[0043]所述谐振腔入射镜3镀到所述可饱和吸收片4上，所述可饱和吸收片4左侧通光端面上镀有对(798-818)nm光高透、对1064nm光和532nm光高反的介质膜，所述可饱和吸收片4右侧通光端面上镀有(798-818)nm、1064nm的增透膜。
[0044]所述谐振腔输出镜镀6到所述自倍频激光晶体5上，所述自倍频激光晶体5的左侧通光端面上镀有(798-818) nm、1064nm、532nm增透膜，所述自倍频激光晶体5的右侧通光端面上镀有对(798-818) nm光和1064nm光高反、532nm增透膜。
[0045]所述可饱和吸收片4为透过率为94%的Cr: YAG晶体，厚度为0.7mm。
[0046]本实施例所述的被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器的结构如图1所示。
[0047]实施例2
[0048]根据实施例1所述的一种被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器，其区别在于，所述自倍频激光晶体5为Nd = CTGS晶体，所述Nd = CTGS晶体的通光方向长度为13mm，所述NdiCTGS晶体的切割方向为沿1064nm倍频相位匹配方向，所述Nd = CTGS晶体的钕离子掺杂浓度为0.5at.% ο
[0049]所述Nd = CTGS晶体的I类相位匹配的切割角为(Θ 2，Φ2)，其中，Θ2的取值为38.7°，Φ2的取值范围为30.0°，所述Nd = CTGS晶体的II类相位匹配的切割角为(Θ3，Φ3)，其中，Θ3的取值范围为61.1°，Φ3的取值范围为0°。
[0050]实施例3
[0051]根据实施例1或2所述的一种被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器，其区别在于，所述被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器还包括聚焦系统2，所述聚焦系统2安放在所述半导体激光栗浦源I及所述谐振腔入射镜3之间，所述自倍频激光晶体5安放在所述聚焦系统2的焦距上。
[0052]所述谐振腔入射镜3与所述可饱和吸收片4独立安放，所述谐振腔入射镜3镀有对808nm光高透、对1064nm光和532nm光高反的介质膜。所述可饱和吸收片4的两端面均链有808nm、1064nm增透膜。
[0053]所述谐振腔输出镜6与所述自倍频激光晶体5独立安放，所述谐振腔输出镜6镀有对(798-818)nm光和1064nm光高反、对532nm光高透的介质膜。所述自倍频激光晶体5两个通光端面抛光后镀有808nm、1064nm、532nm增透膜；
[0054]本实施例所述的被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器的结构如图2所示。
[0055]当半导体激光栗浦源I的功率为3W时，获得9.7mff的自倍频绿光输出，重复频率和单脉冲宽度分别为1.43kHz、14.2ns，对应6.8 μ J的单脉冲能量和480W的峰值功率，这是到目前为止单脉冲能量和峰值功率最高的LD栗浦被动调Q自倍频输出，相对于栗浦激光，峰值功率提高了 240倍。
[0056]图3为本实施例所述的被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器产生的脉冲序列和单脉冲宽度示意图；
[0057]图4为本实施例所述的被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器产生的输出的自倍频激光光谱示意图；
[0058]实施例4
[0059]根据实施例1或2所述的一种被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器，其区别在于，所述被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器还包括聚焦系统2，所述聚焦系统2安放在所述半导体激光栗浦源I及所述谐振腔入射镜3之间，所述自倍频激光晶体5安放在所述聚焦系统2的焦距上。
[0060]所述谐振腔输出镜6与所述自倍频激光晶体独立安放，所述谐振腔输出镜6镀有对(798-818)nm光和1064nm光高反、对532nm光高透的介质膜。所述自倍频激光晶体两个通光端面抛光后镀有808nm、1064nm、532nm增透膜；
[0061]本实施例所述的被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器的结构如图5所示。
[0062]实施例5
[0063]根据实施例1或2所述的一种被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器，其区别在于，所述被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器还包括聚焦系统3，所述聚焦系统3安放在所述半导体激光栗浦源I及所述谐振腔入射镜3之间，所述自倍频激光晶体5安放在所述聚焦系统2的焦距上。
[0064]所述谐振腔入射镜3与所述可饱和吸收片4独立安放，所述谐振腔入射镜3镀有对808nm光高透、对1064nm光和532nm光高反的介质膜。所述可饱和吸收片4的两端面均链有808nm、1064nm增透膜。
[0065]本实施例所述的被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器的结构如图6所示。
[0066]实施例6
[0067]根据实施例1或2所述的一种被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器，其区别在于，所述被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器还包括聚焦系统2，所述聚焦系统2安放在所述半导体激光栗浦源I及所述谐振腔入射镜3之间，所述自倍频激光晶体5安放在所述聚焦系统2的焦距上。
[0068]本实施例所述的被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器的结构如图7所示。
【主权项】
1.一种被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器，包括从左到右依次沿光路安放的半导体激光栗浦源、谐振腔入射镜、可饱和吸收片、自倍频激光晶体及谐振腔输出镜，其特征在于，所述自倍频激光晶体为Nd: CNGS晶体或Nd: CTGS晶体，所述Nd: CNGS晶体或所述Nd: CTGS晶体的通光方向长度为(0.1-100)mm，所述Nd:CNGS晶体或所述Nd = CTGS晶体的切割方向均为沿1064nm倍频相位匹配方向。2.根据权利要求1所述的一种被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器，其特征在于，所述被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器还包括聚焦系统，所述聚焦系统安放在所述半导体激光栗浦源及所述谐振腔入射镜之间，所述自倍频激光晶体安放在所述聚焦系统的焦距上。3.根据权利要求1或2所述的一种被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器，其特征在于，所述Nd = CNGS晶体或所述Nd = CTGS晶体的通光方向长度为(5_20)mm ;所述Nd = CNGS晶体或所述Nd = CTGS晶体均为长方体或柱状。4.根据权利要求1或2所述的一种被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器，其特征在于，所述NchCNGS晶体的I类相位匹配的切割角为(θ，φ)，其中，Θ的取值范围为31.6° -41.6°，Φ的取值范围为25.0° -35.0°，所述Nd = CNGS晶体的II类相位匹配的切割角为(Θ 1，Φ1)，其中，Θ I的取值范围为51.5° -61.5°，Φ I的取值范围为-5° -5° ;所述Nd: CTGS晶体的I类相位匹配的切割角为(Θ 2，Φ2)，Θ 2的取值范围为33.V -43.V，Φ2的取值范围为25.0° -35.0°，所述Nd: CTGS晶体的II类相位匹配的切割角为(Θ 3，Φ 3)，Θ 3的取值范围为56.1° -66.1°，Φ 3的取值范围为(-5) ° -5°。5.根据权利要求1或2所述的一种被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器，其特征在于，所述谐振腔入射镜镀到所述可饱和吸收片上，所述可饱和吸收片左侧通光端面上镀有对(798-818)nm光高透、对1064nm光和532nm光高反的介质膜，所述可饱和吸收片右侧通光端面上镀有(798-818) nm、1064nm的增透膜；所述谐振腔输出镜镀到所述自倍频激光晶体上，所述自倍频激光晶体的左侧通光端面上镀有(798-818) nm、1064nm、532nm增透膜，所述自倍频激光晶体的右侧通光端面上镀有对(798-818) nm光和1064nm光高反、532nm增透膜。6.根据权利要求2所述的一种被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器，其特征在于，所述谐振腔入射镜镀到所述可饱和吸收片上，所述可饱和吸收片左侧通光端面上镀有对(798-818) nm光高透、对1064nm光和532nm光高反的介质膜，所述可饱和吸收片右侧通光端面上镀有(798-818)nm、1064nm的增透膜。7.根据权利要求2所述的一种被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器，其特征在于，所述谐振腔输出镜镀到所述自倍频激光晶体上，所述自倍频激光晶体的左侧通光端面上镀有(798-818)nm、1064nm、532nm增透膜，所述自倍频激光晶体的右侧通光端面上镀有对(798-818) nm光和1064nm光高反、532nm增透膜。8.根据权利要求2或6所述的一种被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器，其特征在于，所述Nd = CNGS晶体或所述Nd = CTGS晶体的两个通光端面抛光后镀有(798-818) nm、1064nm、532nm增透膜。9.根据权利要求2或7所述的一种被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器，其特征在于，所述可饱和吸收片的两端面均镀有(798-818)nm、1064nm增透膜。10.根据权利要求1或2所述的一种被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器，其特征在于，所述半导体激光栗浦源为中心波长为(798-818)nm的直接输出半导体激光器或光纤耦合输出半导体激光器；所述谐振腔入射镜镀有对(798-818)nm光高透、对1064nm光和532nm光高反的介质膜；所述谐振腔输出镜镀有对(798-818)nm光和1064nm光高反、对532nm光高透的介质膜；所述可饱和吸收片为Cr:YAG晶体、GaAs半导体、石墨稀、MoS2、WS2中的任一种。
【专利摘要】本实用新型涉及一种被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器，包括依次沿光路安放的半导体激光泵浦源、谐振腔入射镜、可饱和吸收片、自倍频激光晶体及谐振腔输出镜，自倍频激光晶体为Nd:CNGS晶体或Nd:CTGS晶体，Nd:CNGS晶体或Nd:CTGS晶体的通光方向长度为(0.1-100)mm，切割方向均为沿1064nm倍频相位匹配方向，钕离子掺杂浓度为(0.1–30)at.％。这两种晶体同时具有激光发射和非线性光学效应，受激发射截面适中，本实用新型采用一块自倍频激光晶体替代激光晶体和非线性晶体，制成的激光器体积更小，结构更加紧凑，生产成本大大降低，同时也简化了加工和装配环节，提高了生产效率。
【IPC分类】H01S3/109, H01S3/11
【公开号】CN204885812
【申请号】CN201520640941
【发明人】王正平
【申请人】山东大学
【公开日】2015年12月16日
【申请日】2015年8月24日