1.一种逆变器，包括控制电路、第一推挽电路和逆变电路，其特征在于：
所述控制电路设置在第一电路板；
所述第一推挽电路和所述逆变电路设置在第二电路板，且所述第一推挽电路和所述逆变电路通过所述第二电路板上的导线连接；
所述第一电路板和所述第二电路板通过电缆连接。
2.根据权利要求1所述的逆变器，其特征在于，所述逆变电路包括输入端口、输出端口、吸收电容及功率管并联阵列；
所述功率管并联阵列分别与所述吸收电容及所述输出端口连接，所述吸收电容与所述输入端口连接；
所述功率管并联阵列包括多个功率管组，且每个所述功率管组包括多个并联的功率管。
3.根据权利要求2所述的逆变器，其特征在于，所述功率管并联阵列为金属-氧化物半导体场效应晶体管并联阵列；
所述金属-氧化物半导体场效应晶体管并联阵列包括多组金属-氧化物半导体场效应晶体管，且每组金属-氧化物半导体场效应晶体管包括多个并联的金属-氧化物半导体场效应晶体管。
4.根据权利要求3所述的逆变器，其特征在于，所述金属-氧化物半导体场效应晶体管并联阵列包括多个稳压二极管和多个下拉电阻；
所述稳压二极管的数目、所述下拉电阻的数目与所述金属-氧化物半导体场效应晶体管的数目相等，且一一对应；
所述稳压二极管的阳极与所述金属-氧化物半导体场效应晶体管的源极连接，所述稳压二极管的阴极与所述金属-氧化物半导体场效应晶体管的漏极连接；
所述下拉电阻的一端与所述金属-氧化物半导体场效应晶体管的栅极连接，所述下拉电阻的另一端接地。
5.根据权利要求1所述的逆变器，其特征在于，所述控制电路包括脉冲宽度调制电路、驱动电路和第二推挽电路；
所述驱动电路与所述脉冲宽度调制电路和所述第二推挽电路连接。
6.根据权利要求1所述的逆变器，其特征在于，所述第二电路板为铝基板。
7.根据权利要求1所述的逆变器，其特征在于，所述第一推挽电路包括两个三极管；
所述两个三极管中一个为NPN型三极管，另一个为PNP型三极管；
所述NPN型三极管的发射极与所述PNP型三极管的发射极连接；
所述NPN型三极管的集电极与外接电源连接，所述PNP型三极管的集电极接地。
8.根据权利要求7所述的逆变器，其特征在于，所述第一推挽电路的两个三极管的基极连接，且与所述控制电路连接。
9.根据权利要求1所述的逆变器，其特征在于，所述第一推挽电路包括两个金属-氧化物半导体管。
10.根据权利要求3所述的逆变器，其特征在于，所述金属-氧化物半导体场效应晶体管包括贴片式金属-氧化物半导体场效应晶体管、插孔式金属-氧化物场效应晶体管或者模块式金属-氧化物半导体场效应晶体管。