一种大功率mosfet驱动方法

文档序号:7341346阅读:439来源:国知局
专利名称:一种大功率mosfet驱动方法
技术领域
本发明涉及一种大功率MOSFET驱动方法,属于电流控制和电压变频检测领域。
背景技术
当前,大功率MOSFET应用具有一定特殊性,尤其是高电压场合,其控制既可以做为类继电器式作,也可以做为恒流充电闭环控制核心,通常,大功率MOSFET的驱动电压在弱电电压负10到正30V以内。其正向电压是打开大功率MOSFET管,反向加负压主要为了可靠关断,由于其设计特殊性,同时,大功率MOSFET种类繁多,因此需要一个通用的驱动方法,来驱动大功率MOSFET管可靠工作。

发明内容
本发明涉及一种大功率MOSFET驱动方法,以实现对各类大功率MOSFET的可靠驱动。为实现上述的目的,本发明采用如下技术方案:TTL式的MOSFET驱动信号,经过低压电压和限流电阻R1,然后经光电隔离器Ul的输入单元,实现输入信号的隔离,输出信号经过正电源,再经输出限流电阻R2,再经光电隔离器Ul的输出单元,接入负地,这里的正负电源是一个专用的经隔离的电源,经隔离输的信号再通过限流电阻R3,输入到比较器U2的负端,注意,比较器U2的正端经电阻R3接到地,信号经比较后,再经限流电阻R5,输入到对管驱动器Ql和Q2的基极上,Ql与Q2的射极输出相联,然后经限流保护电阻R6,再驱动大功率M0SFET,注意,大功率MOSFET的输出与驱动电路的地相接,形成驱动电流回路。本发明具有驱动能力大,电气完全隔离,可驱动一个或是数十个到百个大功率MOSFET同时并联工作,性能稳定可靠,尤其是在精密大电流闭环场合,更能发挥其控制优势。


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附图1是本发明的电路工作原图 具体实施方式
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为了使本发明的技术方案更加清楚明白,以下结合附图和实施例,对本发明进一步详细说明,此处所描述的具体实例,仅仅用以解释本发明,并不用于限制本发明。实施例:
请参阅附图1所示,TTL式的MOSFET驱动信号,经过低压电压和限流电阻R1,然后经光电隔离器Ul的输入单元,实现输入信号的隔离,输出信号经过正电源,再经输出限流电阻R2,再经光电隔离器Ul的输出单元,接入负地,这里的正负电源是一个专用的经隔离的电源,经隔离输的信号再通过限流电阻R3,输入到比较器U2的负端,注意,比较器U2的正端经电阻R3接到地,信号经比较后,再经限流电阻R5,输入到对管驱动器Ql和Q2的基极上,Ql与Q2的射极输出相联,然后经限流保护电阻R6,再驱动大功率M0SFET,注意,大功率MOSFET的输出与驱动电路的地相接,形成驱动电流回路。对于输入的TTL式的MOSFET驱动信号,可以是电位方式的,主要控制于大电流开关,也可以是积分形式的信号,当为积分信号时,这时光电隔离管一般选择高灵敏度的器件,以对积分信号做出快速准确匹配的响应。
权利要求
1.本发明涉及一种大功率MOSFET驱动方法,具有以下特征:TTL式的MOSFET驱动信号,经过低压电压和限流电阻R1,然后经光电隔离器Ul的输入单元,实现输入信号的隔离,输出信号经过正电源,再经输出限流电阻R2,再经光电隔离器Ul的输出单元,接入负地,这里的正负电源是一个专用的经隔离的电源,经隔离输出的信号再通过限流电阻R3,输入到比较器U2的负端,注意,比较器U2的正端经电阻R3接到地,信号经比较后,再经限流电阻R5,输入到对管驱动器Ql和Q2的基极上,Ql与Q2的射极输出相联,然后经限流保护电阻R6,再驱动大功率M0SFET,注意,大功率MOSFET的输出与驱动电路的地相接,形成驱动电流回路。
2.根据权利要求1所述的一种大功率MOSFET驱动方法,其特征在于:具有光电隔离器Ul,实现输入信号的隔离。
3.根据权利要求1所述的一种大功率MOSFET驱动方法,其特征在于:具有一个比较器U2,它可以是专用比较器,也可以是由运放构成的比较器。
4.根据权利要求1所述的一种大功率MOSFET驱动方法,其特征在于:具有对管驱动器Ql和Q2,用于扩大输出能力。
5.根据权利要求1所述的一种大功率MOSFET驱动方法,其特征在于:大功率MOSFET的输出与驱动电路的地相接,形成驱动电流回路。
全文摘要
本发明涉及一种大功率MOSFET驱动方法,TTL式的MOSFET驱动信号,光电隔离器U1的输入单元,输入到比较器U2的负端,信号经比较后,再经限流电阻R5,输入到对管驱动器Q1和Q2的基极上,Q1与Q2的射极输出相联,然后经限流保护电阻R6,再驱动大功率MOSFET,注意,大功率MOSFET的输出与驱动电路的地相接,形成驱动电流回路,本发明具有驱动能力大,电气完全隔离,可驱动一个或是数十个到百个大功率MOSFET同时并联工作,性能稳定可靠,尤其是在精密大电流闭环场合,更能发挥其控制优势。
文档编号H02M1/092GK103151907SQ20111040251
公开日2013年6月12日 申请日期2011年12月7日 优先权日2011年12月7日
发明者淡博, 李金录 申请人:哈尔滨智木科技有限公司
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