一种基于过压保护的低干扰臭氧发生器用驱动电路的制作方法

本实用新型涉及空气净化领域，具体是指一种基于过压保护的低干扰臭氧发生器用驱动电路。

背景技术：

臭氧由于具有强氧化性、环保性、便捷性等优点，在空气净化领域得到了广泛的应用。臭氧发生器是用于制取臭氧气体的装置，其已被广泛的应用到人们的生活当中。然而目前的臭氧发生器的臭氧输出的浓度不稳定，其原因是由于臭氧发生器所采用的驱动电路的驱动频率不稳定所致。因此提供一种可以稳定驱动臭氧发生器的驱动电路则是目前的当务之急。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于解决目前臭氧发生器所采用的驱动电路的驱动频率不稳定导致臭氧发生器所输出的臭氧浓度不稳定的缺陷，提供一种基于过压保护的低干扰臭氧发生器用驱动电路。

本实用新型的目的通过下述技术方案现实：一种基于过压保护的低干扰臭氧发生器用驱动电路，主要由单向晶闸管VS，振荡芯片U，场效应管MOS，三极管VT1，三极管VT2，变压器T，臭氧管G，放大器P，正极经二极管D1后与单向晶闸管VS的控制端相连接、负极与单向晶闸管VS的N极相连接的电容C1，正极与单向晶闸管VS的控制端相连接、负极与电容C1的负极相连接的电容C2，N极经熔断器FU后与电容C1的负极共同形成电源输入端、P极顺次经电阻R1和电阻R2后与电容C1的负极相连接的稳压二极管D2，正极与振荡芯片U的RE管脚相连接、负极与振荡芯片U的GND管脚相连接的电容C3，正极与电容C3的负极相连接、负极与电容C3的负极相连接的电容C4，正极顺次经电阻R4和电阻R3后与电容C3的正极相连接、负极与电容C4的负极相连接的电容C5，正极与控制芯片U的CONT管脚相连接、负极与电容C5的负极相连接的电容C6，正极与振荡芯片U的OUT管脚相连接、负极经电阻R7后与放大器P的负极相连接的电容C7，正极与电容C7的负极相连接、负极与放大器P的负极相连接的电容C9，正极与放大器P的负极相连接、负极经电阻R6后与电容C9的负极相连接的电容C8，N极经电阻R7后与放大器P的输出端相连接、P极与三极管VT2的基极相连接的二极管D3，一端与振荡芯片U的VCC管脚相连接、另一端经电阻R9后与电容C6的负极相连接的电阻R8，串接在振荡芯片U的VCC管脚和场效应管MOS的漏极之间的电阻R10，P极与场效应管MOS的漏极相连接、N极与三极管VT2的基极相连接的二极管D4，串接三极管VT1的基极和电容C6的负极之间的电阻R11，以及串接在三极管VT1的发射极和电容C6的负极之间的电阻R12组成；所述臭氧管G串接在变压器T的副边电感线圈的同名端和非同名端之间；所述三极管VT2的集电极与变压器T的原边电感线圈的非同名端相连接，其发射极与电容C6的负极相连接，其基极与三极管VT1的发射极相连接；所述三极管VT1的基极与场效应管MOS的源极相连接，基集电极与振荡芯片U的VCC管脚相连接；所述放大器P的输出端分别与场效应管MOS的栅极和电容C8的负极相连接，其正极与其输出端相连接；所述振荡芯片U的RE管脚与其VCC管脚相连接，其DIS管脚与电阻R1和电阻R4的连接点相连接，其TRI管脚和THRE管脚均与电容C5的正极相连接，GND管脚接地，VCC管脚与变压器T的原边电感线圈的同名端相连接；所述单向晶闸管VS的P极与振荡芯片U的RE管脚相连接、其N极与振荡芯片U的GND管脚相连接。

所述振荡芯片U为NE555集成芯片。

本实用新型与现有技术相比具有以下优点及有益效果：

(1)本实用新型可以对驱动频率进行调整，使驱动频率更加稳定，从而可以稳定的驱动臭氧管，使臭氧管可以稳定的输出的臭氧，提高空气净化效果。

(2)本实用新型可以对噪声干扰信号进行过滤，排除干扰噪声的影响，使振荡信号更加稳定，从而提高本实用新型的稳定性。

(3)本实用新型具有过压保护功能，当输入电压出现过压时，可以自动断开电源，从而保护本实用新型不被过电压损坏。

附图说明

图1为本实用新型的整体结构示意图。

具体实施方式

下面结合实施例对本实用新型作进一步地详细说明，但本实用新型的实施方式并不限于此。

实施例

如图1所示，本实用新型主要由单向晶闸管VS，振荡芯片U，场效应管MOS，三极管VT1，三极管VT2，放大器P，变压器T，臭氧管G，电容C1，电容C2，电容C3，电容C4，电容C5，电容C6，电容C7，电容C8，电容C9，二极管D1，稳压二极管D2，二极管D3，二极管D4，电阻R1，电阻R2，电阻R3，电阻R4，电阻R5，电阻R6，电阻R7，电阻R8，电阻R9，电阻R10，电阻R11以及电阻R12组成。

连接时，电容C1的正极经二极管D1后与单向晶闸管VS的控制端相连接，负极与单向晶闸管VS的N极相连接。电容C2的正极与单向晶闸管VS的控制端相连接，负极与电容C1的负极相连接。稳压二极管D2的N极经熔断器FU后与电容C1的负极共同形成电源输入端并接9V电压，P极顺次经电阻R1和电阻R2后与电容C1的负极相连接。电容C3的正极与振荡芯片U的RE管脚相连接，负极与振荡芯片U的GND管脚相连接。电容C4的正极与电容C3的负极相连接，负极与电容C3的负极相连接。电容C5的正极顺次经电阻R4和电阻R3后与电容C3的正极相连接，负极与电容C4的负极相连接。电容C6的正极与控制芯片U的CONT管脚相连接，负极与电容C5的负极相连接。电容C7的正极与振荡芯片U的OUT管脚相连接，负极经电阻R5后与放大器P的负极相连接。电容C9的正极与电容C7的负极相连接，负极与放大器P的负极相连接。电容C8的正极与放大器P的负极相连接，负极经电阻R6后与电容C9的负极相连接。二极管D3的N极经电阻R7后与放大器P的输出端相连接，P极与三极管VT2的基极相连接。电阻R8的一端与振荡芯片U的VCC管脚相连接，另一端经电阻R9后与电容C6的负极相连接。电阻R10的串接在振荡芯片U的VCC管脚和场效应管MOS的漏极之间。二极管D4的P极与场效应管MOS的漏极相连接，N极与三极管VT2的基极相连接。电阻R11串接三极管VT1的基极和电容C6的负极之间。电阻R12串接在三极管VT1的发射极和电容C6的负极之间。

所述臭氧管G串接在变压器T的副边电感线圈的同名端和非同名端之间。所述三极管VT2的集电极与变压器T的原边电感线圈的非同名端相连接，其发射极与电容C6的负极相连接，其基极与三极管VT1的发射极相连接。所述三极管VT1的基极与场效应管MOS的源极相连接，基集电极与振荡芯片U的VCC管脚相连接。所述放大器P的输出端分别与场效应管MOS的栅极和电容C8的负极相连接，其正极与其输出端相连接。所述振荡芯片U的RE管脚与其VCC管脚相连接，其DIS管脚与电阻R1和电阻R4的连接点相连接，其TRI管脚和THRE管脚均与电容C5的正极相连接，GND管脚接地，VCC管脚与变压器T的原边电感线圈的同名端相连接。所述单向晶闸管VS的P极与振荡芯片U的RE管脚相连接、其N极与振荡芯片U的GND管脚相连接。

该二极管D1，稳压二极管D2，熔断器FU，电容C1，电容C2，电阻R1，电阻R2以及单向晶闸管VS共同形成过压保护电路；当输入电压出现过电压时，稳压二极管D2呈低阻值状态，电压加入到单向晶闸管的控制端使其导通形成短路，短路电流瞬间将熔断器FU熔断，从而保护电子元件不被损坏。该二极管D1的型号为1N4001，稳压二极管D2的型号为CW136，单向晶闸管VS的型号为3CT1，电容C1和电容C2的容值均为0.01μF，电阻R1的阻值为100KΩ，电阻R2的阻值为220KΩ。

该放大器P，电阻R5，电容C9，电容C8以及电阻R6共同组成一个滤波电路；振荡信号经电阻R5后由电容C8和电阻R6所形成的RC滤波器进行过滤，从而消除干扰噪声，使振荡信号更稳定；经滤波后的振荡信号输入到放大器P进行放大后输出。该放大器P的型号为OP37，电容C8和电容C9的容值均为1μF，电阻R5的阻值为2.2KΩ，电阻R6的阻值为10KΩ。

该振荡芯片U为NE555集成芯片，场效应管MOS的型号为2SK15，三极管VT1的型号为2SD3061，三极管VT2的型号为2SC600，电容C3的容值为100μF，电容C4的容值为0.01μF，电阻R1的阻值为4.2KΩ，电阻R4的阻值为16KΩ，电容C5和电容C6的容值均为1μF，电容C7～C9的容值均为0.1μF，电阻R7的阻值为22KΩ，电阻R8和电阻R9的阻值均为15KΩ，电阻R10的阻值为10KΩ，电阻R11和电阻R12的阻值均为12KΩ；变压器T为升压变压器，其次极输出电压为1.5KV；臭氧管G则采用H63815型臭氧管。

电源输入进来后由电容C3和电容C4进行滤波后提供给后级电路。该振荡芯片U，电阻R1，电阻R4以及电容C5共同组成一个多谐振荡器；当电源输入进来后该振荡芯片U的OUT管脚输出振荡频率为18KHz的振荡信号，该振荡信号经电容C7后输入到滤波电路，由滤波电路对干扰噪声信号进行过滤后输出。该场效应管MOS，三极管VT1，电阻R7，二极管D3，二极管D4，电阻R10以及电阻R11共同组成频率校正电路；滤波电路输出的振荡信号加到场效应管MOS的栅极，使场效应管MOS导通，而三极管VT1也导通，振荡信号从三极管VT1的发射极输出经二极管D3和电阻R7后返回场效应管MOS的栅极，如此则形成一个反馈回路，从而可以不断的对振荡信号的频率进行调整，使振荡信号更加稳定，从而可以稳定的驱动臭氧管。同时，从三极管VT1的发射极输出的振荡信号还加到三极管VT2的基极，使三极管VT2导通，此时变压器T开始工作，其次级输出1.5KV的高压，从而驱动臭氧管G，使臭氧管G产生臭氧。

如上所述，便可很好的实现本实用新型。