一种大功率环形器的制造方法

文档序号:10770759阅读:2325来源:国知局
一种大功率环形器的制造方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种大功率环形器,它包括腔体、磁路板、永磁体、中心导体、铁氧体旋磁片和盖板,磁路板围绕腔体的侧面设置,形成闭合磁路;由盖板向腔体内,依次设置有温度补偿片、磁力补偿片、永磁体、接地片、铁氧体旋磁片,上下两片铁氧体旋磁片中心为中心导体, 腔体分为上下对称的上腔体和下腔体组成,中心导体设置在上下腔体连接处,铁氧体旋磁片顶部与腔体顶部边缘之间有中心导体过渡段,中心导体过渡段内填充有一层或多层介质,所述的盖板分为上下两层,通过螺钉固定到腔体。该环形器体积小、安装轻便,具有温度和磁力补偿特性,功率容量高、工作温度范围宽,温度性能好。
【专利说明】
一种大功率环形器
技术领域
[0001 ] 本实用新型涉及一种大功率环形器。
【背景技术】
[0002]环形器是将进入其任一端口的入射波,按照由静偏磁场确定的方向顺序传入下一个端口的多端口器件,环形器的类型有多种,按工作原理分为结型环形器、法拉第旋转式环形器、差相移式环形器等。相对其它环形器,结型环形器可兼顾小体积与大功率的要求,还具有损耗小,频带宽,技术比较成熟等优点。结型环形器按参数又分为集中参数式和分布参数式。集中参数仅适用于微波低频段(P波段)。分布参数带线型环形器能满足C波段需求,这类环形器按工作类别又可分为高场和低场,高场意味着使用的直流偏置场高于共振吸收所需的磁场;低场意味着使用的直流偏置场低于共振吸收所需的磁场。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型的目的在于克服现有技术的不足,提供一种大功率环形器,该环形器体积小、安装轻便,具有温度和磁力补偿特性,功率容量高、工作温度范围宽,温度性能好。
[0004]本实用新型的目的是通过以下技术方案来实现的:一种大功率环形器,它包括腔体、磁路板、永磁体、中心导体、铁氧体旋磁片和盖板,磁路板围绕腔体的侧面设置,形成闭合磁路;由盖板向腔体内,依次设置有温度补偿片、磁力补偿片、永磁体、接地片、铁氧体旋磁片,上下两片铁氧体旋磁片中心为中心导体,腔体分为上下对称的上腔体和下腔体组成,中心导体设置在上下腔体连接处,铁氧体旋磁片顶部与腔体顶部边缘之间有中心导体过渡段,中心导体过渡段内填充有一层或多层介质,所述的盖板分为上下两层,通过螺钉固定到腔体。
[0005]所述的介质为聚四氟乙烯介质。
[0006]所述的上下腔体间设置有橡胶密封圈。
[0007]本实用新型的有益效果是:一种大功率环形器,该环形器体积小、安装轻便,具有温度和磁力补偿特性,功率容量高、工作温度范围宽,温度性能好。
【附图说明】
[0008]图1为环形器结构示意图;
[0009]图2为环形器侧面剖视图;
[0010]图中,1-腔体,2-磁路板,3-中心导体,4-温度补偿片,5-磁力补偿片,6-永磁体,7_接地片,8-铁氧体旋磁片,9-下腔体,I O-上腔体,11-介质,12-盖板。
【具体实施方式】
[0011]下面结合附图进一步详细描述本实用新型的技术方案,但本实用新型的保护范围不局限于以下所述。
[0012]如图1和图2所示,一种大功率环形器,它包括腔体1、磁路板2、永磁体6、中心导体
3、铁氧体旋磁片8和盖板12,磁路板2围绕腔体I的侧面设置,形成闭合磁路;由盖板12向腔体内,依次设置有温度补偿片4、磁力补偿片5、永磁体6、接地片7、铁氧体旋磁片8,上下两片铁氧体旋磁片8中心为中心导体3,腔体I分为上下对称的上腔体10和下腔体9组成,中心导体3设置在上下腔体连接处,铁氧体旋磁片8顶部与腔体I顶部边缘之间有中心导体过渡段,中心导体过渡段内填充有一层或多层介质11,所述的盖板12分为上下两层,通过螺钉固定到腔体I。
[0013]所述的介质11为聚四氟乙烯介质。
[0014]所述的上下腔体间设置有橡胶密封圈。
【主权项】
1.一种大功率环形器,其特征在于:它包括腔体(I)、磁路板(2)、永磁体(6)、中心导体(3)、铁氧体旋磁片(8)和盖板(12),磁路板(2)围绕腔体(I)的侧面设置,形成闭合磁路;由盖板(12)向腔体内,依次设置有温度补偿片(4)、磁力补偿片(5)、永磁体(6)、接地片(7)、铁氧体旋磁片(8),上下两片铁氧体旋磁片(8)中心为中心导体(3),腔体(I)分为上下对称的上腔体(10)和下腔体(9)组成,中心导体(3)设置在上下腔体连接处,铁氧体旋磁片(8)顶部与腔体(I)顶部边缘之间有中心导体过渡段,中心导体过渡段内填充有一层或多层介质(11),所述的盖板(12)分为上下两层,通过螺钉固定到腔体(I)。2.根据权利要求1所述的一种大功率环形器,其特征在于:所述的介质(11)为聚四氟乙稀介质。3.根据权利要求1所述的一种大功率环形器,其特征在于:所述的上下腔体间设置有橡胶密封圈。
【文档编号】H01P1/39GK205452500SQ201620003164
【公开日】2016年8月10日
【申请日】2016年1月5日
【发明人】兰伟
【申请人】成都泰格微波技术股份有限公司
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