专利名称：电镀电流供应系统的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种用于电镀物体的电镀电流供应系统，其中被提供给包括被电镀的物体、电解液和电极的负载(下文称为电镀负载)的电流的极性以高的速度反向。更具体地说，本发明涉及一种能够均匀地电镀其中形成有通孔或通路孔的印刷电路板的电镀电流供应系统。
当电镀多层印刷电路板，例如
图1所示的其中包括以高密度集成有电子元件的底板P1，P2，...时，随着印刷电路板的底板的数量的增加，在通孔1的边沿上的电镀金属层M的厚度与内壁12上的厚度具有很大程度的不同。换句话说，当形成电路板的底板的数量增加时，要均匀地电镀印刷电路板是困难的。对于通路孔2同样存在所述的问题，使得在边沿21上的电镀层M的厚度和在内壁22上的电镀层M的厚度互不相同。已经发现，为了在底板P1，P2，...的整个表面上形成厚度均匀的电镀金属层M，需要使幅值足够大的负极性的电镀电流比正极性的电镀电流通过通孔1和通路孔2流动一个较短的时间间隔。
在1998年9月17日申请的日本专利申请号HEI 10-281954(日本专利申请公开号2000-92841)中，包括本发明的发明人之一的发明人提出了一种电镀电流供应装置，所述装置向电镀负载以例如5-20毫秒的时间间隔提供具有反极性的电流，借以在多层印刷电路板上形成厚度均匀的电镀层。
当使用在上述的日本专利申请中提出的电镀电流供应装置或任何其它现有技术的电镀电流供应装置电镀如图1所示的具有通孔或通路孔的多层印刷电路板时，电镀电流通常被提供给印刷电路板的各个构成部分。已经发现，利用这种现有技术的电流供应装置，难于在整个印刷电路板的上方提供具有均匀厚度的电镀层。此外，所得的电镀层不平滑。
本发明的目的是提供一种电镀电流供应装置，利用所述电镀电流供应装置可以使电镀的具有通孔或通路孔的多层印刷电路板具有均匀厚度的电镀层。
利用按上述设置的电镀电流供应系统，通过由处理单元合适地控制提供给电镀负载的正电流和负电流的幅值和时间间隔的比，可以在电镀的物体上形成具有均匀的和最佳的厚度的电镀层或覆层。
要提供给电镀负载的正电流对负电流的幅值的比可以在1∶2到1∶3的范围内选择。
要提供给电镀负载的正电流对负电流的时间间隔的比可以在10∶1到30∶1的范围内选择。
要提供给电镀负载的正电流对负电流的幅值的比可以在1∶2到1∶3的范围内选择，要提供给电镀负载的正电流对负电流的时间间隔的比可以在10∶1到30∶1的范围内选择。
按照本发明的另一个实施例，一种电镀电流供应系统具有每个包括提供正电流的直流电源装置和提供负电流的直流电源装置的多个电流供给单元。所述提供正负电流的直流电源装置相互交替地操作，使得所述每个电流供给单元可以向相关的电镀负载提供其极性以预定的时间间隔反向的电镀电流。所述电镀电流供应系统还包括处理单元，其控制由相关的提供正电流的直流电源装置提供给每个电镀负载的电镀电流的正电流值和由相关的提供负电流的直流电源装置提供给每个电镀负载的电镀电流的负电流值之间的比，还控制向每个电镀负载供应正电流的时间间隔和向每个电镀负载供应负电流的时间间隔的比。
通过单独地控制提供给各个电镀负载的正电流和负电流的幅值以及时间间隔的比，可以在电镀的每个物体上形成具有均匀的和最佳的厚度的电镀层。
要提供给每个电镀负载的正电流对负电流的幅值的比可以在1∶2到1∶3的范围内选择。
要提供给每个电镀负载的正电流对负电流的时间间隔的比可以在10∶1到30∶1的范围内选择。
要提供给每个电镀负载的正电流对负电流的时间间隔的比可以在10∶1到30∶1的范围内选择，要提供给每个电镀负载的正电流对负电流的幅值的比可以在1∶2到1∶3的范围内选择。
提供正电流的直流电源装置可以包括第一直流电源。在第一直流电源的一个输出端子和要与电镀负载相连的一个负载端子之间，连接第一电抗器和第一主开关器件的串联组合，所述开关器件响应由所述处理单元对其提供的控制信号而导通和截止。在第一直流电源的一个输出端子和另一个输出端子之间，连接有第一辅助开关器件。以和所述第一主开关器件的导通和截止的方式互补的方式，第一辅助开关器件响应来自所述处理单元的控制信号导通和截止。第一直流电源的另一个输出端子和要与电镀负载连接的另一个负载端子相连。
提供负电流的直流电源装置可以包括第二直流电源。在第二直流电源的一个输出端子和要与电镀负载相连的一个负载端子之间，连接第二电抗器和第二主开关器件的串联组合，所述开关器件响应由所述处理单元对其提供的控制信号而导通和截止。在第二直流电源的一个输出端子和另一个输出端子之间，连接有第二辅助开关器件。以和所述第二主开关器件的导通和截止的方式互补的方式，第二辅助开关器件响应来自所述处理单元的控制信号导通和截止。第二直流电源的另一个输出端子和要与电镀负载连接的另一个负载端子相连。
首先说明提供正电流的第一直流电源电路或装置。第一电抗器32A和第一直流电源3A的一个输出端子例如正输出端子31A相连。第一反向电流阻断二极管34A和第一开关器件例如第一主IGBT 35A的串联组合被连接在电抗器32A和第一负载端子33A之间。具体地说，反向电流阻断二极管34A的阳极和电抗器32A相连，其阴极和IGBT 35A的集电极相连。IGBT 35A的发射极和第一负载端子33A相连。
第二负载端子33B和第一直流电源3A的另一个端子即负输出端子42A相连。缓冲电路36A被连接在第一IGBT 35A的集电极和发射极之间。缓冲电路36A吸收当IGBT 35A由导通状态转换为截止状态时在其集电极和发射极之间产生的高压尖峰，借以保护IGBT 35A免受所述高压尖峰的影响。缓冲电路36A包括连接在IGBT 35A的集电极和发射极之间的二极管37A和缓冲电容器38A的串联组合，以及和缓冲电容器38A并联的放电电阻39A。使用具有相当小的电容值例如5微法的薄膜电容器作为缓冲电容器38A，使得可以吸收高频尖峰电压。放电电阻39A可以具有几十欧姆的阻值。
第一辅助IGBT 40A作为短路开关器件被连接在第一电抗器32A和反向电流阻断二极管34A的阳极的接点41A和第一直流电源3A的负输出端子42A之间，IGBT 40A的集电极和接点41A相连，发射极和输出端子42A相连。
另一个缓冲电路43A被连接在第一辅助IGBT 40A的集电极和发射极之间。缓冲电路43A和缓冲电路36A一样，吸收当IGBT 40A由导通状态转换成截止状态时在其集电极和发射极之间产生的高峰电压，借以保护辅助IGBT 40A。缓冲电路43A包括被连接在IGBT 40A的集电极和发射极之间的二极管44A和缓冲电容器45A的串联组合，以及和缓冲电容器45A并联的放电电阻46A。和在缓冲电路36A中一样，使用具有相当小的电容值例如5微法的薄膜电容器作为缓冲电容器45A，使得可以吸收高频尖峰电压。放电电阻46A可以具有几十欧姆的阻值。
第一箝位电路48A被连接在第一辅助IGBT 40A的集电极和发射极之间，即被连接在接点41A和第一直流电源3A的负输出端子42A之间。第一箝位电路48A包括箝位二极管50A和箝位电容器51A的串联组合。放电电阻52A和电容器51A并联，电容器51A是电解电容器，其具有比缓冲电路43A的缓冲电容器45A大得多的电容，例如1000-2000微法。第一箝位电路48A通过操作吸收当作为开关器件的主IGBT 35A截止时在电抗器32A中产生的大的能量。
第一电压检测器54A被连接在第一辅助IGBT 40A的发射极和集电极之间，用于检测在IGBT 40A的集电极和发射极之间的电压。表示由电压检测器54A检测的电压的电压表示信号被提供给第一比较器56A，用于和存储在比较器56A中的参考值比较。当所述电压表示信号的值超过所述参考值时，比较器56A产生一个被输入到处理单元58的输出信号，这在后面详细说明。
提供负电流的第二直流功率供应电路或装置具有和上述的正电流供应电路基本上相同的结构。第一电抗器32B和第二直流电源3B的一个输出端子例如正输出端子31B相连。第二反向电流阻断二极管34B和第二开关器件例如第二主IGBT 35B的串联组合被连接在电抗器32B和第二负载端子33B之间，二极管34B的阳极和电抗器32B相连，IGBT 35B和第二负载端子33B相连，如图2所示。第二直流电源3B的负输出端子42B和第一负载端子33A相连。
和第一缓冲电路36A类似，第二缓冲电路36B被连接在IGBT 35B的集电极和发射极之间。缓冲电路36B包括二极管37B和缓冲电容器38B的串联组合，以及和缓冲电容器38B并联的放电电阻39B。使用具有相当小的电容值例如5微法的薄膜电容器作为缓冲电容器38B，使得可以吸收高频尖峰电压。放电电阻39B可以具有几十欧姆的阻值。
和在正电流供应电路中一样，一个短路开关器件，例如第二辅助IGBT40B被连接在第二电抗器32B和反向电流阻断二极管34B的阳极的接点41B和第二直流电源3B的另一个输出端子即负输出端子42B之间。另一个缓冲电路43B被连接在IGBT 40B的集电极和发射极之间。缓冲电路43B包括二极管44B和缓冲电容器45B的串联组合，以及和缓冲电容器45B并联的放电电阻46B。
第二箝位电路48B被连接在第二辅助IGBT 40B的集电极和发射极之间，即被连接在接点41B和第二直流电源3B的负输出端子42B之间。第二箝位电路48B包括箝位二极管50B和箝位电容器51B的串联组合。放电电阻52B和电容器51B并联，电容器51B是电解电容器，其具有例如1000-2000微法的电容值。和第一箝位电路48A一样，第二箝位电路48B通过操作吸收当主IGBT 35B截止时在电抗器32B中产生的大的能量。
和第一电压检测器54A一样，第二电压检测器54B被连接用于检测在第二辅助IGBT 40B的发射极和集电极之间的电压。表示由电压检测器54B检测的电压的电压表示信号被提供给第二比较器56B，用于和存储在比较器56B中的参考值比较。当所述电压表示信号的值超过所述参考值时，比较器56B产生一个被输入到处理单元58的输出信号。
例如，对于额定电压和额定电流分别为8V，500A的正直流电源3A和额定电压与额定电流分别为15V，1500A的负直流电源，可以使用额定电流为600A的一个器件作为第一主IGBT 35A，可以使用额定电流为600A的一个器件作为第一辅助IGBT 40A，可以使用额定电流为600A的两个器件的并联组合作为第二主IGBT 35B，并可以使用额定电流为600A的3个器件的并联组合作为第二辅助IGBT 40B。也可以使用IGBT之外的其它半导体器件作为主开关器件35A，35B和辅助开关器件40A，40B。
当使用例如200微亨的电抗器作为电抗器32A，32B时，可以使用5微法的电容器作为缓冲电容器45B，并且可以使用几十欧姆的电阻作为放电电阻46B。
图3A到图3B表示在图2所示的电镀电流供应系统的不同部分上的波形。
图3A表示流经电镀负载4的电镀电流的波形。图3B表示施加于第一主IGBT 35A的栅极的栅极电压的波形，图3C表示施加于第一辅助IGBT40A的栅极电压的波形。图3D表示施加于第二主IGBT 35B的栅极的栅极电压的波形，图3E表示施加于第二辅助IGBT 40B的栅极电压的波形。被施加于各个IGBT的栅极电压的时间间隔在处理单元58中被预先编程。
在图3A-3E中，在时刻t1之前，第一主IGBT 35A接收到在图3B所示的正栅极信号而导通。图3D所示的0电平的栅极信号被施加于第二主IGBT 35B，因而使其截止。此时，电流从第一直流电源3A的第一输出端子即正输出端子31A通过第一电抗器32A，第一反向电流阻断二极管34A，第一主IGBT 35A，第一负载端子33A，电镀负载4，以及第二负载端子33B流到第一直流电源3A的第二输出端子42A。结果，图3A所示的正电流I2供给电镀负载4，对物体进行电镀。在时刻t1之前，图3E所示的正栅极信号被提供给第二辅助IGBT 40B的栅极，使IGBT 40B导通。此时，电流从第二直流电源3B的正输出端子31B通过第二电抗器32B，和导通的IGBT 40B流到第二直流电源3B的负输出端子42B，使得在第二电抗器32B内存储能量。
在时刻t1，第二主IGBT 35B收到图3D所示的正栅极信号而导通。第一主IGBT 35A收到图3B所示的0电平信号而截止。此时，电流从第二直流电源3B的第一输出端子即正输出端子31B，经过第二电抗器32B，第二反向电流阻断二极管34B，导通的第二主IGBT 35B，第二负载端子33B，电镀负载4，以及第一负载端子33A流到第二直流电源3B的第二输出端子即负输出端子42B。因而，向电镀负载4提供图3A所示的负电流I1。电镀电流是第二直流电源3B的输出电流和在时刻t1已经储存到第二电抗器32B中的能量分别放电而得到的电流的和。因而，电镀电流快速上升。所述电镀电流I1使得电镀负载4的电镀中断，或者使已经淀积在物体上的镀层的一部分再次溶解。
在时刻t1，图3C所示的正栅极信号被施加于第一辅助IGBT 40A的栅极，从而使其导通。电流从第一直流电源3A的正输出端子31A通过第一电抗器32A和导通状态的IGBT 40A流到第一直流电源3A的负输出端子42A，借以使能量存储在第一电抗器32A中。
在时刻t2，图3D所示的0电平栅极信号被施加于第二主IGBT 35B，从而使其截止，而第一主IGBT 35A收到图3B所示的正栅极信号，从而导通。和在时刻t1以前的状态一样，图3A所示的正电镀电流I2从第一直流电源3A的正输出端子31A通过第一电抗器32A，第一反向电流阻断二极管34A，第一主IGBT 35A，第一负载端子33A，电镀负载4和第二负载端子33B，流到第一直流电源3A的第二输出端子42A，从而使物体电镀。同样，在这种情况下，由于在时刻t1到时刻t2的时间间隔期间在第一电抗器32A中存储的能量的放电而产生的电流被加到电流I2上，使得电流I2快速上升。
在时刻t2，图3E所示的正栅极信号被施加于第二辅助IGBT 40B，从而使其导通，因此在第二电抗器32B中存储能量。
用类似方式，第二主IGBT 35B和第一主IGBT 35A在高速下导通和截止，此时第一和第二辅助IGBT 40A，40B也在高速下导通和截止，这使得在高速下对电镀负载4施加其极性以预定时间间隔快速反向的电镀电流，因此，使物体被电镀。
如前所述，比T2/(T1+T2)被处理单元58控制，其中T2是正电流I2流过从而对物体进行电镀的时间间隔，T1是负电流I1流过从而中断电镀物体或者使淀积在物体上的材料溶解而回到电解液的时间间隔。流过电镀物体4的电流I1和I2的大小借助于合适地确定每个直流电源3B，3A的电容量被确定。此外，虽然图中未示出，可以设置处理单元58，用于按照借助于检测各自的电流而产生的电流表示信号控制流过电镀负载4的正负电流的大小。
下面给出一个例子。当正电流I2为100A，负电镀电流I1为250A，正电镀电流I1流过的时间间隔T2是10毫秒，负电镀电流流过的时间间隔T1是0.5毫秒时获得了厚度均匀的高质量的镀层。
由于某些原因，考虑例如在时刻t5中断由第一直流电源3A提供给电镀负载4的正电镀电流的供应。
第一箝位电路48A的箝位电容器51A到时刻t5由于从第一直流电源3A通过第一电抗器32A和箝位电路48A中的二极管50A流到第一直流电源3A的负输出端42A的电流被充电到图4所示的电压E。
当通过第一电抗器32A由于任何原因而中断时，例如由于流过被提供到电镀物体上的电流的吊架的断开，在第一辅助IGBT 40A的集电极-发射极两端产生一个大于电压E的电压(图4)。存储在第一电抗器32A中的能量被箝位电容51A吸收，因此，在第一辅助IGBT 40A的集电极和发射极之间施加的电压的增加的速率是小的。因此，不会发生由于这个电压而引起的第一辅助IGBT 40A的损坏。当在第一辅助IGBT 40A的集电极和发射极之间的所述电压由于第一电抗器32A和线路电感而上升时，如图4所示，第一电压检测器54A检测到这个上升。电压检测器54A产生一个代表检测到的电压的电压表示信号，并使所述电压表示信号和第一比较器56A中的参考值比较。
当第一辅助IGBT 40A的集电极和发射极之间的电压在时刻t6达到图4所示的值F时，来自第一电压检测器54A的电压表示信号超过参考值，这使得第一比较器56A向处理单元58提供一个输出信号。响应来自第一比较器56A的输出信号，处理单元58向第一主IGBT 35A提供0电平栅极信号，使其在时刻t6截止，如图3B所示。并且还对第一辅助IGBT 40A的栅极提供正栅极信号，使其导通，如图3C所示。因为利用栅极信号分别使第一主IGBT 35A和第一辅助IGBT 40A导通和截止，在第一电抗器32A中存储的能量通过第一辅助IGBT 40A返回第一直流电源3A。用这种方式，没有高电压被施加于第一辅助IGBT 40A上，因而IGBT 40A受到保护。
关于第二辅助IGBT 40B，对其连续地施加正栅极信号，如图3E所示，因此IGBT 40B维持导通。在第一电抗器32A的能量通过第一辅助IGBT40A返回第一直流电源3A之后，处理单元58对直流电源3A，3B提供一个停止指令信号，使其停止操作。这使得电流既不流过第一和第二电抗器32A，32B，也不流过第一和第二辅助IGBT 40A，40B，因此，它们也受到保护。
显示装置60，响应来自处理单元58的信号，通知操作者包括电镀负载4的电路已被断开，使操作者调查电路断开的原因。在消除故障之后，使用图2所示的复位开关62重新启动所述系统。
图2所示的实施例包括被分别连接在第一电抗器32A和第一主IGBT35A的集电极之间以及第二电抗器32B和第二主IGBT 35B的集电极之间的反向电流阻断二极管34A和34B。不过，因为第一和第二直流电源3A，3B包括整流二极管，反向电流阻断二极管34A，34B可以省略。
图5表示按照本发明的一个实施例用于向多个电镀负载提供电镀电流的电镀电流供应系统。
在图5中，每个电镀负载L1，L2，L3，......，Ln相应于图4所示的电镀负载4，其包括要被电镀的物体，电解液，电极等等。图5所示的系统还包括多个电源单元PS1，PS2，PS3，......，PSn，每个供应一个电镀电流。每个电源单元类似于图2所示的电源单元，但是不包括电镀负载4和处理单元58。每个电源单元PS1，PS2，PS3，......，PSn，通过相关的电镀电流检测器D1，D2，D3，......，Dn向其相关的电镀负载L1，L2，L3，......，Ln供应电镀电流。
所述的系统还包括具有CPU的处理单元10。所述处理单元10响应由电流检测器D1-Dn提供的表示电镀电流的大小和电镀电流流过的时间间隔的信号，向各个电镀电流供应电源单元PS1-PSn提供控制信号，从而分别控制负电流(溶解电流)I1和正电流(电镀电流)I2，以及正负电流流过各个电镀负载L1-Ln的时间间隔T1和T2的大小，使得各个物体可以被最佳地电镀。电流I1和I2以及流过电流I1和I2的时间间隔的大小由经验和实验确定，并在处理单元10中编程，以便在不同类型的物体上形成最佳的镀层。
当正电流I2对负电流I1的比(图3A)小于1∶2，例如1∶1.5时，则正电流I2比负电流I1太大。在这种情况下，图1所示的印刷电路板的通孔1的内壁12和通路孔2的内壁22相对于边沿11和21电镀量不足。因而，在内壁12和22上的镀层的厚度小于在边沿11和21上的镀层的厚度。换句话说，所得到的镀层不能具有均匀的厚度。
在另一方面，如果I1和I2的比大于1∶3，例如1∶4，则负电流I1比正电流I2太大。此时，虽然通孔1的内壁12和通路孔2的内壁22被电镀，但是在边沿11和21上的镀层被大量地溶解回到电解液中，这使得边沿11和21的电镀量不足。在这种情况下，镀层的厚度也不均匀。这种情况下的另一个缺点在于，添加到电解液中的添加剂消耗得非常快，因此，经常补充具有添加剂的电解液。
已经发现，正电流的大小I2对负电流的大小I1的比在1∶2到1∶3的范围内时，在边沿11和21以及内壁12和22之间的镀层的厚度差最小，得到基本上均匀的镀层厚度，电解液中的添加剂的小的消耗量，并且提高生产率。
接着考虑提供正电流I2的时间间隔T2和提供负电流的时间间隔T1。当T1∶T2大于30∶1时，时间间隔T2比时间间隔T1太大，因此，虽然边沿11和21被足够地电镀，但是内壁12和22的电镀不足。换句话说，在内壁12和22上的镀层比边沿11和21上的镀层薄，因此，镀层厚度不均匀。
如果T2∶T1小于10∶1，则在边沿11和21上的镀层被过多地溶解回到电解液中，并且，因为在一个周期内流过正电流的时间间隔T2是短的，所以总共所需的时间较长。
已经发现，在边沿11和21的厚度与在内壁12和22的厚度之间的差当T2∶T1在10∶1到30∶1的范围内时最小，此时能够得到具有均匀厚度的镀层。
此外，已经发现，当正电流I2对负电流I1的比被设置在1∶2到1∶3的范围内时，同时正电流I2的持续时间间隔对负电流I1的持续时间间隔的比被设置在10∶1到30∶1的范围内，可以用最少的时间、最少的添加剂消耗量在物体上电镀厚度最均匀的镀层。
权利要求
1.一种电镀电流供应系统，所述系统包括具有包括提供正电流的第一直流电源装置和提供负电流的第二直流电源装置的电源单元，用于向电镀负载提供其极性以预定的时间间隔反向的电镀电流；以及处理单元，用于控制从提供正电流的所述第一直流电源装置提供给所述电镀负载的所述电镀电流的正电流值和从提供负电流的所述第二直流电源装置提供给所述电镀负载的所述电镀电流的负电流值的比，还控制向所述电镀负载供应正电流的时间间隔和向所述电镀负载供应负电流的时间间隔的比。
2.如权利要求1所述的电镀电流供应系统，其中所述处理单元在1∶2到1∶3的范围内设置由所述第一直流电源装置提供的所述正电流的大小和由所述第二直流电源装置提供的所述负电流的大小的比。
3.如权利要求1所述的电镀电流供应系统，其中所述处理单元在10∶1到30∶1的范围内设置由所述第一直流电源装置提供所述正电流的时间间隔和由所述第二直流电源装置提供所述负电流的时间间隔的比。
4.如权利要求1所述的电镀电流供应系统，其中所述处理单元在1∶2到1∶3的范围内设置由所述第一直流电源装置提供的所述正电流的大小和由所述第二直流电源装置提供的所述负电流的大小的比，并且还在10∶1到30∶1的范围内设置由所述第一直流电源装置提供所述正电流的时间间隔和由所述第二直流电源装置提供所述负电流的时间间隔的比。
5.一种电镀电流供应系统，包括多个电流供给单元，用于向多个电镀负载的各个负载提供其极性以预定的时间间隔反向的各个电镀电流，每个所述电源单元包括供应正电流的第一直流电源装置和供应负电流的第二直流电源装置；以及处理单元，用于分别控制由相关的第一直流电源装置提供给各自的所述电镀负载的所述各个电镀电流的正电流值和由相关的第二直流电源装置提供给各自的所述电镀负载的所述各个电镀电流的负电流值的比，并控制向所述电镀负载供应正电流的时间间隔和向所述电镀负载供应负电流的时间间隔的比。
6.如权利要求5所述的电镀电流供应系统，其中所述处理单元在1∶2到1∶3的范围内设置由所述第一直流电源装置提供给每个电镀负载的所述正电流的大小和由所述第二直流电源装置提供给所述电镀负载的所述负电流的大小的比。
7.如权利要求5所述的电镀电流供应系统，其中所述处理单元在10∶1到30∶1的范围内设置由所述第一直流电源装置提供给每个所述电镀负载的所述正电流的时间间隔和由所述第二直流电源装置提供给所述电镀负载的所述负电流的时间间隔的比。
8.如权利要求5所述的电镀电流供应系统，其中所述处理单元在1∶2到1∶3的范围内设置由所述第一直流电源装置提供给每个电镀负载的所述正电流的大小和由所述第二直流电源装置提供给所述电镀负载的所述负电流的大小的比，还在10∶1到30∶1的范围内设置所述正电流的时间间隔和所述负电流的时间间隔的比。
9.如权利要求1所述的电镀电流供应系统，其中所述第一直流电源装置包括第一直流电源；在所述第一直流电源的一个输出和适用于与电镀负载相连的一个负载端子之间连接的第一电抗器和第一主开关器件的串联组合，所述第一主开关器件响应由所述处理单元对其提供的控制信号而导通和截止；以及在所述第一直流电源的所述一个输出和另一个输出端子之间连接的第一辅助开关器件，所述第一辅助开关器件以和所述第一主开关器件的导通和截止的方式互补的方式，响应由所述处理单元对其提供的控制信号截止和导通；所述第一直流电源的另一个输出和适用于与所述电镀负载连接的另一个负载端子相连；并且其中所述第二直流电源装置包括第二直流电源；在所述第二直流电源的一个输出和所述另一个负载端子之间连接的第二电抗器和第二主开关器件的串联组合，所述第二主开关器件响应由所述处理单元对其提供的控制信号而导通和截止；以及在所述第二直流电源的所述一个输出和另一个输出端子之间连接的第二辅助开关器件，所述第二辅助开关器件以和所述第二主开关器件的导通和截止的方式互补的方式，响应由所述处理单元对其提供的控制信号截止和导通；所述第二直流电源的另一个输出和另一个负载端子相连。
全文摘要
本发明涉及一种电镀电流供应系统。一种电镀电流供应系统包括具有包括用于向要被电镀的物体4提供其极性以预定的时间间隔反向的电镀电流电源单元。所述电源单元包括用于提供正电流的第一直流电源和用于提供负电流的第二直流电源。所述系统还包括处理单元58,用于控制提供给物体的正电流12和负电流11的大小和持续时间间隔的比,从而使电镀物体具有均匀的镀层。
文档编号H02J1/10GK1369954SQ0210353
公开日2002年9月18日 申请日期2002年2月5日 优先权日2001年2月5日
发明者荒井亨, 樱田诚, 西冈吉行 申请人:株式会社三社电机制作所