本实用新型涉及电子设备供电系统领域，具体涉及一种结合EMI滤波的电路及其控制方法。
背景技术：
供电系统是各种电子设备中不可缺少的组成部分，随着军用装备的发展和系统集成度的提高，电子设备的工作环境越来越复杂，其中系统内部的EMI噪声和开机浪涌电流带来的影响尤为突出，关系到整机工作性能和使用寿命。通常的解决方法是在设备的输入端增加EMI电源滤波器，这样可以有效滤除EMI噪声，但无法消除开机浪涌电流形成的冲击。
技术实现要素：
本实用新型要解决的技术问题是通过EMI滤波电路与软启动电路相结合，设计出适合高可靠应用场合的电子设备供电部分的入口电路，该电路拓扑结构结构简单，工作稳定可靠，应用效果好，提升了设备的整体可靠性。
本实用新型的技术方案为：
一种结合EMI滤波和软启动的电路，包括EMI滤波电路，滤波电路包括共模滤波电感L1，还包括至少一个软启动电路，所述软启动电路包括MOSFET管V1，MOSFET管V1的漏极和EMI滤波电路中共模滤波电感L1的输入负端相连接；所述软启动电路包括分压电路，分压电路一端与外部输入正端以及所述共模滤波电感L1输入正端连接，另一端与外部输入地相连；所述软启动电路包括启动电容，启动电容两端分别与MOSFET管V1的栅极、源极相连；同时MOSFET管V1的栅极、源极分别与分压电路的两端相连，其中源极接外部输入地相连。
一种结合EMI滤波和软启动的电路，所述分压电路由第一分压电阻R1和第二分压电阻R2串联构成，其中第一分压电阻R1与外部输入正端以及共模滤波电感L1的输入正端相连，第二分压电阻R2与外部输入地相连；同时MOSFET管V1的栅极、源极分别与第二分压电阻R2的两端相连。
一种结合EMI滤波和软启动的电路，所述软启动电路由第一软启动电容C1和第二软启动电容C2串联构成，第一软启动电容C1和第二软启动电容C2串联后两端分别与MOSFET管V1的栅极、源极相连；
一种结合EMI滤波和软启动的电路，所述EMI滤波电路包括共模滤波电感L1、第一共模滤波电容C4、第二共模滤波电容C5、差模滤波电感L2、差模滤波电容C3； 所述共模滤波电感L1的输入正、负端分别与外部输入正端和软启动电路中MOSFET管V1的漏极相连，共模滤波电感L1的输出正、负端分别与差模滤波电感L2一端、输出地相连；差模滤波电感L2绕组的两端分别与共模滤波电感L1和输出正端相连；差模滤波电容C3的两端分别与输出正端、输出地相连；第一共模滤波电容C4的一端接输出正端，一端接外壳，第二共模滤波电容C5的一端接输出地，一端接外壳。
本实用新型在软启动电路中，第一分压电阻R1与外部输入正端以及共模滤波电感L1的输入正端相连，第二分压电阻R2与外部输入地相连。当由第一分压电阻R1和第二分压电阻R2构成的分压电路的两端与输入电压相接时，在R1与R2的接点处形成的分压与MOSFET管V1的栅极相连，作为MOSFET管V1的开启电压；由第一软启动电容C1和第二软启动电容C2串联后形成相互冗余并且两端分别与MOSFET管V1的栅极、源极相连作为软启动电容，其中源极接外部输入地相连，利用电容的充电效应使MOSFET管V1的栅极电压缓慢上升，导致MOSFET管V1由截止状态缓慢导通，从而起到抑制开机浪涌电流的作用，软启动过程完成后，电阻R3端头的电压达到稳态，MOSFET管V1处于完全导通状态。MOSFET管V1的漏极和EMI滤波电路中共模滤波电感L1的输入负端相连接，当MOSFET管V1导通后，则前后级电路形成通路。
EMI滤波电路中共模滤波电感L1的输入正、负端分别与外部输入正端和软启动电路中MOSFET管V1的漏极相连，第一共模滤波电容C4的一端接输出正端，一端接外壳，第二共模滤波电容C5的一端接输出地，一端接外壳，与共模滤波电感L1的两个绕组分别形成两个LC低通滤波器，对主要在电源线与壳上传导的共模EMI噪声进行滤除；而差模滤波电感L2与跨接在电源线上的差模滤波电容C3形成LC低通滤波器，对主要在电源线上传导的差模EMI噪声进行滤除。
综上所述，本实用新型有益效果：
（1）本实用新型一种结合EMI滤波和软启动的电路，位于设备电路的前端，其优点在于从系统供电源头对通过电源线传导的EMI噪声进行滤除，并有效减小开机浪涌电流，最大程度减小了对前后级电路的冲击，提高了设备供电的性能和可靠性。
（2）本实用新型中的软启动电路采用电阻、电容、MOSFET管V1的组合实现对开机浪涌电流的抑制即软启动功能，这种电路的结构简单，实用性强，可靠性高。
附图说明
附图1是本实用新型具体实施例的电路结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例进一步说明本实用新型。
如附图所示，一种结合EMI滤波和软启动的电路，包括软启动电路和EMI滤波电路；所述软启动电路包括MOSFET管V1、第一分压电阻R1、第二分压电阻R2、第一软启动电容C1、第二软启动电容C2构成。
软启动电路中的MOSFET管V1的漏极和EMI滤波电路中共模滤波电感L1的输入负端相连接；由第一分压电阻R1和第二分压电阻R2构成的分压电路，其中第一分压电阻R1与外部输入正端以及共模滤波电感L1的输入正端相连，第二分压电阻R2与外部输入地相连；第一软启动电容C1和第二软启动电容C2串联后两端分别与MOSFET管V1的栅极、源极相连；同时MOSFET管V1的栅极、源极分别与第二分压电阻R2的两端相连，其中源极接外部输入地相连。软启动电路主要实现对开机浪涌电流的抑制。
所述EMI滤波电路包括共模滤波电感L1、第一共模滤波电容C4、第二共模滤波电容C5、差模滤波电感L2、差模滤波电容C3构成。
共模滤波电感L1的输入正、负端分别与外部输入正端和软启动电路中MOSFET管V1的漏极相连，共模滤波电感L1的输出正、负端分别与差模滤波电感L2一端、输出地相连；差模滤波电感L2绕组的两端分别与共模滤波电感L1和输出正端相连；差模滤波电容C3的两端分别与输出正端、输出地相连；第一共模滤波电容C4的一端接输出正端，一端接外壳，第二共模滤波电容C5的一端接输出地，一端接外壳。EMI滤波电路主要实现对EMI噪声干扰的滤除。
结合EMI滤波和软启动电路的控制方法，包括以下步骤：
（1）当启动输入时，由第一分压电阻R1、第二分压电阻R2组成的分压电路将分电压送至MOSFET管V1的栅极，与第二分压电阻R2并联的第一软启动电容C1、第二软启动电容C2由于充电效应使得第二分压电阻R2上端的分电压即MOSFET管V1栅极电压缓慢上升，MOSFET管V1也由截止状态缓慢导通；
（2）当软启动电容充电结束后，第二分压电阻R2上端的分电压达到稳态，软启动过程完成，MOSFET管V1已处于完全导通状态，前后级电路形成通路，开机浪涌电流在软启动过程中得到抑制；
（3）当电路工作于稳定状态时，由共模滤波电感L1和共模滤波电容组成的LC低通滤波器对在电源线和壳之间传导的共模噪声进行滤除；
（4）当电路工作于稳定状态时，由差模滤波电感L2和差模滤波电容C3组成的LC低通滤波器对在电源线之间传导的差模噪声进行滤除。
在软启动电路中，第一分压电阻R1与外部输入正端以及共模滤波电感L1的输入正端相连，第二分压电阻R2与外部输入地相连。当由第一分压电阻R1和第二分压电阻R2构成的分压电路的两端与输入电压相接时，在R1与R2的接点处形成的分压与MOSFET管V1的栅极相连，作为MOSFET管V1的开启电压；由第一软启动电容C1和第二软启动电容C2串联后形成相互冗余并且两端分别与MOSFET管V1的栅极、源极相连作为软启动电容，其中源极接外部输入地相连，利用电容的充电效应使MOSFET管V1的栅极电压缓慢上升，导致MOSFET管V1由截止状态缓慢导通，从而起到抑制开机浪涌电流的作用，软启动过程完成后，电阻R3端头的电压达到稳态，MOSFET管V1处于完全导通状态。MOSFET管V1的漏极和EMI滤波电路中共模滤波电感L1的输入负端相连接，当MOSFET管V1导通后，则前后级电路形成通路。
EMI滤波电路中共模滤波电感L1的输入正、负端分别与外部输入正端和软启动电路中MOSFET管V1的漏极相连，第一共模滤波电容C4的一端接输出正端，一端接外壳，第二共模滤波电容C5的一端接输出地，一端接外壳，与共模滤波电感L1的两个绕组分别形成两个LC低通滤波器，对主要在电源线与壳上传导的共模EMI噪声进行滤除；而差模滤波电感L2与跨接在电源线上的差模滤波电容C3形成LC低通滤波器，对主要在电源线上传导的差模EMI噪声进行滤除。
以上所述的实施例仅仅是对本实用新型的优选实施方式进行描述，并非对本实用新型的范围进行限定，在不脱离本实用新型设计精神的前提下，本领域普通技术人员对本实用新型的技术方案作出的各种变形和改进，均应落入本实用新型权利要求书确定的保护范围内。