技术总结
本实用新型公开一种超快速MOSFET电子开关驱动电路，包括：方波发生器、推挽电路、高压MOS管、加速网络单元、耦合变压器和至少2个驱动支路，此驱动支路由依次串联的驱动小信号单元、功率管单元和主电路取能单元组成；所述耦合变压器初级侧和次级侧分别具有一个初级线圈和至少4个次级线圈，此至少4个次级线圈进一步分为至少2个VTp次级线圈和至少2个VTn次级线圈，所述加速网络单元与耦合变压器的初级线圈串连连接，耦合变压器的VTp次级线圈和VTn次级线圈均连接到对应驱动支路的驱动小信号单元上。本实用新型无需额外供电电源，既大大减少了电子开关驱动电路体积，又加速了电子开关上升前沿，电子开关驱动电路所需功率大幅减小，尤其适合阵列MOSFET电子开关。
技术研发人员：陈鹏;黄学军;于辉
受保护的技术使用者：苏州泰思特电子科技有限公司
文档号码：201620987515
技术研发日：2016.08.30
技术公布日：2017.03.15