极管模块140中包含多个静电二极管时，多个静电二极管并联连接，或首尾串联连接，此处不作限制。静电二极管模块140的额定电压大于等于2千伏且小于等于16千伏。静电二极管模块140的额定电流为40安培。
[0031]以下以激光二极管模块130包括激光二极管LD，静电二极管模块140中包含一个静电二极管ESD为例进行说明:
[0032]运算放大器Ul的正极性输入端连接信号源，运算放大器Ul的负极性输入端连接滤波电容Cl的一端以及第一限流电阻Rl的一端，滤波电容Cl的另一端连接运算放大器Ul的输出端，第一限流电阻Rl的另一端连接晶体管Ql的输出端，运算放大器Ul的输出端还连接第二限流电阻R2的一端，第二限流电阻R2的另一端连接晶体管Ql的控制端。
[0033]晶体管Ql的输入端连接激光二极管LD的负极，晶体管Ql的输入端还连接静电二极管ESD的正极，静电二极管ESD的负极连接激光二极管LD的正极，激光二极管LD的正极连接电源；晶体管Ql的输出端连接电流检测电阻R3的一端，电流检测电阻R3的一端还连接第一限流电阻Rl的另一端，电流检测电阻R3的另一端接地。
[0034]其中，晶体管Ql可以为NPN型三极管，NPN型三极管包括基极、集电极以及发射极，基极为控制端，集电极为输入端，发射极为输出端。
[0035]其中，晶体管Ql也可以为N沟道场效应管，场效应管包括栅极、源极以及漏极，栅极为控制端，源极为输入端，漏极为输出端。
[0036]其中，电流检测电阻的阻值大于零欧姆且小于I欧姆。
[0037]其中，第一限流电阻Rl的阻值为I千欧姆，滤波电容Cl的容值为100纳法。
[0038]当输入激光二极管LD的电源信号为正常工作电压时，静电二极管ESD截止，电源信号输入激光二极管LD的正极，以使激光二极管LD正常工作。
[0039]当输入激光二极管LD的电源信号为瞬间冲击电压时，静电二极管ESD块导通，电源信号输入静电二极管ESD的负极，且电源信号停止输入激光二极管LD的正极。
[0040]具体地:当输入激光二极管LD的电源信号为正常工作电压(例如5V，但并不限于此)时，静电二极管ESD截止，电源信号输入激光二极管LD的正极，为激光二极管LD提供正常工作电压，以使激光二极管LD正常工作。
[0041]当激光二极管LD正常工作时，信号源输入的激光控制信号经过运算放大器Ul放大后，通过第二限流电阻R2向晶体管Ql输出控制信号，以控制晶体管Ql导通，晶体管Ql的输入端和输出端建立通信连接，激光二极管LD输出的信号经过晶体管Ql进行放大。
[0042]其中，当晶体管Ql为NPN型三极管时，NPN型三极管集电极与发射极建立通信连接，使NPN型三极管导通。
[0043]其中，晶体管Ql为N沟道场效应管时，场效应管的源极与漏极建立通信连接，使N沟道场效应管导通。
[0044]当雷雨天气或激光二极管保护电路100处于静电环境中时，输入激光二极管LD的电源信号为瞬间冲击电压。静电二极管ESD瞬间导通，瞬间冲击电压输入静电二极管ESD的负极，静电二极管ESD被瞬间击穿，电流经过静电二极ESD流向晶体管Ql的输入端。
[0045]由于此时电源信号停止输入激光二极管LD的正极，激光二极管LD被短路，得不到正常供电，激光二极管LD以及晶体管Ql不工作，以使激光二极管LD以及晶体管Ql免于受瞬间冲击电压的影响，从而达到保护激光二极管LD以及晶体管Ql的目的。
[0046]可以理解的是，当静电二极管ESD被瞬间冲击电压击穿后，能够快速恢复初始状
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[0047]上述方案，通过在激光二极管LD的两端并联静电二极管ESD，能够使得当雷雨天气或受静电影响时，防止激光二极管LD被静电或瞬间高压击穿。
[0048]本实用新型还提供一种激光设备，该激光设备包括上述任一种的激光二极管保护电路。具体请参阅上述实施例中的相关描述，此处不赘述。
[0049]以上所述仅为本实用新型的实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。
【主权项】
1.一种激光二极管保护电路，其特征在于，所述激光二极管保护电路包括:信号放大模块、电流控制模块、激光二极管模块以及静电二极管模块； 所述信号放大模块的输入端连接信号源，所述信号放大模块的输出端连接所述电流控制模块，所述电流控制模块连接所述激光二极管模块的负极，所述激光二极管模块的正极连接电源，所述激光二极管模块的负极还连接所述静电二极管模块的正极，所述静电二极管模块的负极连接所述激光二极管模块模块的正极； 当输入所述激光二极管模块的电源信号为正常工作电压时，所述静电二极管模块截止，所述电源信号输入所述激光二极管模块的正极，以使所述激光二极管模块正常工作； 当输入所述激光二极管模块的电源信号为瞬间冲击电压时，所述静电二极管模块导通，所述电源信号输入所述静电二极管模块的负极，且所述电源信号停止输入所述激光二极管模块的正极。2.根据权利要求1所述的激光二极管保护电路，其特征在于，所述静电二极管模块的额定电压大于等于2千伏且小于等于16千伏。3.根据权利要求1所述的激光二极管保护电路，其特征在于，所述静电二极管模块的额定电流为40安培。4.根据权利要求1所述的激光二极管保护电路，其特征在于，所述信号放大模块包括运算放大器、滤波电容、第一限流电阻以及第二限流电阻； 所述运算放大器的正极性输入端连接信号源，所述运算放大器的负极性输入端连接所述滤波电容的一端以及所述第一限流电阻的一端，所述滤波电容的另一端连接所述运算放大器的输出端，所述运算放大器的输出端还连接所述第二限流电阻的一端，所述第二限流电阻的另一端连接所述电流控制模块的控制端。5.根据权利要求1所述的激光二极管保护电路，其特征在于，所述电流控制模块包括晶体管以及电流检测电阻，所述晶体管的控制端连接所述信号放大模块，所述晶体管的输入端连接所述激光二极管模块，所述晶体管的输出端连接所述电流检测电阻的一端，所述电流检测电阻的另一端接地。6.根据权利要求5所述的激光二极管保护电路，其特征在于，所述晶体管为NPN型三极管，所述NPN型三极管包括基极、集电极以及发射极，所述基极为控制端，所述集电极为输入端，所述发射极为输出端。7.根据权利要求5所述的激光二极管保护电路，其特征在于，所述晶体管为N沟道场效应管，所述场效应管包括栅极、源极以及漏极，所述栅极为所述控制端，所述源极为所述输入端，所述漏极为所述输出端。8.根据权利要求5所述的激光二极管保护电路，其特征在于，所述电流检测电阻的阻值大于零欧姆且小于I欧姆。9.根据权利要求4所述的激光二极管保护电路，其特征在于，所述第一限流电阻的阻值为I千欧姆，所述滤波电容的容值为100纳法。10.一种激光设备，其特征在于，所述激光设备包括上述任一项所述的激光二极管保护电路。
【专利摘要】本实用新型公开了一种激光二极管保护电路及激光设备。其中，激光二极管保护电路包括：信号放大模块、电流控制模块、激光二极管模块以及静电二极管模块；所述信号放大模块的输入端连接信号源，所述信号放大模块的输出端连接所述电流控制模块，所述电流控制模块连接所述激光二极管模块的负极，所述激光二极管模块的正极连接电源，所述激光二极管模块的负极还连接所述静电二极管模块的正极，所述静电二极管模块的负极连接所述激光二极管模块模块的正极。通过上述方式，本实用新型能够防止激光二极管被静电或瞬间高压击穿。
【IPC分类】H01S5/04
【公开号】CN204809639
【申请号】CN201520430502
【发明人】王朝军
【申请人】深圳联品激光技术有限公司
【公开日】2015年11月25日
【申请日】2015年6月19日