本实用新型涉及一种大功率高压高频电源，属于高压电源技术领域。
背景技术：
大功率高压高频电源在现代工业中应用广泛，负载端对高压高频电源输出的频率及电压幅值要求较高，这些参数直接决定着系统效率的高低。随着我国工业化的飞速发展，对大功率高压高频电源的输出幅值和频率要求越来高，传统的大功率高压高频电源要么通过调节重复频率来调节输出，即所谓的PFM方式，要么通过调节占空比来调节输出，即所谓的PWM方式，已不能完全满足市场需求。
技术实现要素：
针对上述问题，本实用新型的主要目的是提供一种结构简单、设计合理、操作方便的大功率高压高频电源，可灵活调节输出的频率和幅值，既可交替工作也可同时工作，且降低了元器件的工作电压。
本实用新型是通过下述技术方案来解决上述技术问题的：一种大功率高压高频电源，包括顺序连接的低压整流电路、滤波电容、逆变电路、谐振电容、高频高压变压器、高频高压整流电路，还包括与所述逆变电路连接的IGBT控制驱动电路，所述低压整流电路、滤波电容、逆变电路、谐振电容及高频高压变压器的低压线圈均由三组相应单元串联组成。
优选地，所述低压整流电路包括三个单相全桥整流电路，所述的三个单相全桥整流电路的输入分别取自三相电源中的AB、BC、AC。
优选地，所述滤波电容由三组电容串联组成，每组由4-8个电容并联组成。
优选地，所述逆变电路包括三个单相全桥逆变电路，每个单相全桥逆变电路由4个IGBT模块组成，每个IGBT模块包括一个IGBT和一个与之反并联的二极管。
优选地，所述谐振电容由三组电容组成，每组由4-10个电容并联组成。
优选地，所述高频高压变压器的低压线圈由三个线圈串联组成，变压器的变比为60-200，优选为80。
优选地，所述高频高压整流电路由全桥整流电路组成；所述IGBT驱动控制电路控制所述单相全桥逆变电路中IGBT模块的开通和关断。
本实用新型的积极进步效果在于：本实用新型结构简单、设计合理，可灵活调节输出的频率和幅值，既可交替工作也可同时工作，且降低了元器件的工作电压。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
图中：1、低压整流电路；2、滤波电容；3、逆变电路；4、谐振电容；5、高频高压变压器；6、高频高压整流电路；7、IGBT控制驱动电路。
具体实施方式
下面结合附图给出本实用新型较佳实施例，以详细说明本实用新型的技术方案。
如图1所示，一种大功率高压高频电源，包括顺序连接的低压整流电路1、滤波电容2、逆变电路3、谐振电容4、高频高压变压器5、高频高压整流电路6，还包括与所述逆变电路3连接的IGBT控制驱动电路7，所述低压整流电路1、滤波电容2、逆变电路3、谐振电容4及高频高压变压器5的低压线圈均由三组相应单元串联组成。所述低压整流电路1包括三个单相全桥整流电路，所述的三个单相全桥整流电路的输入分别取自三相电源中的AB、BC、AC。所述滤波电容2由三组电容串联组成，每组由4-8个电容并联组成。所述逆变电路3包括三个单相全桥逆变电路，每个单相全桥逆变电路由4个IGBT模块组成，每个IGBT模块包括一个IGBT和一个与之反并联的二极管。所述谐振电容4由三组电容组成，每组由4-10个电容并联组成。所述高频高压变压器5的低压线圈由三个线圈串联组成，变压器的变比为60-200，优选为80。所述高频高压整流电路6由全桥整流电路组成；所述IGBT驱动控制电路7控制所述单相全桥逆变电路中IGBT的开通和关断。
工作时，通过控制所述逆变电路3的三个单相全桥逆变电路中的IGBT模块开通和关断来调节输出的幅值和频率，工作方式1如下：所述逆变电路3中的上半周开关模块由G1、G4、G5、G8、G9、G12组成，同时开通和关断，下半周开关模块由G2、G3、G6、G7、G10、G11组成，同时开通和关断，上半周开关模块与下半周开关模块互补开通，可实现所述逆变电路3的三个单相全桥逆变电路幅值的叠加。
工作方式2如下：所述逆变电路3的三组单相全桥逆变电路交替工作，其中一组单相全桥逆变电路工作时，其余两组单相全桥逆变电路不工作，可实现所述逆变电路的三个单相全桥逆变电路频率的叠加。
以上对本实用新型的具体实施方式进行了描述，但本实用新型并不限于以上描述。对于本领域的技术人员而言，任何对本技术方案的同等修改和替代都是在本实用新型的范围之中。因此，在不脱离本实用新型的精神和范围下所作的均等变换和修改，都应涵盖在本实用新型的范围内。