一种高辐射强度、高输出的红外led封装结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种封装结构，特别涉及一种高辐射强度、高输出的红外LED封装结构，属于LED灯领域。
【背景技术】
[0002]LED照明作为绿色、节能新光源，在过去几年中得到快速的推广普及，被称为21世纪新一代光源。随着各种高新材料的开发，外延设备、封装设备及相关工艺技术的提升，LED封装结构在不断的推陈出新，性能也得到了较大的发展。
[0003]虽然目前的LED的封装结构已经有了较大的发展，但任然存在较大的弊端，比如，传统的封装结构制作工艺复杂，相当一部分光线在透镜中会发生反射，造成光输出效率低；其次，LED灯在工作的时候只有少部分的电能转化为有用的光能，其余大部分转化为热能，特别是高辐射强度、高输出的LED灯热量更大，同时由于透镜的反射的光线被LED芯片吸收也会转化为热量，这会导致发热严重，而传统的封装结构散热性又较差，所以严重影响LED芯片的寿命。
[0004]鉴于此，有必要设计一种新型的LED封装结构，以此来解决目前存在的问题。【实用新型内容】
[0005]本实用新型要解决的技术问题是克服现有的缺陷，提供一种高辐射强度、高输出的红外LED封装结构，可以有效解决【背景技术】中的问题。
[0006]为了解决上述技术问题，本实用新型提供了如下的技术方案:
[0007]本实用新型提供一种高辐射强度、高输出的红外LED封装结构，包括LED芯片、基板以及透镜，所述LED芯片通过粘接固定于基板上，所述基板由高导热塑料制成，所述LED芯片外围还包裹有荧光层，所述基板的表面设置有铜箔层，在铜箔层的表面还涂覆有反射层，所述铜箔层的两端设置有支架电极并与铜箔层连接，所述反射层的表面还设置有一圈硅胶围坝，所述硅胶围坝内设置一个半球形的透镜，所述透镜的端面设置有若干环形沟槽且环形沟槽的中心线均与透镜的中心线重合，所述基板的底部涂覆有纳米辐射散热薄膜层。
[0008]作为本实用新型的一种优选技术方案，所述LED芯片的辐射强度平均为190mw/sr，输出功率为850瓦。
[0009]作为本实用新型的一种优选技术方案，所述焚光层的厚度为0.2mm~2mm。
[0010]作为本实用新型的一种优选技术方案，所述基板的导热系数为8~20w/m.K。
[0011]作为本实用新型的一种优选技术方案，所述铜箔层通过蚀刻在基板上形成有电路。
[0012]作为本实用新型的一种优选技术方案，所述LED芯片通过金线与支架电极相连。
[0013]作为本实用新型的一种优选技术方案，所述环形沟槽的截面呈V形，所述沟槽的两个槽面之间的夹角大小为45°?120°，所述沟槽的槽深为1_?2_。
[0014]本实用新型所达到的有益效果是:
[0015]1、采用导热系数为5?20W/m*K的高导热塑料作为基板材料，能够迅速的将热量传导至散热器或空气中，同时相比起传统铝基板，工艺更为简单，而且导热系数也要比铝基板高，散热性能要更好；
[0016]2、在基板上表面设置铜箔层和反光层，既能便于通过蚀刻铜箔层在基板上形成电路，又能反射被透镜反射回的光线，减少热量；
[0017]3、通过在基板底部设置纳米辐射散热薄膜层，通过自身的毛细现象增大散热面积实现高效的与外介质传导散热，其次由于纳米辐射散热薄膜层的指向性特征，膜层晶体发生震荡产生远红外线辐射热量，产品温度越高，远红外辐射效果就越好，从而导致散热性能越好；
[0018]4、通过在透镜的端面设有环形沟槽，从而防止光线发生全反射，提高了透镜的出光率，同时LED芯片不会因吸入全反射的光线而发热，延长了 LED芯片的使用寿命。
【附图说明】
[0019]附图用来提供对本实用新型的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本实用新型的实施例一起用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的限制。
[0020]在附图中:
[0021]图1是本实用新型实施例所述的一种高辐射强度、高输出的红外LED封装结构的结构示意图；
[0022]图2是本实用新型实施例所述的一种高辐射强度、高输出的红外LED封装结构的透镜的俯视图；
[0023]图中标号:1、LED芯片；2、基板；3、荧光层；4、铜箔层；5、反射层；6、支架电极；7、硅胶围坝；8、透镜；9、环形沟槽；10、纳米辐射散热薄膜层。
【具体实施方式】
[0024]以下结合附图对本实用新型的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
[0025]实施例:如图1-2所示，本实用新型提供一种高辐射强度、高输出的红外LED封装结构，包括LED芯片1、基板2以及透镜8，所述LED芯片I通过粘接固定于基板2上，所述基板2由高导热塑料制成，所述LED芯片I外围还包裹有荧光层3，所述基板2的表面设置有铜箔层4，在铜箔层4的表面还涂覆有反射层5，所述铜箔层4的两端设置有支架电极6并与铜箔层4连接，所述反射层5的表面还设置有一圈硅胶围坝7，所述硅胶围坝7内设置一个半球形的透镜8，所述透镜8的端面设置有若干环形沟槽9且环形沟槽9的中心线均与透镜8的中心线重合，所述基板2的底部涂覆有纳米辐射散热薄膜层10。
[0026]其中，所述LED芯片I的辐射强度平均为190mw/sr，输出功率为850瓦；所述荧光层3的厚度为0.2mm~2mm ;所述基板2的导热系数为8~20w/m.K ;所述铜箔层4通过蚀刻在基板2上形成有电路；所述LED芯片I通过金线与支架电极6相连；所述环形沟槽9的截面呈V形，所述环形沟槽9的两个槽面之间的夹角大小为45°?120°，所述环形沟槽9的槽深为I謹?2謹。
[0027]该封装结构具有高散热效果，高出光效率，广泛适用于红外探照灯，采用导热系数为8?20W/m*K的高导热塑料作为基板材料，能够迅速的将热量传导至散热器或空气中，同时相比起传统铝基板，工艺更为简单，而且导热系数也要比铝基板高，散热性能要更好；在基板2上表面设置铜箔层4和反光层5，既能便于通过蚀刻铜箔层4在基板2上形成电路，又能反射被透镜8反射回的光线，减少热量；通过在基板2底部设置纳米辐射散热薄膜层10，能够通过自身的毛细现象增大散热面积实现高效的与外介质传导散热，其次由于纳米辐射散热薄膜层10的指向性特征，膜层晶体发生震荡产生远红外线辐射热量，产品温度越高，远红外辐射效果就越好，从而导致散热性能越好；通过在透镜8的端面设有环形沟槽9，从而防止光线发生全反射，提高了透镜8的出光率，同时LED芯片I不会因吸入全反射的光线而发热，延长了 LED芯片I的使用寿命。
[0028]最后应说明的是:以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种高辐射强度、高输出的红外LED封装结构，包括LED芯片(I)、基板(2 )以及透镜(8 )，其特征在于，所述LED芯片(I)通过粘接固定于基板(2 )上，所述基板(2 )由高导热塑料制成，所述LED芯片(I)外围还包裹有荧光层(3)，所述基板(2)的表面设置有铜箔层(4)，在铜箔层(4)的表面还涂覆有反射层(5)，所述铜箔层(4)的两端设置有支架电极(6)并与铜箔层(4)连接，所述反射层(5)的表面还设置有一圈硅胶围坝(7)，所述硅胶围坝(7)内设置一个半球形的透镜(8)，所述透镜(8)的端面设置有若干环形沟槽(9)且环形沟槽(9)的中心线均与透镜(8)的中心线重合，所述基板(2)的底部涂覆有纳米辐射散热薄膜层(10)。2.根据权利要求1所述的一种高辐射强度、高输出的红外LED封装结构，其特征在于，所述LED芯片(I)的辐射强度平均为190mw/sr，输出功率为850瓦。3.根据权利要求1所述的一种高辐射强度、高输出的红外LED封装结构，其特征在于，所述焚光层(3)的厚度为0.2mm~2mm。4.根据权利要求1所述的一种高辐射强度、高输出的红外LED封装结构，其特征在于，所述基板(2)的导热系数为8~20w/m.K05.根据权利要求1所述的一种高辐射强度、高输出的红外LED封装结构，其特征在于，所述铜箔层(4 )通过蚀刻在基板(2 )上形成有电路。6.根据权利要求1所述的一种高福射强度、高输出的红外LED封装结构，其特征在于，所述LED芯片(I)通过金线与支架电极(6)相连。7.根据权利要求1所述的一种高辐射强度、高输出的红外LED封装结构，其特征在于，所述环形沟槽(9)的截面呈V形，环形沟槽(9)的两个槽面之间的夹角大小为45° -120°，环形沟槽(9)的槽深为Imm ~2mm0
【专利摘要】本实用新型属于LED灯领域提供了一种高辐射强度、高输出的红外LED封装结构，包括LED芯片、基板以及透镜，所述LED芯片通过粘接固定于基板上，所述基板由高导热塑料制成，所述LED芯片外围还包裹有荧光层，所述基板的表面设置有铜箔层，在铜箔层的表面还涂覆有反射层，所述铜箔层的两端设置有支架电极并与铜箔层连接，所述反射层的表面还设置有一圈硅胶围坝，所述硅胶围坝内设置一个半球形的透镜，所述透镜的端面设置有若干环形沟槽且环形沟槽的中心线均与透镜的中心线重合，所述基板的底部涂覆有纳米辐射散热薄膜层，本实用新型结构简单，同时具有高出光效率、高散热性，广泛适用于红外探照灯。
【IPC分类】H01L33/58, H01L33/60, H01L33/48, H01L33/64
【公开号】CN204946942
【申请号】CN201520604586
【发明人】李少飞
【申请人】深圳市旭晟实业有限公司
【公开日】2016年1月6日
【申请日】2015年8月12日