视图类似于第二实施例，因此可直接参照图3B所绘示的结构。
[0093] 类似于第二实施例，显示面板3可包括一第一基板103、一第二基板200以及一显 示介质层300。第二基板200与第一基板103相对设置，显示介质层300设置于第一基板 103与第二基板200之间。此外，显示面板3也可包括间隔物90,设置于第一基板103与第 二基板200之间。与第二实施例的显示面板2不同之处，在于第一基板103的遮蔽结构50。
[0094] 在本实施例中，遮蔽结构50可具有如图2B所绘示的结构，也就是说，遮蔽结构50 的抗反射结构501设置于金属层500的上方，且完全覆盖金属层500。此外，遮蔽结构50的 金属层500直接接触第二电极72。
[0095] 由于第二电极72可为透明导电层，例如氧化铟锡或氧化铟锌，因此，第二电极72 可作为遮蔽结构50的另一层抗反射结构，也就是说，本实施例的抗反射结构可包括一电极 (即第二电极72)，通过将金属层500直接接触第二导电层72,可有效降低金属层500的反 射率。在此，位于金属层500上方的抗反射结构501可降低来自显示面板3外部的自然光 反射，第二电极72可降低来自背光模块（未绘不）的光源反射。
[0096] 在本发明实施例中，遮蔽结构50可包括金属层500、位于金属层500上侧的第一抗 反射层51及位于金属层500下侧的第二抗反射层52 (见图2C)。第一抗反射层51可包括 金属合金的氮化物和透明导电层，第二抗反射层52可包括透明导电层。例如，具体的遮蔽 结构50可为ITO/AlCu/AlCuN/ITO的叠层，其中的ΙΤ0为透明导电层，且可与像素电极或共 同电极为共用，例如，可与第二电极72为共用。
[0097] 类似地，如图4所示，第一基板103可包括一贯孔27,贯孔27贯穿平坦层63和第 一保护层61，以曝露漏极23的一表面。至少部分第一电极71位于贯孔27内，使第一电极 71可电连接漏极23的表面。也就是说，第一电极71可沿着贯孔27设置于第二保护层62、 漏极23及平坦层63的表面，并直接接触漏极23。
[0098] 本发明第三实施例的第二基板200的结构类似于第一、第二实施例，在此不多加 赘述。
[0099] 第四实施例
[0100] 图5A绘示本发明第四实施例的显示面板4的部分剖视图。图5B绘示本发明第四 实施例的显示面板4的部分俯视图。在此，图5A为沿着图5B的C-C'剖面线所绘示的显示 面板4的剖面示意图。要注意的是，为了更清楚说明显示面板4的结构，图5B的部分俯视 图省略部分元件，例如数据线22D、栅极线21G等结构。
[0101] 类似于第二实施例，显示面板4可包括一第一基板102、一第二基板201以及一显 示介质层300。第二基板201与第一基板102相对设置，显示介质层300设置于第一基板 1〇2与第二基板201之间。此外，显示面板4也可包括间隔物90,设置于第一基板102与第 二基板201之间。与第二实施例的显示面板2不同之处，在于第四实施例的第二基板201 的结构。
[0102] 由于贯孔27的存在，部分液晶有可能位于贯孔27中，产生液晶运转异常的现象。 因此，在本实施中，可利用遮光矩阵82'遮蔽贯孔27,避免上述现象影响显示品质。
[0103] 在本实施例中，第二基板201可例如为一彩色滤光片基板，包括一底板80、一彩色 滤光片81、一遮光矩阵82'及一平坦层86。平坦层86可为有机透明平坦层。遮光矩阵82' 包括多个第一遮光部82-1、多个第二遮光部82-2及多个第二开口部84。第一遮光部82-1 间隔设置且沿一第一方向沿伸，第二遮光部82-2沿一第二方向沿伸，第一方向和第二方向 为不同。在本实施例中，第一方向例如为Y方向，第二方向例如为X方向，且第二开口部84 由第一遮光部82-1和第二遮光部82-2曝露出。
[0104] 举例来说，图5B绘示两个第一遮光部82-1与两个第二遮光部82-2,两个第一遮 光部82-1与两个第二遮光部82-2的中间的区域即为第二开口部84。此外，第二遮光部 82-2的至少一者可具有一条状部82-2 (T)和一凸出部82-2 (P)，凸出部82-2 (P)由条状部 82-2 (T)的一侧边凸出。
[0105] 在本实施例中，遮光矩阵82'设置于贯孔27上，凸出部82-2 (P)可遮蔽贯孔27,且 第一基板102的有源层30在第二基板201上的垂直投影，至少部分位于第二开口部84中。 也就是说，以平面图透视观察有源层30与遮光矩阵82'的位置关系，遮光矩阵82'的第二 开口部84可曝露出至少部分的有源层30。
[0106] 此外，遮光矩阵82'的第一遮光部82-1可用以防止相邻像素间的混光，第二遮光 部82-2可用以遮蔽贯孔27。由于遮蔽结构50(包括金属层500与抗反射结构501)已遮 蔽有源层30,此实施例的遮光矩阵82'仅用以防止相邻像素间的混光且对应遮蔽贯孔27， 在X方向上可遮蔽部分的有源层30,而不需要遮蔽全部的有源层30。因此，能有效降低遮 光矩阵82'的面积，增加显示面板4的开口率。
[0107] 第五实施例
[0108] 图6绘示本发明第五实施例的显示面板5的部分剖视图。本发明第五实施例的显 示面板5的俯视图类似于第四实施例，因此可直接参照图5B所绘示的结构。
[0109] 在本实施例中，遮蔽层50可具有如图2B所绘示的结构，也就是说，遮蔽结构50的 抗反射结构501设置于金属层500的上方，且完全覆盖金属层。此外，如图6所示，遮蔽层 50 (的金属层500)可直接接触第二电极72。
[0110] 由于第二电极72可为透明导电层，例如氧化铟锡或氧化铟锌，因此，第二电极72 可作为金属层500的另一层抗反射结构，也就是说，通过将金属层500直接接触第二电极 72,可有效降低金属层500的反射率。
[0111] 本发明第五实施例也可包括第二基板201，第二基板201例如为一彩色滤光片基 板，可包括一底板80、一彩色滤光片81、一遮光矩阵82'及一平坦层86。平坦层86可为有 机透明平坦层。遮光矩阵82'设置于贯孔27上，且可包括第一遮光部82-1与第二遮光部 82-2。第一遮光部82-1可用以防止相邻像素间的混光，第二遮光部82-2的凸出部82-2 (P) 可用以遮蔽贯孔27。由于接触第二电极72的遮蔽结构50 (包括金属层500与抗反射结构 501)已遮蔽有源层30,遮光矩阵82'仅用以防止相邻像素间的混光且对应遮蔽贯孔27,在 X方向上可遮蔽部分的有源层30,而不需要遮蔽全部的有源层30。因此，能有效降低遮光矩 阵82'的面积，增加显示面板5的开口率。
[0112] 本发明的遮蔽结构50可用来遮蔽晶体管中的有源层30,因此，对侧基板上的遮光 矩阵82、82'可不需用来遮蔽有源层30,或者只需要遮蔽部分的有源层30。因此，遮光矩 阵82、82'的面积可得以减少，而增加显示面板的开口率。虽然以上实施例以边界电场切换 型液晶显不器（fringe field switching liquid crystal display, FFS LCD))为例，但 本发明并不限限定于此。本发明适用于具有晶体管的所有类型显示面板，例如IXD面板及 0LED面板。可应用的IXD面板，除了边界电场切换型液晶显示器之外，也包括扭转向列型 (twisted nematic, TN)LCD，以及平面切换型（in-plane switching, IPS)LCD、垂直配向型 (vertical alignment, VA) LCD 等等，但不以此为限。
[0113] 再者，本发明各实施例的显示面板以金属层500搭配抗反射结构501对有源层30 进行遮蔽，这是由于金属本身反射率太高，可能无法有效遮蔽，因此通过抗反射结构501降 低光的反射，使金属层500搭配抗反射结构501达到良好的遮蔽效果。以下以铝-铜的氮 化物/氧化铟锌（ΙΖ0)为抗反射结构501的一实施例，量测其对于不同波长光线的反射率。
[0114] 图7A~图7C绘示遮光结构为铝钕合金/铝-铜的氮化物/氧化铟锌（AINd/ AlCuN/IZO)，对于不同波长光线的反射率的量测结果。图7A于铝-铜的氮化物的厚度为 400 A，且氧化铟锌厚度分别为420 560 A、700 A下，搭配偏光片（polarizer)量 测不同波长光线的反射率。图7B于铝-铜的氮化物的厚度为560 A,且氧化铟锌厚度分别 为42〇A、560A.、700晨下，搭配偏光片量测不同波长光线的反射率。图7C于铝-铜 的氮化物的厚度为750 A，且氧化铟锌厚度分别为420 A、560 A、700 A下，搭配偏光 片量测不同波长光线的反射率。
[0115] 图8绘示以厚度为2500 A的铝（A1)以及铝-钕（Al-Nd)合金，对于不同波长光 线的反射率的量测结果。
[0116] 比较图7A~图7C与图8的结果，可明显看出无论在何种厚度组合下，铝钕合金/ 铝-铜的氮化物/氧化铟锌对于不同波长光线的反射率都明显低于铝或铝-钕合金对于不 同波长光线的反射率。也就是说，通过铝-铜的氮化物/氧化铟锌作为抗反射结构501，能 有效降低光的反射，使金属层500搭配抗反射结构501达到良好的遮蔽效果。
[0117] 承上述实施例，本发明的显示面板可通过在基板上设置一金属层与抗反射结构， 缩小遮光矩阵的面积，有效提升显示面板的开口率，达到显示器省电节能的目的。
[0118] 虽然结合以上实施例公开了本发明，然而其并非用以限定本发明。本发明所属技 术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，可作各种的更动与润饰。因 此，本发明的保护范围应当以附上的权利要求所界定的为准。
【主权项】
1. 一种显不面板，包括： 第一基板，包括： 底板； 栅极，设置于该底板上； 有源层，与该栅极电性绝缘且对应设置； 源极与漏极，电连接该有源层；及 遮蔽结构，位于该有源层上，该遮蔽结构覆盖至少部分的该有源层，该遮蔽结构包括金 属层及抗反射结构，该抗反射结构直接接触该金属层； 第二基板；以及 显示介质层，设置于该第一基板与该第二基板之间。2. 如权利要求1所述的显示面板，其中该第一基板还包括： 第一保护层，位于该有源层和该遮蔽结构之间。3. 如权利要求1所述的显示面板，其中该第二基板包括遮光矩阵，该遮光矩阵包括： 多个第一遮光部；及 多个第一开口部，由该些第一遮光部曝露出， 其中该些第一遮光部间隔设置且沿一第一方向沿伸，且该有源层在该第二基板上的垂 直投影，至少部分位于该第一开口部中。4. 如权利要求2所述的显示面板，其中该第一基板还包括： 平坦层，位于该第一保护层上。5. 如权利要求4所述的显示面板，其中该第一基板还包括： 贯孔，贯穿该平坦层和该第一保护层，以曝露该漏极的一表面； 第一电极，该第一电极的至少部分位于该贯孔内，以使该第一电极电连接该漏极的该 表面。6. 如权利要求5所述的显示面板，其中该第二基板包括遮光矩阵，该遮光矩阵包括： 多个第一遮光部； 多个第二遮光部；及 多个第二开口部，由该些第一遮光部和该些第二遮光部曝露出， 其中该些第一遮光部间隔设置且沿该一第一方向沿伸，该些第二遮光部沿一第二方向 沿伸，该第一方向和该第二方向为不同，该第二遮光部的至少一者具有一条状部和一凸出 部，该凸出部由该条状部的一侧边凸出，该凸出部遮蔽该贯孔，且该有源层在该第二基板上 的垂直投影，至少部分位于该第二开口部中。7. 如权利要求4所述的显示面板，其中该抗反射结构包括电极。8. 如权利要求7所述的显示面板，其中该抗反射结构的材料包括氧化铟锡、或氧化铟 锌。9. 如权利要求1所述的显示面板，其中该金属层的材料为择自由铝、钼、铬、镍、铜、铁、 钕、其合金、及其混合物所组成的族群中。10. 如权利要求1所述的显示面板，其中该抗反射结构的材料为择自由一金属氧化物、 一金属氮化物、一金属合金氧化物、一金属合金氮化物、及其混合物所组成的族群中。
【文档编号】G02F1/1362GK105990371SQ201510067247
【公开日】2016年10月5日
【申请日】2015年2月9日
【发明人】赖晓萍, 吕昭良, 颜子旻, 谢朝桦
【申请人】群创光电股份有限公司