电力转换装置制造方法
【专利摘要】在将自激式半导体元件(G1、G2)的控制信号从断开控制切换到接通控制时，控制电路在对自激式半导体元件(G2)施加控制电压并经过接通时间(2×Δt)后，对自激式半导体元件(G1)实施接通控制，并且在将自激式半导体元件(G1、G2)的控制信号从接通控制切换到断开控制时，控制电路在对自激式半导体元件(G1)施加控制电压并经过关断时间(2×Δt)后，对自激式半导体元件(G2)的控制信号实施断开控制。
【专利说明】电力转换装置
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种电力转换装置，特别是涉及输出低频、低压的电力转换装置。
【背景技术】
[0002]例如，一种电力转换装置中，其可通过对开关半导体元件实施接通/断开控制来供应正弦波电流，并可变速地驱动可变速抽水发电机等负载，其中当电力转换装置(例如，三电平转换器)的输出频率为低频时，正弦波状的电流进行正或负导通的时间会延长。因此，开关半导体元件的导通时间会延长，并且开关半导体元件的结温会在此期间持续上升，最终可能因过热而发生破损。
[0003]作为保护上述开关半导体元件避免过热的技术，有如下技术。
[0004]日本专利特开2008-178188号公报(专利文献I)旨在提供一种电力转换装置，其在输出频率为低频时，能够延长系统要求的固定负载条件下的持续运转时间，并且即使与系统要求的负载条件不同时也能够持续运转。在日本专利特开2008-178188号公报(专利文献I)中公开的发明是一种电力转换装置，其具有电力转换器，该电力转换器具有多个开关半导体元件，通过对这些开关半导体元件进行接通/断开控制来向交流电动机供应正弦波电流，该电力转换装置构成为，具有频率校正单元，当电力转换器的输出频率为规定值以下的低频时，该频率校正单元与通过运算求得的开关元件的大致热负载成比例地增加输出频率。
现有技术文献专利文献
[0005]专利文献1:日本专利特开2008-178188号公报
【发明内容】
发明所要解决的技术问题
[0006]但是，日本专利特开2008-178188号公报(专利文献I)中公开的发明中，还要设置频率校正单元，因此会存在增大电力转换装置的面积以及增加成本的问题。
[0007]此外，如上所述，与将2个半导体元件串联连接而成的两电平转换器相比，三电平转换器以低频/低调制比进行运转时，部分半导体元件的温度可能会上升。另一方面，使用以往的两电平转换器时，存在难以调整2个半导体元件间的电压范围的问题。
[0008]本发明鉴于上述问题开发而成，其目的在于提供一种无需设置以往的频率校正单元的、输出低频、低压的电力转换装置。
解决技术问题所采用的技术方案
[0009]一种电力转换装置，其特征在于，其具有将交流电源的交流电压转换为具有三电平即第I至第3电位的直流电压的三电平转换器，三电平转换器含有第I至第3输入端以及输出直流电压的输出端，对第2输入端施加第I至第3电位中的中间电位，并且该三电平转换器含有:第I和第2开关半导体元件，其在第I输入端与输出端之间依序串联连接;第I和第2回流二极管，其在第I输入端与输出端之间，以与第I和第2开关半导体元件的导通电流的方向相反的方向依序串联连接；第I耦合二极管，其阳极连接至第2输入端，阴极连接至第I开关半导体元件与第2开关半导体元件的连接节点以及第I回流二极管与第2回流二极管的连接节点；第3和第4开关半导体元件，其在输出端与第3输入端之间依序串联连接；第3和第4回流二极管，其在输出端与第3输入端之间，以与第3和第4开关半导体元件的导通电流的方向相反的方向依序串联连接；以及第2耦合二极管，其阴极连接至第2输入端，阳极连接至第3开关半导体元件与第4开关半导体元件的连接节点以及第3回流二极管与第4回流二极管的连接节点，该电力转换装置还具有控制电路，其控制第I至第4开关半导体元件的接通/断开的转换，在将第I和第2开关半导体元件的控制信号从断开控制切换到接通控制时，控制电路对第2开关半导体元件施加控制电压并经过接通时间后，对第I开关半导体元件实施接通控制，在将第I和第2开关半导体元件的控制信号从接通控制切换到断开控制时，控制电路对第I开关半导体元件施加控制电压并经过关断时间后，对第2开关半导体元件的控制信号实施断开控制。
发明效果
[0010]根据本发明，通过几乎同时地对构成电力转换装置(三电平转换器)的I臂的2个半导体元件实施起弧/消弧，能够实现与三电平转换器相同的输出电压，并且能够减少热量远高于其他半导体元件的半导体元件，提高输出电流。
【专利附图】
【附图说明】
[0011]图1是用来说明实施方式所涉及的电力转换装置的结构和动作的图。
图2是用来说明实施方式所涉及的电力转换装置的动作的图。
图3是用来说明实施方式所涉及的电力转换装置的动作的图。
图4是表示输出直流电压OV时自激式半导体元件Gl?G4的起弧模式的图。
图5是用来说明图4所示的起弧模式时流过各元件的电流的图。
图6是表示输出直流电压OV时自激式半导体元件Gl?G4的参考例的起弧模式的图。 图7是用来说明图6所示的起弧模式时流过各元件的电流的图。
【具体实施方式】
[0012]以下参照附图详细说明本发明。另外，对于图中相同或相当的部分将标注相同的符号，并不再重复其说明。
[0013][实施方式]
(电力转换装置的结构)
图1是用来说明实施方式所涉及的电力转换装置的结构和动作的图。参照图1，该电力转换装置也被称为三电平转换器。电力转换装置含有自激式半导体元件Gl?G4、与自激式半导体元件Gl?G4反向地并联连接的回流二极管DFl?DF4、耦合二极管DC1、DC2、以及作为直流电压电路的平滑电容器C1、C2。另外，作为自激式半导体元件，只要是能够根据GCT (Gate Commutated Turn-off,门极换流关断)晶闸管、IGBT (Insulated Gate BipolarTransistor,绝缘栅双极型晶体管)、MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor,金属氧化物半导体场效应晶体管)等栅极信号来切换接通/断开的元件即可。
[0014]具体而言，电力转换装置含有:自激式半导体元件Gl、G2，其在端子P与端子X之间依序串联连接；回流二极管DF1、DF2，其在端子P与端子X之间，以与自激式半导体元件G1、G2的导通电流的方向相反的方向依序串联连接；耦合二极管DC1，其阳极连接到端子C，阴极连接到自激式半导体元件Gl与自激式半导体元件G2的连接节点以及回流二极管DFl与回流二极管DF2的连接节点；自激式半导体元件G3、G4，其在端子X与端子N之间依序串联连接；回流二极管DF3、DF4，其在端子X与端子N之间，以与自激式半导体元件G3、G4的导通电流的方向相反的方向依序串联连接；以及耦合二极管DC2，其阴极连接到端子C，阳极连接到自激式半导体元件G3与自激式半导体元件G4的连接节点以及回流二极管DF3与回流二极管DF4的连接节点。
[0015](电力转换装置的动作)
端子P、C、N能够获得各种电位，但为了容易理解，下述说明中对端子C施加中间电位。也就是说，对端子C施加的电位是低于最高电位且高于最低电位的中间电位。
[0016]再次参照图1，说明在电力转换装置中⑴将端子P的电压施加到端子X时的控制以及(2)将端子X的电压施加到端子P时的控制。
[0017]首先，在⑴时，通过对设置在虚线的路径PATHl上的元件实施接通控制，其他切换为断开控制，能够对端子X施加端子P的电压。具体而言，通过在路径PATHl上对自激式半导体元件G1、G2实施接通控制，对其他元件实施断开控制，从而端子X能够接受端子P的电压。
[0018]接着，在(2)时，通过对设置在虚线的路径PATH2上的元件实施接通控制，其他切换为断开控制，能够对端子P施加端子X的电压。具体而言，通过在路径PATH2上对回流二极管DFl、DF2实施接通控制，对其他元件实施断开控制，从而端子P能够接受端子X的电压。
[0019]图2是用来说明实施方式所涉及的电力转换装置的动作的图。参照图2，说明在电力转换装置中(3)将端子C的电压施加到端子X时的控制以及(4)将端子X的电压施加到端子C时的控制。
[0020]在(3)时，通过对设置在虚线的路径PATH3上的元件实施接通控制，其他切换为断开控制，能够对端子X施加端子C的电压。具体而言，通过在路径PATH3上对自激式半导体元件G2和耦合二极管DCl实施接通控制，对其他元件实施断开控制，从而端子X能够接受端子C的电压。
[0021]在(4)时，通过对设置在虚线的路径PATH4上的元件实施接通控制，其他切换为断开控制，能够对端子C施加端子X的电压。具体而言，通过在路径PATH4上对自激式半导体元件G3和耦合二极管DC2实施接通控制，对其他元件实施断开控制，从而端子C能够接受端子X的电压。
[0022]图3是用来说明实施方式所涉及的电力转换装置的动作的图。参照图3，说明在电力转换装置中(5)将端子N的电压施加到端子X时的控制以及(6)将端子X的电压施加到端子N时的控制。
[0023]在(5)时，通过对设置在虚线的路径PATH5上的元件实施接通控制，其他切换为断开控制，能够对端子X施加端子N的电压。具体而言，通过在路径PATH5上对回流二极管DF3、DF4实施接通控制，对其他元件实施断开控制，从而端子X能够接受端子N的电压。
[0024]在(6)时，通过对设置在虚线的路径PATH6上的元件实施接通控制，其他切换为断开控制，能够对端子N施加端子X的电压。具体而言，通过在路径PATH6上对自激式半导体元件G3、G4实施接通控制，对其他元件实施断开控制，从而端子N能够接受端子X的电压。
[0025](控制信号)
下面，研究构成本实施方式的电力转换装置的自激式半导体元件Gl?G4的具体的控制信号。
[0026]图4是表示输出直流电压OV时自激式半导体元件Gl?G4的起弧模式的图。参照图4，示出自激式半导体元件Gl?G4的控制信号与合成输出波形。
[0027]此处，虽然在时间tl时，自激式半导体元件G1、G2几乎同时被实施接通控制，但优选先将自激式半导体元件G2接通，然后再将自激式半导体元件Gl接通。也就是说，将其控制为，在经过由自激式半导体元件G2的物理特性规定的上升时间(接通时间)后，将自激式半导体元件Gl接通。
[0028]接着，在时间tl?时间t2之间，自激式半导体元件Gl、G2被实施接通控制，另一方面，自激式半导体元件G3、G4被实施断开控制。此时，自激式半导体元件Gl、G2的接通控制期间几乎相等。因此，在该时间tl?时间t2之间，会通过路径PATH1、PATH2，将端子P的电压供应至端子X。
[0029]然后，虽然在时间t2时，自激式半导体元件G1、G2几乎同时被实施断开控制，但优选先将自激式半导体元件Gl断开后，再将自激式半导体元件G2断开。也就是说，将其控制为，在经过由自激式半导体元件Gl的物理特性规定的下降时间(关断时间)后，将自激式半导体元件G2断开。
[0030]接着，虽然在时间t2时，自激式半导体元件G3、G4几乎同时被实施接通控制，但优选先将自激式半导体元件G3接通，然后再将自激式半导体元件G4接通。也就是说，将其控制为，在经过由自激式半导体元件G3的物理特性规定的上升时间(接通时间)后，将自激式半导体元件G4接通。
[0031]在时间t2?时间t3之间，自激式半导体元件G3、G4被实施接通控制，另一方面，自激式半导体元件G1、G2被实施断开控制。此时，自激式半导体元件G3、G4的接通控制期间几乎相等。因此，在该时间t2?时间t3之间，会通过路径PATH5、PATH6，将端子X的电压供应至端子N。
[0032]然后，虽然在时间t3时，自激式半导体元件G3、G4几乎同时被实施断开控制，但优选先将自激式半导体元件G4断开，然后再将自激式半导体元件G3断开。也就是说，将其控制为，在经过由自激式半导体元件G4的物理特性规定的下降时间(关断时间)后，将自激式半导体元件G3断开。
[0033]如上所述，自激式半导体元件Gl?G4的各接通控制期间几乎相等，并且具有周期T (时间tl?时间t3之间)。此外，自激式半导体元件G3的控制信号与自激式半导体元件G2的控制信号的关系具有排他性。
[0034]通过控制上述自激式半导体元件Gl?G4，能够获得周期T的合成输出波形。该合成输出波形仅输出端子P、N的电压。换言之，本实施方式的电力转换装置不输出端子C的电压，实施与所谓两电平转换器几乎相同的动作。但是，与以往的两电平转换器相比，虽然输出电压的高次谐波成分会增加，但可解决电压分担的问题。
[0035]接着，研究在图4中说明的起弧模式下的电力转换装置的各元件的导通状态。
[0036]图5是用来说明在图4所示的起弧模式时流过各元件的电流的图。参照图5，从上往下依序表示自激式半导体元件Gl?G4的控制信号、流过回流二极管DFl?DF4的电流、流过耦合二极管DC1、DC2的电流、以及端子X的输出电流。此处，在图5中表示各电流值时，将电流从端子P、C、N流至端子X的方向设为正方向。
[0037]参照图4、图5，由于在时间tl?时间t2之间，自激式半导体元件Gl、G2为接通，自激式半导体元件G3、G4为断开，因此电流会在路径PATHl和PATH2上流动。因此，在自激式半导体元件Gl、G2中，电流会通过路径PATHl流动至端子X。
[0038]另一方面，由于在时间t2?时间t3之间，自激式半导体元件Gl、G2为断开，自激式半导体元件G3、G4为接通，因此电流会在路径PATH5和PATH6上流动。因此，在回流二极管DF3、DF4上，电流会通过路径PATH5流动至端子X。
[0039]此处，在时间t2和时间t3，自激式半导体元件G2、G3会瞬间为接通，自激式半导体元件G1、G4为断开，因此电流会在路径PATH3和PATH4上流动。因此，瞬时电流会流动至耦合二极管DC1。上述动作会以周期T(时间tl?时间t3之间)重复实施。
[0040]此处，为加深对本实施方式的电力转换装置的理解，与参考例进行比较来说明。另夕卜，参考例的结构与本申请的实施方式的结构相同，但将输入波形施加到自激式半导体元件Gl?G4的方法不同。
[0041](参考例)
图6是表示输出直流电压OV时自激式半导体元件Gl?G4的参考例的起弧模式的图。这是以往的三电平转换器中使用的起弧模式。通过与图4的控制信号的比较，说明图6的控制信号。另外，输入该控制信号的电力转换装置的结构与图1所示的实施方式的电力转换装置相同。
[0042]参照图6，排他性地使用对自激式半导体元件G1、G3的接通/断开控制信号的施加电压，此外，排他性地使用对自激式半导体元件G2、G4的接通/断开控制信号的施加电压。
[0043]并且，自激式半导体元件Gl的接通控制的时间包含在自激式半导体元件G2的接通控制的时间中，此外，自激式半导体元件G4的接通控制的时间包含在自激式半导体元件G3的接通控制的时间中。例如，将(I)从自激式半导体元件G2的上升时间t02至自激式半导体元件Gl的上升时间til的时间、(2)从自激式半导体元件Gl的下降时间tl2至自激式半导体元件G2的下降时间t21的时间、(3)从自激式半导体元件G3的上升时间tl2至自激式半导体元件G4的上升时间t21的时间、以及(4)从自激式半导体元件G4的下降时间t22至自激式半导体元件G2的下降时间t31的时间以合成输出波形的高次谐波成分最小的方式进行设定。
[0044]具体而言，在时间t02，自激式半导体元件G2实施接通控制。并且，在延迟了时间2X At的时间tll，自激式半导体元件Gl实施接通控制。
[0045]而且，其后自激式半导体元件Gl、G2在到达时间tl2前，都实施接通控制。到达时间tl2后，自激式半导体元件Gl实施断开控制。同时，自激式半导体元件G3实施接通控制。
[0046]因此，时间tl2?时间t21之间，自激式半导体元件G2、G3实施接通控制。在时间t21，自激式半导体元件G2实施断开控制，同时自激式半导体元件G4实施接通控制。
[0047]接着，在时间tl2，自激式半导体元件G3实施接通控制，其后在时间t21，自激式半导体元件G4实施接通控制。在时间t21?时间t22之间，自激式半导体元件G3、G4都实施接通控制。
[0048]此外，到达时间t22后，自激式半导体元件G4实施断开控制，同时自激式半导体元件G2实施接通控制。
[0049]如果将以上从时间t02至时间t22的时间设为I周期T，则控制电路100会以该周期T为单位，将上述起弧模式施加到自激式半导体元件Gl?G4。
[0050]通过输入此种控制信号，可获得如图6所示的合成输出波形。另外，该合成输出波形的高次谐波成分为最小。
[0051]具体而言，在时间til?时间tl2，自激式半导体元件Gl、G2实施接通控制，因此使用路径PATHl、PATH2，端子X接受端子P的电压。
[0052]接着，在时间tl2?时间t21，自激式半导体元件G2、G3实施接通控制，因此使用路径PATH3、PATH4,端子X接受端子C的电压。
[0053]并且，在时间t21?时间t22，自激式半导体元件G3、G4实施接通控制，因此使用路径PATH5、PATH6，端子X接受端子C的电压。
[0054]时间t22?时间t31与时间tl2?时间t21的状态相同，因此端子X接受端子C的电压。
[0055]接着，研究在图6中说明的起弧模式下的电力转换装置的各元件的导通状态。
[0056]图7是用来说明在图6所示的起弧模式时流过各元件的电流的图。与图5加以比较，说明图7。参照图6、图7，由于在时间t02?时间111之间，自激式半导体元件G2、G3为接通，自激式半导体元件Gl、G4为断开，因此电流会在路径PATH3上流动。因此，在自激式半导体元件G2上，电流会通过路径PATH3流动至端子X。此时，也会导通至路径PAHT3上的耦合二极管DCl。
[0057]另一方面，由于在时间til?时间tl2之间，自激式半导体元件Gl、G2为接通，自激式半导体元件G3、G4为断开，因此电流会在路径PATHl上流动。因此，在自激式半导体元件Gl、G2上，电流会通过路径PATHl流动至端子X。
[0058]接着，在时间tl2?时间t21，自激式半导体元件G2、G3再次为接通，自激式半导体元件G1、G4为断开，因此电流会在路径PATH3上流动。因此，电流会再次流动至耦合二极管 DC1。
[0059]而且，在时间t21?时间t22间，自激式半导体元件G3、G4为接通，自激式半导体元件Gl、G2为断开，因此电流会在路径PATH5上流动。
[0060]以上说明的动作会以周期T(时间t02?时间t22之间)重复实施。
[0061]此处，参照图5、图7，与其他元件即自激式半导体元件G3、G4、耦合二极管DC2等相比，如图7所示自激式半导体元件G2和耦合二极管DCl的施加电流时间较长，其施加次数也较多。因此，自激式半导体元件G2或耦合二极管DCl的寿命短于其他元件，因此例如搭载了以往的电力转换装置的可变速抽水发电机会频繁地进行修理或更换，效率低下。
[0062]另一方面，本实施方式的电力发电装置几乎同时对自激式半导体元件G1、G2实施接通/断开控制，并且与自激式半导体元件G1、G2的接通/断开控制具有排他性地、几乎同时对自激式半导体元件G3、G4实施接通/断开控制，因此如图5所示进行导通的元件(例如，自激式半导体元件G1、G2和回流二极管DF3、DF4)的负载几乎相同。并且，还能够减少功耗。
[0063]因此，与以往的参考例不同，这些元件很可能分别几乎同时到达使用寿命，因此搭载着本实施方式的电力转换装置的可变速抽水发电机能够高效率地进行修理或更换。
[0064]最后使用附图等总结实施方式。
如图1?图3所示，实施方式中具有将交流电源的交流电压转换为具有三电平即第I至第3电位的直流电压的三电平转换器，三电平转换器含有端子P、C、N以及输出直流电压的端子X，端子C被施加第I至第3电位中的中间电位，并且该三电平转换器含有:自激式半导体元件Gl、G2，其在端子P与端子X之间依序串联连接；回流二极管DF1、DF2，其在端子P与端子X之间，以与自激式半导体元件Gl、G2的导通电流的方向相反的方向依序串联连接；耦合二极管DC1，其阳极连接至端子C，阴极连接至自激式半导体元件Gl与自激式半导体元件G2的连接节点以及回流二极管DFl与回流二极管DF2的连接节点；自激式半导体元件G3、G4，其在端子X与端子N之间依序串联连接；回流二极管DF3、DF4，其在端子X与端子N之间，以与自激式半导体元件G3、G4的导通电流的方向相反的方向依序串联连接；以及耦合二极管DC2，其阴极连接至端子C，阳极连接至自激式半导体元件G3与自激式半导体元件G4的连接节点以及回流二极管DF3与回流二极管DF4的连接节点，该实施方式还具有控制电路100，其控制自激式半导体元件Gl?G4的接通/断开的转换，在将自激式半导体元件Gl、G2的控制信号从断开控制切换到接通控制时，控制电路100对自激式半导体元件G2施加控制电压并经过接通时间后，对自激式半导体元件Gl实施接通控制，在将自激式半导体元件Gl、G2的控制信号从接通控制切换到断开控制时，控制电路100对自激式半导体元件Gl施加控制电压并经过关断时间后，对自激式半导体元件G2的控制信号实施断开控制。
[0065]优选第2电位为低于第I电位且高于第3电位的中间电位，在将自激式半导体元件G3、G4的控制信号从断开控制切换到接通控制时，控制电路100对自激式半导体元件G3施加控制电压并经过接通时间后，对自激式半导体元件G4实施接通控制，在将自激式半导体元件G3、G4的控制信号从接通控制切换到断开控制时，控制电路100对自激式半导体元件G4施加控制电压并经过关断时间后，对自激式半导体元件G3的控制信号实施断开控制。
[0066]更优选自激式半导体元件G3的控制信号与自激式半导体元件G2的控制信号的关系具有排他性。
[0067]此次公开的实施方式在各方面仅为例示，不具有限制性。本发明的范围并非由上述说明而是由权利要求范围所规定的，与权利要求范围等同的意义以及范围内的所有变更均包含在本发明范围之内。
符号说明
[0068]100控制电路 C、N、P、X 端子 C1、C2平滑电容器 DC1、DC2耦合二极管 DFl?DF4回流二极管
Gl?G4自激式半导体元件
【权利要求】
1.一种电力转换装置，其特征在于，其具有将交流电源的交流电压转换为具有三电平即第I至第3电位的直流电压的三电平转换器， 所述三电平转换器含有: 第I至第3输入端(P、C、N);以及 输出所述直流电压的输出端(X)， 对所述第2输入端(C)施加所述第I至第3电位中的中间电位，并且 该三电平转换器含有: 第I和第2开关半导体元件(Gl、G2)，其在所述第I输入端(P)与所述输出端(X)之间依序串联连接； 第I和第2回流二极管(DF1、DF2)，其在所述第I输入端(P)与所述输出端(X)之间，以与所述第I和第2开关半导体元件(Gl、G2)的导通电流的方向相反的方向依序串联连接; 第I耦合二极管(DCl)，其阳极连接至所述第2输入端(C)，阴极连接至所述第I开关半导体元件(Gl)与所述第2开关半导体元件(G2)的连接节点以及所述第I回流二极管(DFl)与所述第2回流二极管(DF2)的连接节点； 第3和第4开关半导体元件(G3、G4)，其在所述输出端(X)与所述第3输入端(N)之间依序串联连接； 第3和第4回流二极管(DF3、DF4)，其在所述输出端(X)与所述第3输入端(N)之间，以与所述第3和第4开关半导体元件(G3、G4)的导通电流的方向相反的方向依序串联连接；以及 第2耦合二极管(DC2)，其阴极连接至所述第2输入端(C)，阳极连接至所述第3开关半导体元件(G3)与所述第4开关半导体元件(G4)的连接节点以及所述第3回流二极管(DF3)与所述第4回流二极管(DF3)的连接节点， 该电力转换装置还具有控制电路(100)，其控制所述第I至第4开关半导体元件(Gl?G4)的接通/断开的转换， 在将所述第I和第2开关半导体元件(Gl、G2)的控制信号从断开控制切换到接通控制时，所述控制电路(100)对所述第2开关半导体元件(G2)施加控制电压并经过接通时间后，对所述第I开关半导体元件(Gl)实施接通控制， 在将所述第I和第2开关半导体元件(Gl、G2)的控制信号从接通控制切换到断开控制时，所述控制电路(100)对所述第I开关半导体元件(Gl)施加控制电压并经过关断时间后，对所述第2开关半导体元件(G2)的控制信号实施断开控制。
2.根据权利要求1所述的电力转换装置，其特征在于， 所述第2电位是低于所述第I电位且高于所述第3电位的所述中间电位， 在将所述第3和第4开关半导体元件(G3、G4)的控制信号从断开控制切换到接通控制时，所述控制电路对所述第3开关半导体元件(G3)施加控制电压并经过接通时间后，对所述第4开关半导体元件(G4)实施接通控制， 在将第3和第4开关半导体元件(G3、G4)的控制信号从接通控制切换到断开控制时，所述控制电路对所述第4开关半导体元件(G4)施加控制电压并经过关断时间后，对所述第3开关半导体元件(G3)的控制信号实施断开控制。
3.根据权利要求2所述的电力转换装置，其特征在于， 所述第3开关半导体元件(G3)的控制信号与所述第2开关半导体元件(G2)的控制信号的关系具有排他性。
【文档编号】H02M7/12GK104272574SQ201280073086
【公开日】2015年1月7日 申请日期:2012年5月10日 优先权日:2012年5月10日
【发明者】东耕太郎 申请人:东芝三菱电机产业系统株式会社