专利名称：一种直流升压电路的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种直流升压电路。
背景技术：
目前，一般通过Boost电路(开关直流升压电路)实现直流-直流的升压变换，结构如图I所示。其中，在充电过程中，开关管Q’(三极管或者MOS管)导通，输入电压流过电感。二极管D’防止电容C’对地放电。由于输入电压Vin’是直流电，所以电感L’上的电流以一定的比率线性增加，这个比率跟电感大小有关。随着电感电流增加，电感L’里储存了一些能量；放电过程中，开关管Q’截止，由于电感L’的电流保持特性，流经电感L’的电流不会马上变为0，而是缓慢的由充电完毕时的值变为O。而原来的电路已断开，于是电感L’只能通过新电路放电，即开始给电容C’充电，电容C’两端电压升高，此时输出电压V-’已 经高于输入电压Vin’，升压完毕。但是，在升压时，很容易损坏部件，一旦某个部件损坏，只能停止运行。并且，二极管D’和开关管Q’都有相应的开关损耗，尤其是开关管Q’，制约着功率和效率。
发明内容本实用新型的目的在于克服现有技术的缺陷而提供一种高功率和高效率的直流升压电路，它具有两套相互独立的升压电路，可以同时工作也可以轮流工作，并且在其中一套损坏的时候整体还能正常工作，延长了电路的使用时间。实现上述目的的技术方案是一种直流升压电路，包括断路器、第一电感、第二电感、第一 MOSFET (金属-氧化层-半导体-场效晶体管)、第二 M0SFET、第一二极管、第二二极管和电容，其中所述第一电感的一端连接所述断路器并且通过该断路器接收输入电压，另一端分别连接所述第一二极管的正极和所述第一 MOSFET的漏极；所述第二电感的一端连接所述断路器并且通过该断路器接收输入电压，另一端分别连接所述第二二极管的正极和所述第二 MOSFET的漏极；所述电容的一端分别连接所述第一二极管的负极和所述第二二极管的负极，另一端分别连接所述第一 MOSFET的源极和所述第二 MOSFET的源极；所述电容与第一二极管以及第二二极管的相接端输出输出电压；所述电容与第一 MOSFET以及第二 MOSFET的相接端接地。上述的直流升压电路，其中，所述第一 MOSFET和第二 MOSFET均为N型M0SFET。本实用新型的有益效果是本实用新型具有两套相互独立的升压电路，它们可以同时工作也可以轮流工作，实现高功率和高效率的直流电压升压。并且当其中一套损坏的时候整体还能正常工作，延长了电路的使用时间。同时本实用新型结构简单，易于实现。
[0013]图I是现有的Boost电路的电路图；图2是本实用新型的直流升压电路的电路图。
具体实施方式
下面将结合附图对本实用新型作进一步说明。请参阅图2，本实用新型的直流升压电路，包括断路器K、第一电感LI、第二电感L2、第一 MOSFET Ql、第二 MOSFET Q2、第一二极管Dl、第二二极管D2和电容C，其中断路器K防止电压过大，起到保护电路的作用；第一电感LI的一端连接断路器K并且通过该断路器K接收输入电压Vin，另一端 分别连接第一二极管Dl的正极和第一 MOSFET Ql的漏极；第二电感L2的一端连接断路器K并且通过该断路器K接收输入电压Vin，另一端分别连接第二二极管D2的正极和第二 MOSFET Q2的漏极；电容C的一端分别连接第一二极管Dl的负极和第二二极管D2的负极，另一端分别连接第一 MOSFET Ql的源极和第二 MOSFET Q2的源极；电容C与第一二极管Dl以及第二二极管D2的相接端输出输出电压Vwt ；电容C与第一 MOSFET Ql以及第二 MOSFET Q2的相接端接地。本实用新型的工作原理第一 MOSFET Ql闭合时第一电感LI储存电能，第一MOSFET Ql断开时，第一电感LI通过第一二极管Dl向电容C充电，实现升压；第二 MOSFETQ2闭合时第二电感L2储存电能，第二 MOSFET Q2断开时，第二电感L2通过第二二极管D2向电容C充电，实现升压；第一MOSFET Ql和第二MOSFET Q2可以交替工作也可以同时工作，从而减少第一 MOSFET Q1、第二 MOSFET Q2、第一二极管Dl和第二二极管D2的开关损耗，并且提高升压的功率和效率。并且即使某一部件损坏时，整个电路还是能够正常运行，从而大大延长了电路的使用时间和减少了因为故障带来的影响。本实施例中，第一 MOSFET Ql和第二 MOSFET Q2均为N型MOSFET。以上实施例仅供说明本实用新型之用，而非对本实用新型的限制，有关技术领域的技术人员，在不脱离本实用新型的精神和范围的情况下，还可以作出各种变换或变型，因此所有等同的技术方案也应该属于本实用新型的范畴，应由各权利要求所限定。
权利要求1.一种直流升压电路，其特征在于，包括断路器、第一电感、第二电感、第一 MOSFET、第二 M0SFET、第一二极管、第二二极管和电容，其中 所述第一电感的一端连接所述断路器并且通过该断路器接收输入电压，另一端分别连接所述第一二极管的正极和所述第一 MOSFET的漏极； 所述第二电感的一端连接所述断路器并且通过该断路器接收输入电压，另一端分别连接所述第二二极管的正极和所述第二 MOSFET的漏极； 所述电容的一端分别连接所述第一二极管的负极和所述第二二极管的负极，另一端分别连接所述第一 MOSFET的源极和所述第二 MOSFET的源极； 所述电容与第一二极管以及第二二极管的相接端输出输出电压； 所述电容与第一 MOSFET以及第二 MOSFET的相接端接地。
2.根据权利要求I所述的直流升压电路，其特征在于，所述第一MOSFET和第二 MOSFET均为N型MOSFET。
专利摘要本实用新型公开了一种直流升压电路，包括断路器、第一电感、第二电感、第一MOSFET、第二MOSFET、第一二极管、第二二极管和电容，其中第一电感的一端连接断路器并且通过该断路器接收输入电压，另一端分别连接第一二极管的正极和第一MOSFET的漏极；第二电感的一端连接断路器并且通过该断路器接收输入电压，另一端分别连接第二二极管的正极和第二MOSFET的漏极；电容的一端分别连接第一二极管的负极和第二二极管的负极，另一端分别连接第一MOSFET的源极和第二MOSFET的源极。本实用新型具有两套相互独立的升压电路，可以同时工作也可以轮流工作，并且在其中一套损坏的时候整体还能正常工作，延长了电路的使用时间。
文档编号H02M1/32GK202713149SQ20122029454
公开日2013年1月30日 申请日期2012年6月21日 优先权日2012年6月21日
发明者姚建歆, 周曞昕, 郑季伟, 徐剑, 顾临峰, 李志龙, 王国友, 倪东海, 程正敏, 唐海强, 王飙, 徐刚, 周静 申请人:上海市电力公司