技术总结
本实用新型公开了一种新型H桥高压变频器功率单元，包括基体（1）、上盖（2）和前面板（3）、检测控制系统（11）、进线端子（12）、出线端子（13）、散热器（14）、快熔（21）、整流二极管（22）、IGBT功率模块（23）、均压电阻（24）、电容组（25）、旁路可控硅（26）和吸收电容（28）；所述基体、上盖和前面板形成一密闭的壳体，所述检测控制系统、散热器（14）、快熔（21）、整流二极管（22）、IGBT功率模块（23）、均压电阻（24）、电容组（25）、旁路可控硅（26）和吸收电容（28）均设置于壳体内。本实用新型通过将元器件合理布置，减少了接点数量，优化了走线路径。
技术研发人员：袁小峰;黄林波;傅永伟;姜廷阳;干永革
受保护的技术使用者：中冶赛迪电气技术有限公司
文档号码：201620648311
技术研发日：2016.06.27
技术公布日：2016.12.28