1.一种采用P-MOS作为高端驱动输出的短路保护电路，其特征在于：包括P-MOSFET驱动管Q10，直流电源Vin通过电阻R53连接驱动管Q10的s极为高端驱动输出提供直流电源，Q10的d极为负载输出端，s极与g极之间连接有电阻R62，电阻R53两端分别连接了三极管Q11的b、e极，三极管Q11的c极连接Q10的g极；
所述Q10的负载输出端还通过依次串联的电阻R32、电容C20接地，R32与C20之间的连接点连接到单片机，单片机通过开关三极管Q8连接Q10的g极。
2.根据权利要求1所述的采用P-MOS作为高端驱动输出的短路保护电路，其特征在于：所述电阻R53两端的三极管Q11的b、e极分别连接Q10的s极和直流电源Vin。
3.根据权利要求2所述的采用P-MOS作为高端驱动输出的短路保护电路，其特征在于：所述三极管Q8基极连接单片机，发射极接地，集电极通过电阻R49连接Q10的g极。
4.根据权利要求3所述的采用P-MOS作为高端驱动输出的短路保护电路，其特征在于：所述驱动管Q10的s极与g极间还连接有稳压管。