注入锁定q开关高功率单纵模激光器的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种采用注入锁定法进行主动调Q的激光器，尤其涉及一种单脉冲单纵模调Q激光器，属于激光设备领域。
【背景技术】
[0002]单纵模脉冲激光器以其单色性好、时域无调制的特点在高能量放大系统中常作为脉冲种子源。实现单纵模运转可采用色散法，F-P标准具法，复合腔法，环行腔法以及上述方法的组合方法。单纵模激光器结构一般较复杂且输出功率(能量)较小。为了提高单频脉冲峰值功率可采用调Q方法，主动调Q所需的器件体积大，构成复杂；被动Q开关结构简单、使用方便，因此在对输出脉冲没有严格时序要求的情况下，可优先考虑用被动调Q方法实现单纵模运转，国内已有环形腔结构被动调Q方案实现单纵模运转的报道。
【实用新型内容】
[0003]为了克服现有技术的不足，解决好现有技术的问题，弥补现有目前市场上现有产品的不足。
[0004]本实用新型提供了一种注入锁定Q开关高功率单纵模激光器，包括第一激光发射器、第一 Q开关、PZT、标准具、光阑、第一波片、第二波片、偏振器、衰减器、介质膜偏振装置、第二激光发射器、親合器、第三波片、第二 Q开关、发生器、滤光片和干涉仪，所述第一激光发射器两侧分别设置第一 Q开关和PZT，所述第二激光发射器两侧分别设置介质膜偏振装置和耦合器。
[0005]优选的，上述第一波片、第二波片和第三波片均为λ/4波片。
[0006]优选的，上述耦合器为输出镜耦合器，所述干涉仪为扫描共焦干涉仪或F-P干涉仪。
[0007]优选的，上述发生器为二次谐波发生器，所述滤光片为1.06 μπι的滤光片。
[0008]优选的，其中按照光路依次设置一激光发射器、第一 Q开关、标准具、光阑、第二波片、偏振器、衰减器、介质膜偏振装置、第二激光发射器、耦合器、发生器、滤光片和干涉仪。
[0009]本实用新型提供的注入锁定Q开关高功率单纵模激光器采用注入锁定来代替谐振腔内通常使用的谱选择元件成功地使Q开关高功率非稳定谐振腔Nd:YAG振荡器实现单纵模工作，可以获得较高功率、带宽较宽的脉冲能量。
【附图说明】
[0010]图1为本实用新型结构示意图。
[0011]附图标记:1-第一激光发射器；2_第一 Q开关；3-PZT ;4-标准具；5-光阑；6-第一波片；7_第二波片；8_偏振器；9_衰减器；10_介质膜偏振装置；11_第二激光发射器；12-耦合器；13_第三波片；14-第二 Q开关；15_发生器；16-滤光片；17_干涉仪。
【具体实施方式】
[0012]为了便于本领域普通技术人员理解和实施本实用新型，下面结合附图及【具体实施方式】对本实用新型作进一步的详细描述。
[0013]本实用新型提供的注入锁定Q开关高功率单纵模激光器，包括第一激光发射器1、第一 Q开关2、PZT3、标准具4、光阑5、第一波片6、第二波片7、偏振器8、衰减器9、介质膜偏振装置10、第二激光发射器11、親合器12、第三波片13、第二 Q开关14、发生器15、滤光片16和干涉仪17，第一激光发射器I两侧分别设置第一 Q开关2和PZT3，第二激光发射器11两侧分别设置介质膜偏振装置10和耦合器12。
[0014]其中，第一波片6、第二波片7和第三波片13均为λ/4波片。耦合器12为输出镜耦合器，干涉仪17为扫描共焦干涉仪或F-P干涉仪。发生器15为二次谐波发生器，滤光片16为1.06 μ m的滤光片。其中按照光路依次设置一激光发射器1、第一 Q开关2、标准具4、光阑5、第二波片7、偏振器8、衰减器9、介质膜偏振装置10、第二激光发射器11、耦合器
12、发生器15、滤光片16和干涉仪17。
[0015]本实用新型提供的注入锁定Q开关高功率单纵模激光器采用注入锁定来代替谐振腔内通常使用的谱选择元件成功地使Q开关高功率非稳定谐振腔Nd:YAG振荡器实现单纵模工作，可以获得较高功率、带宽较宽的脉冲能量。
[0016]以上所述之【具体实施方式】为本实用新型的较佳实施方式，并非以此限定本实用新型的具体实施范围，本实用新型的范围包括并不限于本【具体实施方式】，凡依照本实用新型之形状、结构所作的等效变化均在本实用新型的保护范围内。
【主权项】
1.一种注入锁定Q开关高功率单纵模激光器，其特征在于:所述单纵模激光器包括第一激光发射器(I)、第一 Q开关(2)、PZT (3)、标准具(4)、光阑(5)、第一波片(6)、第二波片(7)、偏振器(8)、衰减器(9)、介质膜偏振装置(10)、第二激光发射器(11)、耦合器(12)、第三波片(13)、第二 Q开关(14)、发生器(15)、滤光片(16)和干涉仪(17)，所述第一激光发射器(I)两侧分别设置第一 Q开关(2)和PZT (3)，所述第二激光发射器(11)两侧分别设置介质膜偏振装置(10)和耦合器(12)。2.根据权利要求1所述的注入锁定Q开关高功率单纵模激光器，其特征在于:所述第一波片(6)、第二波片(7)和第三波片(13)均为λ/4波片。3.根据权利要求1所述的注入锁定Q开关高功率单纵模激光器，其特征在于:所述耦合器(12)为输出镜耦合器，所述干涉仪(17)为扫描共焦干涉仪或F-P干涉仪。4.根据权利要求1所述的注入锁定Q开关高功率单纵模激光器，其特征在于:所述发生器(15)为二次谐波发生器，所述滤光片(16)为1.06 μ m的滤光片。5.根据权利要求1-4之一所述的注入锁定Q开关高功率单纵模激光器，其特征在于:其中按照光路依次设置一激光发射器(I)、第一 Q开关(2)、标准具(4)、光阑(5)、第二波片(7)、偏振器(8)、衰减器(9)、介质膜偏振装置(10)、第二激光发射器(11)、耦合器(12)、发生器(15)、滤光片(16)和干涉仪(17) ο
【专利摘要】本实用新型涉及一种注入锁定Q开关高功率单纵模激光器，包括第一激光发射器(1)、第一Q开关(2)、PZT(3)、标准具(4)、光阑(5)、第一波片(6)、第二波片(7)、偏振器(8)、衰减器(9)、介质膜偏振装置(10)、第二激光发射器(11)、耦合器(12)、第三波片(13)、第二Q开关(14)、发生器(15)、滤光片(16)和干涉仪(17)，所述第一激光发射器(1)两侧分别设置第一Q开关(2)和PZT(3)，所述第二激光发射器(11)两侧分别设置介质膜偏振装置(10)和耦合器(12)。本实用新型提供的注入锁定Q开关高功率单纵模激光器采用注入锁定来代替谐振腔内通常使用的谱选择元件成功地使Q开关高功率非稳定谐振腔Nd:YAG振荡器实现单纵模工作，可以获得较高功率、带宽较宽的脉冲能量。
【IPC分类】H01S3/11
【公开号】CN204809637
【申请号】CN201520410396
【发明人】陈巧珍
【申请人】陈巧珍
【公开日】2015年11月25日
【申请日】2015年6月8日