电子装置制造方法
【专利摘要】一种电子装置，其包含磁性元件、第一电路模块以及第二电路模块。磁性元件包含磁芯组及绕组，绕组包含第一绕组及第二绕组，且绕组组装于磁芯组上。第一电路模块耦接于磁性元件的第一绕组。第二电路模块耦接于磁性元件的第二绕组。第一电路模块或/与第二电路模块同磁性元件的绕组在第一平面上的垂直投影区域具有交叠部分，第一平面为绕组所在水平方向上的平面。
【专利说明】电子装置【技术领域】
[0001]本发明涉及电力电子领域的电子装置，尤其涉及含有磁性元件的电子装置。
【背景技术】
[0002]平面变压器，相对于传统变压器，其用单层或多层印刷线路板(Printed WiringBoard, PWB)、铜箔等材料替代了传统变压器中的铜导线，平面变压器中的导线实际上是平面的导体，电流会远离中心趋于边缘流动，但电流仍会全部流经导体，所以可以得到很高的电流密度。另，由于平面变压器所使用的磁芯体积小、面积大、外形扁平，散热效果好，这样可以得到更高的效率。再，由于平面变压器具有结构紧凑、耦合较好、绝缘性能优良等优点，使平面变压器适应了产品小型化，所以已经应用在诸多产品中，比如应用在功率变换器中。
[0003]参照图1，图1绘示了包含平面变压器的功率变换器的电路原理图。
[0004]由图1可知，功率变换器I包含平面变压器11、副边电路模块12及原边电路模块13。其中，副边电路模块12及原边电路模块13分别耦接在平面变压器11的副边侧(secondary)与原边侧(primary)。
[0005]再参照图2，图2绘示了具有传统平面变压器的功率变换器的结构示意图。
[0006]平面变压器11包含磁芯组、绕组(未绘示);副边电路模块12通过副边出线与绕组相连；原边电路模块13通过原边出线与绕组相连。
[0007]但是，对于传统的平面变压器11，其绕组出线与其外接电路模块组成的电流回路会储存较大的磁场能量，从而将形成较大的漏感，比如，绕组的副边出线与副边电路模块12所构成的回路将产生较大的漏感。而漏感是平面变压器的一项重要指标，如在开关电源中，如果有漏感存在，当开关器件截止瞬间时，由于漏感的作用而产生反向电动势，此反向电动势容易把开关器件过电压击穿。另，漏感还可以与外接电路及平面变压器绕组中的分布电容组成振荡回路，进而产生振荡并向外辐射电磁能量，造成电磁干扰。再，对某些变压器，如反激(flyback)变压器，漏 感还会引起损耗，从而降低反激变压器的效率。
[0008]有鉴于此，如何设计一种转换器，通过改变其平面变压器的结构，以减小平面变压器的出线与其外接电路构成的回路所储存的磁场能量，从而减小漏感，是业内相关技术人员亟待解决的一技术问题。
【发明内容】
[0009]为了解决上述技术问题，本发明提出了一种电子装置，包含:一磁性元件，包含一磁芯组及一绕组，绕组包含一第一绕组及一第二绕组，且绕组组装于磁芯组上；一第一电路模块，耦接于磁性元件的第一绕组；以及一第二电路模块，耦接于磁性元件的第二绕组；其中，第一电路模块或/与第二电路模块同磁性元件的绕组在一第一平面上的垂直投影区域具有交叠部分，第一平面为绕组所在水平方向上的平面。
[0010]在本发明一实施例中，磁性元件为一变压器模块，且前述的第一绕组为一原边绕组，前述的第二绕组为一副边绕组。[0011 ] 在本发明一实施例中，变压器模块为一平面变压器。
[0012]在本发明一实施例中，磁芯组包含一第一磁芯部件及与其相对应的一第二磁芯部件，第一磁芯部件具有一磁芯柱、一磁芯盖板、一第一边柱、一第二边柱、一原边侧开口及一副边侧开口，原边侧开口及副边侧开口位于第一边柱、第二边柱的两端，绕组组装在第一磁芯部件与第二磁芯部件之间，并套设在磁芯柱上。
[0013]在本发明一实施例中，第一磁芯部件或第二磁芯部件在第一平面上的垂直投影区域同绕组在第一平面上的垂直投影区域存在至少一非覆盖区域，使得至少一部分的第一电路模块或/与第二电路模块垂直投影在非覆盖区域，与绕组在第一平面上的垂直投影区域具有交叠部分。
[0014]在本发明一实施例中，当第一磁芯部件与绕组在第一平面上的垂直投影区域存在至少一非覆盖区域时，第一磁芯部件的磁芯盖板厚度大于第二磁芯部件的厚度。
[0015]在本发明一实施例中，当第二磁芯部件与绕组在第一平面上的垂直投影区域存在至少一非覆盖区域时，第一磁芯部件的磁芯盖板厚度小于第二磁芯部件的厚度。
[0016]在本发明一实施例中，原边侧开口与副边侧开口相对于磁芯柱不对称。
[0017]在本发明一实施例中，第一磁芯部件和第二磁芯部件在第一平面上的垂直投影区域均同绕组在第一平面的垂直投影区域存在至少一非覆盖区域，使得至少一部分的第一电路模块或/与第二电路模块垂直投影在非覆盖区域，与绕组在第一平面上的垂直投影区域具有交叠部分。
[0018]在本发明一实施例中，第一磁芯部件与第二磁芯部件在第一平面上的垂直投影区
域不重叠。
[0019]在本发明一实施例中，第一磁芯部件与第二磁芯部件在第一平面上的垂直投影区域相重叠。
[0020]在本发明一实施例中,第一边柱和第二边柱相对于磁芯柱不对称。
[0021]在本发明一实施例中，原边侧开口和副边侧开口之间的第一边柱长度大于第二边柱长度。
[0022]在本发明一实施例中，第一磁芯部件与第二磁芯部件沿原边侧开口或副边侧开口为内陷弧形。
[0023]在本发明一实施例中，第一磁芯部件和第二磁芯部件在第一平面上的垂直投影区域均覆盖绕组在第一平面上的垂直投影区域，其中，第一磁芯或第二磁芯部件具有一凹槽，凹槽与绕组在第一平面上的垂直投影区域具有交叠部分，第一电路模块的至少一部分或第二电路模块的至少一部分容置在凹槽里。
[0024]在本发明一实施例中，原边绕组的两端各通过一原边出线与第一电路模块耦接，原边出线包含一原边内层出线、一原边出线孔及一原边外层出线，其中，原边内层出线通过原边出线孔与原边外层出线电性连接；副边绕组的两端各通过一副边出线与第二电路模块耦接，副边出线包含一副边内层出线、一副边出线孔及一副边外层出线，其中，副边内层出线通过副边出线孔与副边外层出线电性连接。
[0025]在本发明一实施例中，原边出线孔设置在原边绕组与磁芯柱之间的区域、原边绕组的区域或原边绕组的外侧区域；副边出线孔设置在副边绕组与磁芯柱之间的区域、副边绕组的区域或副边绕组的外侧区域。[0026]在本发明一实施例中，当原边出线孔设置在原边绕组的外侧区域，第一电路模块中的对漏感敏感的元器件布局在原边出线孔靠近磁芯柱方向的一侧；当副边出线孔设置在副边绕组的外侧区域，第二电路模块中的对漏感敏感的元器件布局在副边出线孔靠近磁芯柱方向的一侧。
[0027]在本发明一实施例中，绕组为一 PCB绕组或圆形导线构成的一平面绕组。
[0028]在本发明一实施例中，转换器为一反激变换器。
[0029]在本发明一实施例中，副边电路模块为一整流电路模块。
[0030]在本发明一实施例中，第一电路模块与第二电路模块中至少一者与相应的绕组构成交流回路，其中此交流回路在第一平面上的垂直投影区域的面积与耦接于磁芯组中的同一磁芯柱上的所有回路在第一平面上的垂直投影区域的交叠部分的面积的比值的范围在I至1.2。其中，前述的交流回路中含有大量的交流电流成分，故将其定义为交流回路。
[0031]在本发明一实施例中，前述的第一绕组为一原边绕组，且第一电路模块与原边绕组构成一交流回路，其中此交流回路在第一平面上的垂直投影区域的面积与耦接于磁芯组中的同一磁芯柱上的所有回路在第一平面上的垂直投影区域的交叠部分的面积的比值的范围在I至1.2。
[0032]在本发明一实施例中，前述的第二绕组为一副边绕组，且第二电路模块与副边绕组构成一交流回路，其中此交流回路在第一平面上的垂直投影区域的面积与耦接于磁芯组中的同一磁芯柱上的所有回路在第一平面上的垂直投影区域的交叠部分的面积的比值的范围在I至1.2。
[0033]在本发明一实施例中，副边绕组包含第一副边绕组部与第二副边绕组部，且整流电路模块包含第一开关模块、第一电容模块、第二开关模块以及第二电容模块。第一电容模块与第一开关模块耦接于第一副边绕组部，且第一开关模块与第一电容模块设置于第一副边绕组部的上表面。第二电容模块与第二开关模块耦接于第二副边绕组部，且第二开关模块与第二电容模块设置于第二副边绕组部的下表面。
[0034]在本发明一实施例中，副边绕组包含第一副边绕组部与第二副边绕组部，且整流电路模块包含第一开关模块、电容模块以及第二开关模块。第一开关模块耦接于第一副边绕组部。电容模块耦接第一开关模块，并与第一开关模块设置于第一副边绕组部的上表面。第二开关模块设置于第二副边绕组部的下表面，且第二开关模块通过一过孔耦接电容模块。
[0035]在本发明一实施例中，第一开关模块、第一电容模块、第二开关模块或第二电容模块设置于PCB板内部。
[0036]在本发明一实施例中，第一开关模块或第二开关模块为一芯片，且设置于PCB板内部。
[0037]在本发明一实施例中，电容模块通过在PCB的基材掺杂一介电材料而形成。
[0038]在本发明一实施例中，磁芯组与第一电路模块或第二电路模块在第一平面上的垂直投影区域具有交叠部分。
[0039]在本发明一实施例中，原边侧开口与副边侧开口相对于磁芯柱不对称，且第一电路模块或第二电路模块设置于原边侧开口与该副边侧开口两者中的宽度较大者。
[0040]在本发明一实施例中，第二磁芯部件在第一平面的垂直投影区域落入第一磁芯部件的磁芯盖板在第一平面的垂直投影区域。
[0041]在本发明一实施例中，第二磁芯部件的厚度大于第一磁芯部件的磁芯盖板的厚度。
[0042]在本发明一实施例中，第一磁芯部件与第二磁芯部件沿原边侧开口或副边侧开口为内陷弧形，且第一电路模块的至少一部分或第二电路模块的至少一部分设置于内陷弧形的区域。
[0043]在本发明一实施例中，磁芯组还包含一容纳部。容纳部用以容纳第一电路模块或第二电路模块。
[0044]在本发明一实施例中，容纳部为一凹槽，凹槽设置于第一磁芯部件或第二磁芯部件，且第一电路模块的至少一部分或第二电路模块的至少一部分容置在凹槽内。
[0045]在本发明一实施例中，容纳部设置于磁芯柱靠近于第一电路模块或第二电路模块的一侧。
[0046]在本发明一实施例中，容纳部设置于第一边柱或第二边柱靠近于第一电路模块或第二电路模块的一侧。
[0047]在本发明一实施例中，磁芯组包含一第一磁芯盖板、一第二磁芯盖板与多个磁芯柱，且多个磁芯柱与第一磁芯盖板与第二磁芯盖板连接而形成封闭磁性通路。
[0048]在本发明一实施例中，磁芯组包含一第一磁芯盖板、一第二磁芯盖板与多个边柱。多个边柱围绕磁芯组中的一磁芯柱设置，且多个边柱与第一磁芯盖板与第二磁芯盖板连接而形成多个侧开口。
[0049]在本发明一实施例中，磁芯组包含EQ型磁芯、U型磁芯、EE型磁芯、EI型磁芯、EFD型磁芯、RM型磁芯或罐型磁芯。
[0050]由上可知，本发明所提出的电子装置，通过改变第一电路模块或/与第二电路模块与磁性元件的出线结构以及改变磁芯组的结构，以减小副边出线回路或/与原边出线回路所产生的磁场所储存的能量，从而降低副边出线回路或/与原边出线回路的漏感量。
【专利附图】
【附图说明】
[0051]为让本发明的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附附图的详细说明如下:
[0052]图1绘示了包含平面变压器的功率变换器的电路原理图；
[0053]图2绘示了具有传统平面变压器的功率变换器的结构示意图；
[0054]图3A绘示了本发明的第I实施例的电子装置的结构示意图；
[0055]图3B绘示了图3A所示电子装置的爆炸图；
[0056]图4绘示了本发明的第2实施例的电子装置的爆炸图；
[0057]图5A绘示了本发明的第3实施例的电子装置的爆炸图；
[0058]图5B绘示了图5A所示电子装置的磁芯组的示意图；
[0059]图6绘示了本发明的第4实施例的磁芯组的结构示意图；
[0060]图7绘示了本发明的第5实施例的磁芯组的结构示意图；
[0061]图8绘示了本发明的第6实施例的磁芯组的结构示意图；
[0062]图9A绘示了本发明的第7实施例的电子装置的结构示意图；[0063]图9B绘示了图9A所示电子装置的磁芯组的结构示意图；
[0064]图10绘示了本发明的第8实施例的磁芯组的结构示意图；
[0065]图11绘示了本发明的第9实施例的电子装置的结构示意图；
[0066]图12A绘示了本发明的第10实施例的电子装置的结构示意图；
[0067]图12B绘示了图12A所示电子装置的副边出线的原理示意图；
[0068]图13绘示了本发明第11实施例的变压器的电路示意图；
[0069]图14A绘示了一种中心抽头式全波整流电路的示意图；
[0070]图14B绘示了本发明的第12实施例的电子装置的爆炸图；
[0071]图14C绘示了图14B中的第二绕组的上视图；
[0072]图14D绘示了图14B中的第二副边饶组部的俯视图；
[0073]图14E绘示了图14B中的第二绕组的侧视图；
[0074]图15A绘示了本发明的第13实施例的电子装置的结构示意图；
[0075]图15B绘示了图15A中的磁芯组的结构示意图；
[0076]图16A绘示了本发明的第14实施例的电子装置的结构示意图；
[0077]图16B绘示了本发明的第14实施例的电子装置的另一结构示意图；
[0078]图16C绘示了图16B中的磁芯组的结构示意图；
[0079]图16D绘示了本发明的第15实施例的电子装置的结构示意图；
[0080]图17绘示了本发明的第17实施例的电子装置的结构示意图；
[0081]图18绘示了本发明的第18实施例的电子装置的结构示意图；
[0082]图19绘示了本发明的第19实施例的电子装置的结构示意图；
[0083]图20A绘示了本发明的第20实施例的电子装置的结构示意图；
[0084]图20B绘示了图20A的磁芯组的结构示意图；以及
[0085]图21绘示了本发明的第21实施例的电子装置的结构示意图。
【具体实施方式】
[0086]下文是举实施方式配合附图作详细说明，但所提供的实施方式并非用以限制本发明所涵盖的范围，而结构运作的描述非用以限制其执行的顺序，任何由元件重新组合的结构，所产生具有均等功效的装置，皆为本发明所涵盖的范围。此外，附图仅以说明为目的，并未依照原尺寸作图。
[0087]第I实施例:
[0088]参照图3A、图3B，图3A绘示了本发明的第I实施例的电子装置的结构示意图，图3B绘示了图3A所示电子装置的爆炸图。
[0089]如图3A、图3B所示，电子装置包含一磁性元件31 (如:变压器模块)、一第二电路模块32及一第一电路模块33。
[0090]磁性元件31包含一磁芯组311及一绕组312。磁芯组311包含一第一磁芯部件311a及与其相对应的一第二磁芯部件311b，第一磁芯部件311a具有一磁芯柱3111、一副边侧开口 3112、一原边侧开口 3113及磁芯盖板3119。绕组312包含第二绕组(如:副边绕组，secondary winding)312a 及第一绕组(如:原边绕组，primary winding)312b,绕组 312组装于磁芯组311上，具体而言，绕组312组装在第一磁芯部件311a与第二磁芯部件311b之间，并套设在磁芯柱3111上。一般而言，将磁芯中绕有绕组的部分称为磁芯柱(如磁芯柱3111)，磁芯柱通常可为圆柱形或长方体形，而磁芯盖板则相互平行地设置于磁芯柱的相对两侧(如磁芯盖板3119)，且磁芯盖板与磁芯柱相互垂直。再者，边柱(如后述的磁芯边柱3114、3115)则设置与磁芯柱平行，并与磁芯盖板垂直。
[0091]第二电路模块32，耦接于磁性元件31的第二绕组312a (如:副边绕组)；第一电路模块33，耦接于磁性元件31的第一绕组312b (如为一原边绕组)。举例而言，第二电路模块32可为整流电路模块，如半波整流电路、中心抽头式全波整流电路等整流电路架构。
[0092]第二绕组(如:副边绕组)312a的两端各通过一副边出线与第二电路模块32耦接，此副边出线包含一副边内层出线313、一副边出线孔314及一副边外层出线321，其中，副边内层出线313通过副边出线孔314与副边外层出线321电性连接。类似地，第一绕组(如:原边绕组)312b的两端各通过一原边出线与第一电路模块33耦接，此原边出线包含一原边内层出线315、一原边出线孔316及一原边外层出线331，其中，原边内层出线315通过原边出线孔316与原边外层出线331电性连接。副边出线孔314可以设置在第二绕组(如:副边绕组)312a的外侧区域，但不以此为限，也可以设置在第二绕组312a的所在区域或第二绕组312a与磁芯柱3111之间的区域。同理，原边出线孔316可以设置在第一绕组312b的外侧区域，但不以此为限，也可以设置在第一绕组312b的所在区域或第一绕组312b与磁芯柱3111之间的区域。
[0093]磁芯组311的第一磁芯部件311a和第二磁芯部件311b在第一平面上的垂直投影区域均同绕组312在第一平面上的垂直投影区域之间存在至少一非覆盖区域(非覆盖区域为绕组312在第一平面上的垂直投影区域未被第一磁芯部件311a或第二磁芯部件311b在第一平面上的垂直投影区域覆盖掉的部分，可以位于副边侧，或原边侧)，此第一平面为第二绕组312a所在水平方向上的平面。
[0094]在本实施例中，磁芯组311的第一磁芯部件311a与第二磁芯部件311b在第一平面上的垂直投影区域相重叠。第一磁芯部件311a与第二磁芯部件311b在第一平面上的垂直投影区域同绕组312在第一平面上的垂直投影区域之间在副边侧存在非覆盖区域(图中未绘出)，此时，将第二电路模块32向磁芯柱3111方向移近，其垂直投影在该非覆盖区域内，以使第二电路模块32同绕组312 (具体为第二绕组312a)在第一平面上的垂直投影具有交叠部分S，藉此，可使副边内层出线313和外层出线321的长度均减小，使第二电路模块32、副边外层出线321、副边出线孔314与副边内层出线313所构成的副边出线回路，相对于现有技术中的副边出线回路的面积减小了，从而可以减小副边出线回路所产生的磁场所储存的能量，降低其漏感量。
[0095]在本实施例中，磁性元件31，可以是平面变压器，即其绕组312为平面绕组，比如，可以是PCB平面绕组，也可以是箔片平面绕组，亦可为由圆形导线构成的平面绕组。
[0096]在本实施例中，仅以第二电路模块32进行说明，是因为通常平面变压器中副边绕组的匝数通常较少，而使副边出线的漏电感的大小往往在平面变压器的总漏电感中占有很高的比重。但在其他实施例中，也可以使第一磁芯部件311a与第二磁芯部件311b在第一平面上的垂直投影区域同绕组312在第一平面上的垂直投影区域之间在原边侧存在非覆盖区域，将第一电路模块33向磁芯柱3111方向移近，其垂直投影在该非覆盖区域内，以使第一电路模块33同绕组312 (具体为第一绕组312b)在第一平面上的垂直投影区域具有交叠部分，由此可减小原边出线回路所形成的漏感。在其他实施例中，也可以使第一磁芯部件311a与第二磁芯部件311b在第一平面上的垂直投影区域同绕组312在第一平面上的垂直投影区域之间在副边侧和原边侧均存在非覆盖区域，将第二电路模块32和第一电路模块
33同时向磁芯柱3111方向移近，以使第二电路模块32与第一电路模块33分别垂直投影于副边侧的非覆盖区域和原边侧的非覆盖区域，进而使第二电路模块32和第一电路模块33同绕组312在第一平面上的垂直投影区域具有交叠部分，由此减少副边出线回路和原边出线回路所形成的漏感。
[0097]第2实施例:
[0098]在本实施例中，本实施例与第I实施例的差别在于，第一磁芯部件311a与第二磁芯部件311b在第一平面上的垂直投影区域不重叠，参照图4，图4绘示了本发明的第2实施例的电子装置的爆炸图。第一磁芯部件311a在第一平面上的垂直投影区域同绕组312在第一平面上的垂直投影区域之间在副边侧存在非覆盖区域，同时第二磁芯部件311b在第一平面上的垂直投影区域同绕组312在第一平面上的垂直投影区域之间在原边侧存在非覆盖区域。此时，将第二电路模块32与第一电路模块33均向磁芯柱3111方向移近，以使第二电路模块32与第一电路模块33分别垂直投影于副边侧的非覆盖区域和原边侧的非覆盖区域，进而使得第二电路模块32与第一电路模块33均与绕组312在第一平面上的垂直投影具有交叠部分，由图可知，将第二电路模块32位于第二磁芯部件311b侧，且移近第二磁芯部件311b，以使第二电路模块32同第二绕组312a在第一平面上的垂直投影具有交叠部分，将第一电路模块33位于第一磁芯部件311a的磁芯盖板3119侧，且移近第一磁芯部件311a，以使第一电路模块33同第一绕组312b在第一平面上的垂直投影具有交叠部分。但需说明的是，在其他实施例中，第二电路模块32可以是位于第一磁芯部件311a的磁芯盖板3119侧，或第一电路模块33可以位于第二磁芯部件311b侧，不以此为限。由此可减小副边出线回路或/和原边出线回路所形成的漏感。
[0099]第3实施例:
[0100]参照图5A、图5B，图5A绘示了本发明的第3实施例的电子装置的爆炸图，图5B绘示了图5A所示电子装置的磁芯组的示意图。
[0101]在本实施例中，第一磁芯部件311a在第一平面上的垂直投影区域完全覆盖绕组312在第一平面上的垂直投影区域，而第二磁芯部件311b在第一平面上的垂直投影区域同绕组312在第一平面上的垂直投影区域之间存在非覆盖区域，也可以是第二磁芯部件311b在第一平面上的垂直投影区域完全覆盖绕组312在第一平面上的垂直投影区域，而第一磁芯部件311a在第一平面上的垂直投影区域同绕组312在第一平面上的垂直投影区域之间存在非覆盖区域，但不以此为限。由图可知，第一磁芯部件311a在第一平面上的垂直投影区域完全覆盖绕组312在第一平面上的垂直投影区域。此时，第二磁芯部件311b与绕组312在第一平面上的垂直投影区域之间在副边侧存在非交叠区域(未绘示)，即绕组312在第一平面上的垂直投影区域未被第二磁芯部件311b在第一平面上的垂直投影区域覆盖的部分，比如，绕组312在第一平面上的垂直投影区域存在部分未被第二磁芯部件311b在第一平面上的垂直投影区域所覆盖，则将第二电路模块32移近第二磁芯部件311b，从而使得至少一部分第二电路模块32垂直投影在非覆盖区域，并使第二电路模块32与绕组312在第一平面上的垂直投影区域具有交叠部分，由此可减小副边出线回路所形成的漏感。需说明的是，在其他一些实施例中，也可以第二磁芯部件31 Ib与绕组312在第一平面上的垂直投影区域之间在原边侧存在非交叠区域，将第一电路模块33移近第二磁芯部件311b，从而使得至少一部分第一电路模块33垂直投影在非覆盖区域，并使第一电路模块33与绕组312在第一平面上的垂直投影区域具有交叠部分，由此可减小原边出线回路所形成的漏感。
[0102]第4实施例:
[0103]参照图6，图6绘示了本发明的第4实施例的磁芯组的结构示意图。
[0104]本实施例与第3实施例的差别在于，第一磁芯部件311a的磁芯盖板3119的厚度Ta小于第二磁芯部件311b的厚度Tb。采用此磁芯组结构，本实施例相较于第3实施例，在相同磁芯材料的条件下，此种磁芯结构比图5B所绘示的磁芯结构具有更低的磁芯损耗。在其他实施例中，也可以是第一磁芯部件311a的磁芯盖板3119的厚度大于第二磁芯部件31 Ib的厚度，由此减小磁芯的损耗。
[0105]第5实施例:
[0106]参照图7，图7绘示了本发明的第5实施例的磁芯组的结构示意图。
[0107]本实施例与第I实施例的差别在于，磁芯组311的边柱3114与边柱3115相对于磁芯柱3111不对称，由图可知，磁芯组311的边柱3114与边柱3115的长度不同，即，边柱3114的长度大于边柱3115的长度。由此方便原边出线孔或者副边出线孔的制备，便于第一电路模块或第二电路模块的布线，有利于减小变换器的体积，以及减少原边出线回路所形成的漏感或副边出线回路所形成的漏感。
[0108]第6实施例:
[0109]参照图8，图8绘示了本发明的第6实施例的磁芯组的结构示意图。
[0110]本实施例是在第3至第5实施例的基础上，将磁芯组311的副边侧开口 3112与原边侧开口 3113相对于磁芯柱3111不对称。具体地，可使两磁芯边柱3114、3115沿其弧线向原边侧开口 3113延伸，增大了边柱3114、3115的体积，从而降低磁芯损耗。
[0111]第7实施例:
[0112]参照图9A、图9B，图9A绘示了本发明的第7实施例的电子装置的结构示意图，图9B绘示了图9A所示电子装置的磁芯组的结构示意图。
[0113]在本实施例中，磁芯兀件311的第一磁芯部件311a与第二磁芯部件311b在第一平面上的垂直投影区域均完全覆盖绕组在第一平面上的垂直投影区域，磁芯组311的第二磁芯部件311b上定义出一凹槽3116，并将第二电路模块32容置在凹槽3116里，从而使第二电路模块32与绕组在第一平面的投影具有交叠部分，减少副边出线回路所形成的漏感。需要说明的是，在其他实施例中，也可以在第一磁芯部件311a上定义一个凹槽，将第二电路模块32的至少一部分容置在凹槽3116 ;也可以将第一电路模块33的至少一部分容置在凹槽里，减少原边出线回路所形成的漏感。
[0114]第8实施例:
[0115]参照图10，图10绘示了本发明的第8实施例的磁芯组的结构示意图。
[0116]本实施例与第I实施例的差别在于，第一磁芯部件311a与第二磁芯部件311b沿副边侧开口 3112或原边侧开口 3113为内陷弧形，以便将第二电路模块32或第一电路模块33对应向磁芯柱3111方向移动。由此可减低磁芯损耗，可减小副边或原边出线回路所形成的漏感。[0117]第9实施例:
[0118]参照图11，图11绘示了本发明的第9实施例的电子装置的结构示意图。
[0119]本实施例与第3实施例的差别在于，一个副边出线孔314a设置在第二绕组312a的外侧区域，而另一个副边出线孔314设置在第二绕组312a区域，方便副边出线孔的制备。
[0120]第10实施例:
[0121]参照图12A，图12A绘示了本发明的第10实施例的电子装置的结构示意图。
[0122]在本实施例中，将第二电路模块32中分成两电路模块32a、32b，电路模块32a中包含的是对漏感敏感的元件，电路模块32b中包含的是对漏感不敏感的元件。并将电路模块32a布局在副边出线孔314靠近磁芯组31方向的一侧，比如将开关管、电容器等布局在靠近磁芯组31的一侧,而将电路模块32b布局在远离磁芯组31的一侧。
[0123]再参照图12B，图12B绘示了图12A所示电子装置的副边出线的原理示意图。
[0124]如图12B所示，副边外层出线321与副边内层出线313平行，由于其内流过的电流大小相等，方向相反，产生的磁场相互抵消，从而可以大幅度减小副边出线漏感的影响。
[0125]尤其当磁芯组31为第3、4、5、6、7或8实施例的磁芯组时，其效果更为明显。实验证明:对于一特定的平面变压器，图12A中的结构，其总漏感为1.13uH，总漏感由窗口内漏感和副边出线漏感组成，其中视窗漏感(窗口内漏感)为0.72uH。而采用本实施例，则总漏感降低为0.77uH。即副边出线漏感由0.41uH降低为0.05uH，副边出线产生的漏感几乎被消除了。
[0126]需说明的是，上述各实施例主要改进第二电路模块32布局以使其与绕组312在第一平面上的投影区域具有交叠部分进行叙述，但是在其他一些实施例中，也可以类似地处理第一电路模块33以使其与绕组312在第一平面上的投影区域具有交叠部分。
[0127]第11实施例:
[0128]参照图13，图13绘示了本发明第11实施例的变压器的电路示意图。
[0129]如图13所示，其原边电路包含原边绕组Np及开关管Q，其副边电路包含副边绕组Ns、开关器件D (如开关二极体)及电容C。
[0130]第I至第10实施例较适用于图13所示的反激(flyback)变换器。因为漏感的减小能更有效地提升反激变压器的效率，降低关断时原边侧的开关管Q的电压尖峰，及防止原边侧开关管Q被击穿。但第I至第10实施例所示的电子装置并不以此转换器为限，熟悉此领域者可依据实际应用因应置换。
[0131]请参照图14A，图14A绘示了一种中心抽头式全波整流电路的示意图。
[0132]如图14A所示，中心抽头式全波整流电路1400中的第二电路模块32包含第一开关模块SW1、第二开关模块SW2、第一电容模块Cl以及第二电容模块C2。其中第一开关模块Sffl与第一电容模块Cl与第二绕组(如:副边绕组)312a的第一副边绕组部312c耦接，而第二开关模块SW2与第二电容模块C2与第二绕组312a的第二副边绕组部312d耦接。
[0133]以下段落将提出更多实施例，可用以应用上述的电子装置3所述的连接结构来实现第14图所示的中心抽头式全波整流电路1400，但本发明并不仅以下列的实施例为限。
[0134]第12实施例:
[0135]请一并参照图14A与图14B，图14B绘示了本发明的第12实施例的电子装置的爆炸图。[0136]图14B的中心抽头式全波整流电路1400的第一绕组(如:原边绕组)312b分为第一原边绕组部312e与第二原边绕组部312f。举例来说，第一原边绕组部312e与第二原边绕组部312f可为圆形导线所构成的平面绕组，而中心抽头式全波整流电路1400的第二绕组(如:副边绕组)312a可为两层PCB板的绕组结构，上层PCB板的绕组即为第一副边绕组部312c，且下层PCB板的绕组即为第二副边绕组部312d。
[0137]请一并参照图14C、图14D与图14E，图14C绘示了图14B中的第二绕组的上视图，图14D绘示了图14B中的第二副边绕组部的俯视图，且图14E绘示了图14B中的第二绕组的侧视图。
[0138]如第14C与图14D所不,第一开关模块SWl与第一电容模块Cl设置于第一副边绕组部的上表面，且第一副边绕组部312c与第一开关模块SW1、第一电容模块Cl相互耦接并构成第一交流回路1420，而第二开关模块SW2与第二电容模块C2设置于第二副边绕组部的下表面，第二副边绕组部312d与第二开关模块SW2、第二电容模块C2相互耦接并构成第二交流回路1422，前述的交流回路两者中皆含有大量的交流电流成分，故将其定义为交流回路，而其两个回路的设置结构如图14E所示，其中第一电容模块Cl与第二电容模块C2相互对应设置。
[0139]请一并参照图14B、图14C与图14D，第一原边绕组部312e及其交流回路(图中未示出)在第一平面上的垂直投影区域定义为第一投影面，第二原边绕组部312f及其交流回路(图中未示出)在第一平面上的垂直投影区域定义为第二投影面，前述的第一交流回路1420在第一平面上的垂直投影区域定义为第三投影面，而前述的第二交流回路1422在第一平面上的垂直投影区域定义为第四投影面。在图14B中，第三投影面与第一、第二、第三与第四投影面的交叠部分的面积比例的范围在I至1.2，第四投影面与第一、第二、第三与第四投影面的交叠部分的面积比例的范围在I至1.2。换句话说，本实施例中，围绕在同一磁芯柱上的任一交流回路在第一平面上的垂直投影区域的面积与耦接于磁芯组中的同一磁芯柱上的所有回路在第一平面上的垂直投影区域的交叠部分的面积的比值的范围在I至 1.2。
[0140]因此，以结构而言，本实施例通过将平面绕组磁性元件的任意位置切断，并使用了电路中与其有连接关系的电路模块来相连接，进一步地缩短了电路回路的长度与整体元件的体积，更减少了绕组与绕组之间的耦合，以降低各绕组之间的漏感与回路上的等效电阻与寄生电感。此外，在本实施例中的第二电路模块32是由第一开关模块SW1、第一电容模块Cl组成或是由第二开关模块SW2与第二电容模块C2组成，但并不以此为限，第二电路模块32可为各种整流电路模块，熟悉此领域者可弹性置换。
[0141]再者，在本实施例的元件结构亦适用于仅使用一个电容的全波整流电路。举例来说，前述的第一电容模块Cl可设置在第一副边绕组部312c的上表面，并耦接于第一开关模块SWl，而前述的第二开关模块SW2可设置在第二副边绕组部312d的下表面，且第二开关模块SW2可通过在副边饶组312b上设置过孔的连接结构，以耦接第一电容模块Cl。
[0142]另外，在本实施例中的第一开关模块SWl或第二开关模块SW2可为芯片，且此芯片设置于PCB板内部。而第一电容模块Cl或第二电容模块C2可直接使用电容元件来操作或可通过在PCB的基材掺杂介电材料而形成，来进一步地降低元件体积。此外，本实施例的绕组结构并不仅以“原边-副边-副边-原边”的排列方式所限，熟悉此领域者亦可相对应的变动，如设置为“副边-原边-原边-副边”。
[0143]第13实施例:
[0144]请参照图15A，图15A绘示了本发明的第13实施例的电子装置的结构示意图。如图15A所示，在本实施例中，磁芯组311与第二电路模块32在第一平面上的垂直投影区域具有交叠部分。
[0145]请参照图15B，图15B绘示了图15A中的磁芯组的结构示意图。在前述的第二电路模块32的宽度较大而不足以放置于磁芯组311中时，如图15B所示，磁芯组311的副边侧开口 3112与原边侧开口 3113可相对于磁芯柱3111不对称，且将第二电路模块32设置于原边侧开口 3113或副边侧开口 3112两者中的宽度较大者，以图15B为例，第二电路模块32可放置于副边侧开口 3112中。透过此种设置方式，前述的交流回路在第一平面上的垂直投影区域的面积与耦接于磁芯组中的同一磁芯柱上的所有回路在第一平面上的垂直投影区域的交叠部分的面积的比值的范围可小于1.2。
[0146]第14实施例:
[0147]请参照图16A，图16A绘示了本发明的第14实施例的电子装置的结构示意图。如图16A所示，在本实施例中，第二磁芯部件311b在第一平面的垂直投影区域落入第一磁芯部件311a的磁芯盖板3119在该第一平面的垂直投影区域。本实施例的结构适用于在前述的第二电路模块32的高度超过磁芯组311能够设置的高度的情况，透过切断部分的第二磁芯部件311b，以放置第二电路模块32。或者，请参照图16B与图16C所示，本实施例亦可采用上下盖板均切掉一部分盖板的方式来放置第二电路模块32。
[0148]第15实施例:
[0149]请参照图16D，图16D绘示了本发明的第15实施例的电子装置的结构示意图。第15实施例与第14实施例的差异在于第二磁芯部件311b的厚度Tb大于第一磁芯部件311a的磁芯盖板3119的厚度Ta。由于在第14实施例切掉部分第二磁芯部件311b会增加磁芯损耗，故在第15实施例增加了第二磁芯部件311b的厚度Tb来降低磁芯损耗。
[0150]第16实施例:
[0151]请参照图10，图10绘示了本发明的第16实施例的电子装置的结构示意图。在第二电路模块32的高度与宽度皆超出磁芯组311能够设置的空间时，如图10所示，第一磁芯部件311a与第二磁芯部件311b沿副边侧开口 3112或原边侧开口 3113为内陷弧形，以便将第二电路模块32的至少一部分设置于内陷弧形的区域。
[0152]第17实施例:
[0153]请参照图17，图17绘示了本发明的第17实施例的电子装置的结构示意图。在第二电路模块32的高度与宽度皆超出磁芯组311能够设置的空间时，可以透过在磁芯组311设置容纳部以容纳第二电路模块32。如图17所示，容纳部为一凹槽，此凹槽可设置于第一磁芯部件311a或第二磁芯部件311b上，且将第二电路模块32的至少一部分容置在凹槽内。或者，亦可使用第9图的结构来调整磁芯组来容置电路模块。
[0154]第18实施例:
[0155]请参照图18，图18绘示了本发明的第18实施例的电子装置的结构示意图。与第17实施例类似，在第二电路模块32的高度与宽度皆超出磁芯组311能够设置的空间时，可以透过在磁芯组311设置容纳部以容纳第二电路模块32的至少一部分。如图18所示，可以将磁芯组311的磁芯柱3111切掉一部分来容纳第二电路模块32,亦即容纳部设置于磁芯柱3111靠近第二电路模块32的一侧。
[0156]第19实施例:
[0157]请参照图19，图19绘示了本发明的第19实施例的电子装置的结构示意图。在第二电路模块32的宽度超出磁芯组311能够设置的空间时，如图18所示，可将磁芯组311的磁芯边柱3114或3115切掉一部分来容纳第二电路模块32的至少一部分，亦即容纳部设置于磁芯边柱3114或磁芯边柱3115靠近于第二电路模块32的一侧。透过此种设置方式,可使本实施例中围绕在同一磁芯柱上的任一交流回路在第一平面上的垂直投影区域的面积与耦接于磁芯组中的同一磁芯柱上的所有回路在第一平面上的垂直投影区域的交叠部分的面积的比值的范围接近于I。或者，亦可使用图7的结构来调整磁芯边柱来容置电路模块。
[0158]第20实施例:
[0159]请参照图20A与图20B，图20A绘示了本发明的第20实施例的电子装置的结构示意图，图20B绘示了图20A的磁芯组的结构示意图。相较于先前多个实施例以EQ型磁芯为例，在本实施例中以U型磁芯为例不。在本实施例的磁芯组311包含第一磁芯盖板2020、第二磁芯盖板2022与多个磁芯柱2040，在此实施例以2个磁芯柱为例。多个磁芯柱2040与第一磁芯盖板2020以及第二磁芯盖板2022连接而形成封闭磁性通路。为了更清楚的说明，请参照图20B，本实施例中的围绕在同一磁芯柱上的任一交流回路在第一平面上的垂直投影区域的面积与耦接于磁芯组中的同一磁芯柱上的所有回路在第一平面上的垂直投影区域的交叠部分的面积的比值的范围可在I至1.2，且第二磁芯盖板2022可覆盖第二电路模块32，亦即第二电路模块32与磁芯的投影有交叠部分。
[0160]第21实施例:
[0161]请参照图21，图21绘示了本发明的第21实施例的电子装置的结构示意图。如图21所示，当有多个电路模块需与磁芯组相连接时，可调整磁芯组311的边柱个数来放置电路模块，例如磁芯组311需与电路模块2100、2102、2104、2106连接，则可围绕磁芯柱3111设置多个边柱2110、2112、2114、2116，且多个边柱与磁芯组的第一磁芯盖板与第二磁芯盖板连接后形成了多个侧开口以连接至PCB板。当电路模块设置的越多，对应的绕组长度亦越短，其磁芯损耗亦更少。另外，若考虑到电路模块的散热及排列考量，多个磁芯边柱的设置方式亦可相对应地调整。
[0162]值得注意的是，第14至第21实施例大多以图14A中的中心抽头式全波整流电路1400为例，应用第14至第21实施例的连接结构的磁芯组可达到:围绕在同一磁芯柱上的任一交流回路在第一平面上的垂直投影区域的面积与耦接于磁芯组中的同一磁芯柱上的所有回路在第一平面上的垂直投影区域的交叠部分的面积的比值的范围可在I至1.2，且以上各实施例亦可适用于不同电路，且于第一绕组(如:原边绕组)312b耦接的第一电路模块33亦可适用于上述各种连接结构。另外，上述实施例以EQ型磁芯与U型磁芯为例，然而本发明亦可适用于EE型磁芯、EI型磁芯、EFD型磁芯、RM型磁芯或罐型磁芯，且与电路模块亦不以前述的开关模块或电容模块为限，熟悉此项技艺者可对应调整各种磁芯的结构形式与对应的电路模块结构。
[0163]由上可知，本发明所提出的电子装置，通过改变第一电路模块、第二电路模块与磁性元件的出线结构以及改变磁芯组的结构，以减小副边出线回路、原边出线回路所产生的磁场所储存的能量，从而降低副边出线回路、原边出线回路漏感的产生。再者，前述可将磁芯组的结构任意位置切断，并使用了电路中与其有连接关系的电路模块来相连接，进一步地减少元件的体积与各绕组之间的漏感。
[0164]虽然本发明已以实施方式揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何熟悉此技艺者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视后附的申请专利范围所界定者为准。
【权利要求】
1.一种电子装置，其特征在于，包含: 一磁性元件，包含一磁芯组及一绕组，该绕组包含一第一绕组与一第二绕组，且该绕组组装于该磁芯组上； 一第一电路模块，耦接于该磁性元件的该第一绕组；以及 一第二电路模块，耦接于该磁性元件的该第二绕组； 其中，该第一电路模块或/与该第二电路模块同该磁性元件的该绕组在一第一平面上的垂直投影区域具有交叠部分，该第一平面为该绕组所在水平方向上的平面。
2.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该磁性元件为一变压器模块，且该第一绕组为一原边绕组，该第二绕组为一副边绕组。
3.根据权利要求2所述的电子装置，其特征在于，该变压器模块为一平面变压器。
4.根据权利要求2所述的电子装置，其特征在于，该磁芯组包含一第一磁芯部件及与其相对应的一第二磁芯部件，该第一磁芯部件具有一磁芯柱、一磁芯盖板、一第一边柱、一第二边柱、一原边侧开口及一副边侧开口，该原边侧开口及该副边侧开口位于该第一边柱、该第二边柱的两端，该绕组组装在该第一磁芯部件与该第二磁芯部件之间，并套设在该磁芯柱上。
5.根据权利要求4所述的电子装置，其特征在于，该第一磁芯部件或该第二磁芯部件在该第一平面上的垂直投影区域同该绕组在该第一平面上的垂直投影区域之间存在至少一非覆盖区域，使得至少一部分的该第一电路模块或/与该第二电路模块垂直投影在该非覆盖区域内，并与该绕组在该第一平面上的垂直投影区域具有交叠部分。
6.根据权利要求5所述的`电子装置，其特征在于，当该第一磁芯部件与该绕组在该第一平面上的垂直投影区域存在至少一非覆盖区域时，该第一磁芯部件的该磁芯盖板厚度大于该第二磁芯部件的厚度。
7.根据权利要求5所述的电子装置，其特征在于，当该第二磁芯部件与该绕组在该第一平面上的垂直投影区域存在至少一非覆盖区域时，该第一磁芯部件的该磁芯盖板厚度小于该第二磁芯部件的厚度。
8.根据权利要求4所述的电子装置，其特征在于，该原边侧开口与该副边侧开口相对于该磁芯柱不对称。
9.根据权利要求4所述的电子装置，其特征在于，该第一磁芯部件和该第二磁芯部件在该第一平面上的垂直投影区域均同该绕组在该第一平面的垂直投影区域之间存在至少一非覆盖区域，使得至少一部分的该第一电路模块或/与该第二电路模块垂直投影在该非覆盖区域内，并与该绕组在该第一平面上的垂直投影具有交叠部分。
10.根据权利要求9所述的电子装置，其特征在于，该第一磁芯部件与该第二磁芯部件在该第一平面上的垂直投影区域不重叠。
11.根据权利要求9所述的电子装置，其特征在于，该第一磁芯部件与该第二磁芯部件在该第一平面上的垂直投影区域相重叠。
12.根据权利要求11所述的电子装置，其特征在于，该第一边柱和该第二边柱相对于该磁芯柱不对称。
13.根据权利要求12所述的电子装置，其特征在于，该原边侧开口和该副边侧开口之间的第一边柱长度大于第二边柱长度。
14.根据权利要求11所述的电子装置，其特征在于，该第一磁芯部件与该第二磁芯部件沿该原边侧开口或该副边侧开口为内陷弧形。
15.根据权利要求4所述的电子装置，其特征在于，该第一磁芯部件和该第二磁芯部件在该第一平面上的垂直投影区域均覆盖该绕组在该第一平面上的垂直投影区域，其中，该第一磁芯部件或第二磁芯部件具有一凹槽，该凹槽与该绕组在该第一平面上的垂直投影区域具有交叠部分，该第一电路模块电路模块的至少一部分或该第二电路模块的至少一部分容置在该凹槽里。
16.根据权利要求4所述的电子装置，其特征在于: 该原边绕组的两端各通过一原边出线与该第一电路模块耦接，该原边出线包含一原边内层出线、一原边出线孔及一原边外层出线，其中，该原边内层出线通过该原边出线孔与该原边外层出线电性连接； 该副边绕组的两端各通过一副边出线与该第二电路模块耦接，该副边出线包含一副边内层出线、一副边出线孔及一副边外层出线，其中，该副边内层出线通过该副边出线孔与该副边外层出线电性连接。
17.根据权利要求16所述的电子装置，其特征在于: 该原边出线孔设置在该原边绕组与该磁芯柱之间的区域、该原边绕组的区域或该原边绕组的外侧区域； 该副边出线孔设置在该副边绕组与该磁芯柱之间的区域、该副边绕组的区域或该副边绕组的外侧区域。
18.根据权利要求17所述的电子装置，其特征在于: 当该原边出线孔设置在该原边绕组的外侧区域，该第一电路模块中的对漏感敏感的元器件布局在该原边出线孔靠近该磁芯柱方向的一侧； 当该副边出线孔设置在该副边绕组的外侧区域，该第二电路模块中的对漏感敏感的元器件布局在该副边出线孔靠近该磁芯柱方向的一侧。
19.根据权利要求2所述的电子装置，其特征在于，该绕组为一PCB绕组或圆形导线构成的一平面绕组。
20.根据权利要求2所述的电子装置，其特征在于，该电子装置为一反激变换器。
21.根据权利要求2所述的电子装置，其特征在于该第二电路模块为一整流电路模块。
22.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于: 该第一电路模块与第二电路模块中至少一者与相应的绕组构成交流回路，其中该交流回路在该第一平面上的垂直投影区域的面积与耦接于该磁芯组中的同一磁芯柱上的所有回路在该第一平面上的垂直投影区域的交叠部分的面积的比值的范围在I至1.2。
23.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该第一绕组为一原边绕组，该第一电路模块与该原边绕组构成一交流回路，其中该交流回路在该第一平面上的垂直投影区域的面积与耦接于该磁芯组中的同一磁芯柱上的所有回路在该第一平面上的垂直投影区域的交叠部分的面积的比值的范围在I至1.2。
24.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该第二绕组为一副边绕组，该第二电路模块与该副边绕组构成一交流回路，其中该交流回路在该第一平面上的垂直投影区域的面积与耦接于该磁芯组中的同一磁芯柱上的所有回路在该第一平面上的垂直投影区域的交叠部分的面积的比值的范围在I至1.2。
25.根据权利要求24所述的电子装置，其特征在于，该第二电路模块为一整流电路模块。
26.根据权利要求25所述的电子装置，其特征在于，该副边绕组包含一第一副边绕组部与一第二副边绕组部，且该整流电路模块包含: 一第一开关模块； 一第一电容模块，与该第一开关模块稱接于该第一副边绕组部，且该第一开关模块与该第一电容模块设置于该第一副边绕组部的上表面； 一第二开关模块；以及 一第二电容模块，与该第二开关模块耦接于该第二副边绕组部，且该第二开关模块与该第二电容模块设置于该第二副边绕组部的下表面。
27.根据权利要求25所述的电子装置，其特征在于，该副边绕组包含一第一副边绕组部与一第二副边绕组部，且该整流电路模块包含: 一第一开关模块，耦接于该第一副边绕组部； 一电容模块，耦接该第一开关模块，并与该第一开关模块设置于该第一副边绕组部的上表面；以及 一第二开关模块，设置于该第二副边绕组部的下表面，且该第二开关模块通过一过孔耦接该电容模块。.
28.根据权利要求26或27所述的电子装置，其特征在于，该第一开关模块、该第一电容模块、该第二开关模块或该第二电容模块设置于一 PCB板内部。
29.根据权利要求26或27所述的电子装置，其特征在于，该第一开关模块或该第二开关模块为一芯片，且该芯片设置于一 PCB板内部。
30.根据权利要求26或27所述的电子装置，其特征在于，该电容模块是通过在一PCB的基材掺杂一介电材料而形成。
31.根据权利要求22所述的电子装置，其特征在于，该磁芯组与该第一电路模块或该第二电路模块在该第一平面上的垂直投影区域具有交叠部分。
32.根据权利要求31所述的电子装置，其特征在于，该磁芯组包含一第一磁芯部件及与其相对应的一第二磁芯部件，该第一磁芯部件具有一磁芯柱、一磁芯盖板、一第一边柱、一第二边柱、一原边侧开口及一副边侧开口，该原边侧开口及该副边侧开口位于该第一边柱、该第二边柱的两端，该绕组组装在该第一磁芯部件与该第二磁芯部件之间，并套设在该磁芯柱上。
33.根据权利要求32所述的电子装置，其特征在于，该原边侧开口与该副边侧开口相对于该磁芯柱不对称，且该第一或该第二电路模块设置于该原边侧开口与该副边侧开口两者中的宽度较大者。
34.根据权利要求32所述的电子装置，其特征在于，该第二磁芯部件在该第一平面的垂直投影区域落入该第一磁芯部件的该磁芯盖板在该第一平面的垂直投影区域。
35.根据权利要求34所述的电子装置，其特征在于，该第二磁芯部件的厚度大于该第一磁芯部件的该磁芯盖板的厚度。
36.根据权利要求32所述的电子装置，其特征在于，该第一磁芯部件与该第二磁芯部件沿该原边侧开口或该副边侧开口为内陷弧形，且该第一电路模块的至少一部分或该第二电路模块的至少一部分设置于该内陷弧形的区域。
37.根据权利要求32所述的电子装置，其特征在于，该磁芯组还包含一容纳部，用以容纳该第一电路模块或该第二电路模块。
38.根据权利要求37所述的电子装置，其特征在于，该容纳部为一凹槽，该凹槽设置于该第一磁芯部件或该第二磁芯部件，且该第一电路模块的至少一部分或该第二电路模块的至少一部分容置在该凹槽内。
39.根据权利要求37所述的电子装置，其特征在于，该容纳部设置于该磁芯柱靠近于该第一电路模块或该第二电路模块的一侧。
40.根据权利要求37所述的电子装置，其特征在于，该容纳部设置于该第一边柱或该第二边柱靠近于该第一电路模块的一侧或该第二电路模块的一侧。
41.根据权利要求31所述的电子装置，其特征在于，该磁芯组还包含一第一磁芯盖板、一第二磁芯盖板与多个磁芯柱，且所述多个磁芯柱与该第一磁芯盖板与第二磁芯盖板连接而形成一封闭磁性通路。
42.根据权利要求31所述的电子装置，其特征在于，该磁芯组还包含: 一第一磁芯盖板； 一第二磁芯盖板；以及 多个边柱，围绕该磁芯组中的一磁芯柱设置，其中所述多个边柱与该第一磁芯盖板与第二磁芯盖板连接而形成多个侧开口。
43.根据权利要求22所述的电子装置，其特征在于，该磁芯组包含一EQ型磁芯、一 U型磁芯、一 EE型磁芯、一 EI型磁芯、一 EFD型磁芯、一 RM型磁芯或一罐型磁芯。
【文档编号】H02M1/00GK103427597SQ201310178627
【公开日】2013年12月4日 申请日期:2013年5月15日 优先权日:2012年5月15日
【发明者】刘腾, 代明辉, 代克 申请人:台达电子工业股份有限公司