局部曝光异常缺陷自动检测方法
【专利摘要】本发明提供了一种局部曝光异常缺陷自动检测方法，包括：采用缺陷检测机台检测晶圆的缺陷信号，并且根据检测结果生成缺陷信号文件；将缺陷信号文件转化为二值图像文件，其中每一个缺陷点构成一个有效像素；利用聚类算法对缺陷点构成的所有有效像素进行聚类分析，获取群聚缺陷的信息，并且记录该群聚缺陷在晶圆上的位置信息；根据晶圆标识信息，从制造执行系统中获取所述晶圆所通过的工艺机台的机台信息；将所述晶圆标识信息、所述机台信息、所述群聚缺陷信号以及群聚缺陷在晶圆上的位置信息保存至数据库；遍历获取的所有群聚缺陷，根据群聚缺陷特征以及机台信息，在所述数据库中检索特定时间间隔内是否有符合相似性条件的缺陷发生。
【专利说明】
局部曝光异常缺陷自动检测方法
技术领域
[0001]本发明涉及半导体制造领域以及信息技术领域，更具体地说，本发明涉及一种局部曝光异常缺陷自动检测方法。
【背景技术】
[0002]当前，在半导体工艺处理中，对于局部曝光异常缺陷的检测的方法是:缺陷扫描机台对晶圆进行缺陷扫描，将检测结果送至相应的缺陷报告系统后人工排查构成群聚(cluster)的缺陷，如果存在该类缺陷，则对同批次的晶圆进行比较，如果有相似的群聚缺陷发生在相同的位置，则认为该缺陷为局部曝光异常缺陷。
[0003]但是，上述方案的缺点在于，一方面，人为手动操缺少及时性;而且另一方面，在不同晶圆间进行比较时也需要进行人工判断，由此很难保证人工判断的准确性。
[0004]由此，希望能够提供一种无须人工操作的实现局部曝光异常缺陷自动检测的方法。
【发明内容】
[0005]本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种能够在无须人工操作的情况下有效地实现局部曝光异常缺陷自动检测的改进方法。
[0006]为了实现上述技术目的，根据本发明，提供了一种局部曝光异常缺陷自动检测方法，包括:
[0007]第一步骤:采用缺陷检测机台检测晶圆的缺陷信号，并且根据检测结果生成缺陷信号文件；
[0008]第二步骤:将缺陷信号文件转化为二值图像文件，其中每一个缺陷点构成一个有效像素；
[0009]第三步骤:利用聚类算法对缺陷点构成的所有有效像素进行聚类分析，获取群聚缺陷的信息，并且记录该群聚缺陷在晶圆上的位置信息；
[0010]第四步骤:根据晶圆标识信息，从制造执行系统中获取所述晶圆所通过的工艺机台的机台信息；
[0011]第五步骤:将所述晶圆标识信息、所述机台信息、所述群聚缺陷信号以及群聚缺陷在晶圆上的位置信息保存至数据库；
[0012]第六步骤:遍历获取的所有群聚缺陷，根据群聚缺陷特征以及机台信息，在所述数据库中检索特定时间间隔内是否有符合相似性条件的缺陷发生。
[0013]优选地，所述局部曝光异常缺陷自动检测方法还包括:如果在所述数据库中检索到符合相似性条件的结果，则判断检测到的群聚缺陷是一个有效的局部曝光异常缺陷。
[0014]优选地，所述局部曝光异常缺陷自动检测方法还包括:如果在所述数据库中没有检索到符合相似性条件的结果，则判断检测到的群聚缺陷是一个无效的局部曝光异常缺陷。
[0015]优选地，所述有符合相似性条件的缺陷是发生在晶圆相同位置上的具有相同群聚缺陷特征以及相同机台信息的缺陷。
[0016]优选地，所述群聚缺陷特征是群聚缺陷的位置。
[0017]优选地，所述群聚缺陷特征是群聚缺陷的形状。
[0018]优选地，所述晶圆标识信息是晶圆识别码。
[0019]优选地，所述晶圆标识信息是晶圆批次识别码。
[0020]在本发明中，通过聚类算法自动检测可能的局部曝光异常缺陷，通过相应的回溯算法检查通过同一机台的其它晶圆在相同位置是否存在同样的缺陷信号，如果存在则认为是正确的局部曝光异常缺陷信号。由此，本发明能够有效地解决人工判断群聚信号是否在相同位置时准确性和及时性较低的问题，及时发现有问题的晶圆。
【附图说明】
[0021]结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本发明有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中:
[0022]图1示意性地示出了根据本发明优选实施例的局部曝光异常缺陷自动检测方法的流程图。
[0023]需要说明的是，附图用于说明本发明，而非限制本发明。注意，表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。
【具体实施方式】
[0024]为了使本发明的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本发明的内容进行详细描述。
[0025]在本发明中，通过聚类算法自动检测可能的局部曝光异常缺陷，通过相应的回溯算法检查通过同一机台的其它晶圆在相同位置是否存在同样的缺陷信号，如果存在则认为是正确的局部曝光异常缺陷信号。
[0026]下面将描述本发明的具有优选实施例。
[0027]图1示意性地示出了根据本发明优选实施例的局部曝光异常缺陷自动检测方法的流程图。
[0028]如图1所示，根据本发明优选实施例的局部曝光异常缺陷自动检测方法包括:
[0029]第一步骤S1:采用缺陷检测机台检测晶圆的缺陷信号，并且根据检测结果生成缺陷信号文件；
[0030]例如，所述缺陷检测机台是型号为KLA-Tencor 2825的机台。KLA-Tencor 2825机台检测到缺陷信号后会生成标准的缺陷信号文件。但是，需要说明的是，陷检测机台的型号并不局限于型号为KLA-Tencor 2825的机台，实际上，例如所有可以正常生成KLARF标准格式文件的扫描机台均适用于本发明。
[0031]第二步骤S2:将缺陷信号文件转化为二值图像文件，其中每一个缺陷点构成一个有效像素；
[0032]第三步骤S3:利用聚类算法对缺陷点构成的所有有效像素进行聚类分析，获取群聚缺陷的信息，并且记录该群聚缺陷在晶圆上的位置信息；
[0033]第四步骤S4:根据晶圆标识信息，从制造执行系统中获取所述晶圆所通过的工艺机台的机台信息；
[0034]例如，所述晶圆标识信息是晶圆批次识别码和/或晶圆识别码。
[0035]第五步骤S5:将所述晶圆标识信息、所述机台信息、所述群聚缺陷信号以及群聚缺陷在晶圆上的位置信息保存至数据库；
[0036]第六步骤S6:遍历获取的所有群聚缺陷，根据群聚缺陷特征以及机台信息，在所述数据库中检索特定时间间隔内是否有符合相似性条件的缺陷发生。
[0037]由此，如果在所述数据库中检索到符合相似性条件的结果，则判断检测到的群聚缺陷是一个有效的局部曝光异常缺陷。反之，如果在所述数据库中没有检索到符合相似性条件的结果，则判断检测到的群聚缺陷是一个无效的局部曝光异常缺陷。
[0038]具体地，所述有符合相似性条件的缺陷是发生在晶圆相同位置上的具有相同群聚缺陷特征以及相同机台信息的缺陷。
[0039]例如，优选地，所述群聚缺陷特征是群聚缺陷的位置和/或群聚缺陷的形状。
[0040]而且，例如，具体地，所述特定时间间隔指的是之前的预定天数之内。
[0041]在本发明中，通过聚类算法自动检测可能的局部曝光异常缺陷，通过相应的回溯算法检查通过同一机台的其它晶圆在相同位置是否存在同样的缺陷信号，如果存在则认为是正确的局部曝光异常缺陷信号。由此，本发明能够有效地解决人工判断群聚信号是否在相同位置时准确性和及时性较低的问题，及时发现有问题的晶圆。
[0042]此外，需要说明的是，除非特别说明或者指出，否则说明书中的术语“第一”、“第二”、“第三”等描述仅仅用于区分说明书中的各个组件、元素、步骤等，而不是用于表示各个组件、元素、步骤之间的逻辑关系或者顺序关系等。
[0043]可以理解的是，虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本发明。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。
【主权项】
1.一种局部曝光异常缺陷自动检测方法，其特征在于包括: 第一步骤:采用缺陷检测机台检测晶圆的缺陷信号，并且根据检测结果生成缺陷信号文件； 第二步骤:将缺陷信号文件转化为二值图像文件，其中每一个缺陷点构成一个有效像素； 第三步骤:利用聚类算法对缺陷点构成的所有有效像素进行聚类分析，获取群聚缺陷的信息，并且记录该群聚缺陷在晶圆上的位置信息； 第四步骤:根据晶圆标识信息，从制造执行系统中获取所述晶圆所通过的工艺机台的机台信息； 第五步骤:将所述晶圆标识信息、所述机台信息、所述群聚缺陷信号以及群聚缺陷在晶圆上的位置信息保存至数据库； 第六步骤:遍历获取的所有群聚缺陷，根据群聚缺陷特征以及机台信息，在所述数据库中检索特定时间间隔内是否有符合相似性条件的缺陷发生。2.根据权利要求1所述的局部曝光异常缺陷自动检测方法，其特征在于还包括:如果在所述数据库中检索到符合相似性条件的结果，则判断检测到的群聚缺陷是一个有效的局部曝光异常缺陷。3.根据权利要求1或2所述的局部曝光异常缺陷自动检测方法，其特征在于还包括:如果在所述数据库中没有检索到符合相似性条件的结果，则判断检测到的群聚缺陷是一个无效的局部曝光异常缺陷。4.根据权利要求1或2所述的局部曝光异常缺陷自动检测方法，其特征在于，所述有符合相似性条件的缺陷是发生在晶圆相同位置上的具有相同群聚缺陷特征以及相同机台信息的缺陷。5.根据权利要求1或2所述的局部曝光异常缺陷自动检测方法，其特征在于，所述群聚缺陷特征是群聚缺陷的位置。6.根据权利要求1或2所述的局部曝光异常缺陷自动检测方法，其特征在于，所述群聚缺陷特征是群聚缺陷的形状。7.根据权利要求1或2所述的局部曝光异常缺陷自动检测方法，其特征在于，所述晶圆标识?目息是晶圆识别码。8.根据权利要求1或2所述的局部曝光异常缺陷自动检测方法，其特征在于，所述晶圆标识信息是晶圆批次识别码。9.根据权利要求1或2所述的局部曝光异常缺陷自动检测方法，其特征在于，所述缺陷检测机台的类型为所有晶圆缺陷扫描机台。
【文档编号】H01L21/66GK106067427SQ201610356816
【公开日】2016年11月2日
【申请日】2016年5月25日 公开号201610356816.7, CN 106067427 A, CN 106067427A, CN 201610356816, CN-A-106067427, CN106067427 A, CN106067427A, CN201610356816, CN201610356816.7
【发明人】陈旭, 娄晓祺, 邵雄
【申请人】上海华力微电子有限公司