本实用新型属于开关电源领域，具体涉及开关电源过压保护电路。
背景技术：
在测试以及现场使用中会存在着将57.7V的终端误加上220V的电源，导致整个开关电源的高压整流电容爆炸，使得终端损坏不能工作。
技术实现要素：
针对现有技术中的不足，本实用新型提供开关电源过压保护电路，来解决在测试以及现场使用中会存在着将57.7V的终端误加上220V的电源，导致整个开关电源的高压整流电容爆炸，使得终端损坏不能工作的问题。
本实用新型通过以下技术方案实现。
开关电源过压保护电路，包括串联型MOS管稳压电路和RCD吸收电路，还增设有高压使能电路，所述的高压使能电路包括第二二极管和第五电阻，所述的第二二极管连接串联型MOS管稳压电路，第五电阻一端连接由RCD吸收电路产生的开关电源变压器的漏感电压以及二次侧耦合到一次侧的电压。假设由于某种原因引起输入电压升高时，即MOS管的电压漏级升高，由于MOS管栅级保持不变，而MOS管的电压输出小于MOS管栅极故而使得在输入电压升高时，保持源极不变从而达到过压保护的目的。
作为优选，所述的第二二极管的负极连接串联型MOS管稳压电路，第二二极管的正极连接第五电阻的一端，第五电阻的另一端连接由RCD吸收电路产生的开关电源变压器的漏感电压以及二次侧耦合到一次侧的电压。
作为优选，所述的串联型MOS管稳压电路包括第一MOS管、第一压敏电阻、第一电阻、第一电容、第一二极管、第三电阻、第一瞬变电压抑制二极管、第二瞬变电压抑制二极管。
作为优选，所述的第一电阻的一端连接三相四线整流输入，所述的第一MOS管的1脚连接第一电阻的另一端，所述的第一电容一端连接第一MOS管的3脚，另一端连接第一电阻的另一端，所述的、第一二极管一端连接第一MOS管的3脚，另一端连接第一电阻的另一端，所述的第一压敏电阻一端连接第一MOS管的2脚，另一端连接第一MOS管的3脚，所述的第三电阻一端与第一电阻的另一端相连接，另一端与第一瞬变电压抑制二极管的一端，第一瞬变电压抑制二极管另一端连接第二瞬变电压抑制二极管的一端，第二瞬变电压抑制二极管的另一端连接三相四线整流输入，并且接地。
作为优选，所述的RCD吸收电路包括第二电容、第二电阻、第一电感、二极管、变压器。
作为优选，所述的第二电容的一端连接串联型MOS管稳压电路，另一端连接第二电阻的另一端，第二电阻的一端与第二电容的一端连接，第二电阻的另一端连接第一电感的一端，第一电感的另一端连接二极管的负极，二极管的正极连接变压器的一端，变压器的另一端连接第二电容的一端。
与现有技术相比：电压低于设置电压时，电路不工作，功率损耗几乎为0，电压高于设置电压时，MOS管、TVS管将电压钳位至设置电压，使得后端电压都在设置电压以下。
附图说明
图1为本实用新型的电路连接框图。
具体实施方式
下面结合附图与具体实施方式，对本实用新型做进一步描述。
开关电源过压保护电路，包括串联型MOS管稳压电路1和RCD吸收电路2，还增设有高压使能电路3，所述的高压使能电路3包括第二二极管VD2和第五电阻R5，所述的第二二极管VD2连接串联型MOS管稳压电路1，第五电阻R5一端连接由RCD吸收电路2产生的开关电源变压器的漏感电压以及二次侧耦合到一次侧的电压，所述的第二二极管VD2的负极连接串联型MOS管稳压电路1，第二二极管VD2的正极连接第五电阻R5的一端，第五电阻R5的另一端连接由RCD吸收电路2产生的开关电源变压器的漏感电压以及二次侧耦合到一次侧的电压，所述的串联型MOS管稳压电路1包括第一MOS管V1、第一压敏电阻RV1、第一电阻R1、第一电容C1、第一二极管VD1、第三电阻R3、第一瞬变电压抑制二极管TVS1、第二瞬变电压抑制二极管TVS2，所述的第一电阻R1的一端连接三相四线整流输入，所述的第一MOS管V1的1脚连接第一电阻R1的另一端，所述的第一电容C1一端连接第一MOS管V1的3脚，另一端连接第一电阻R1的另一端，所述的、第一二极管VD1一端连接第一MOS管V1的3脚，另一端连接第一电阻R1的另一端，所述的第一压敏电阻RV1一端连接第一MOS管V1的2脚，另一端连接第一MOS管V1的3脚，所述的第三电阻R3一端与第一电阻R1的另一端相连接，另一端与第一瞬变电压抑制二极管TVS1的一端，第一瞬变电压抑制二极管TVS1另一端连接第二瞬变电压抑制二极管TVS2的一端，第二瞬变电压抑制二极管TVS2的另一端连接三相四线整流输入，并且接地，所述的RCD吸收电路2包括第二电容C2、第二电阻R2、第一电感FR1、二极管D1、变压器Np，所述的第二电容C2的一端连接串联型MOS管稳压电路1，另一端连接第二电阻R2的另一端，第二电阻R2的一端与第二电容C2的一端连接，第二电阻R2的另一端连接第一电感FR1的一端，第一电感FR1的另一端连接二极管D1的负极，二极管D1的正极连接变压器Np的一端，变压器Np的另一端连接第二电容C2的一端。
方框一中的模型是一个串联型MOS管稳压电路1模型用第一瞬变电压抑制二极管TVS1、第二瞬变电压抑制二极管TVS2将MOS管V1的1脚电压稳定在设定电压以下。
由于在额定输入电压条件下，串联型MOS管稳压电路1中的电路也会工作，这就会使得MOS管V1的2脚和3脚之间会存在电势差，此时MOS管V1就会有较大的功耗，为了让此电路在设定电压以下不动作，减小不必要的能量损耗，在MOS管V1的1脚引入开关电源变压器的漏感电压以及二次侧耦合到一次侧的电压。
如RCD吸收电路2和高压使能电路3所示，将开关电源变压器的漏感电压以及二次侧耦合的电压经过第五电阻R5、第二二极管VD2、第一电容C1以及第一瞬变电压抑制二极管TVS1、 第二瞬变电压抑制二极管TVS2钳位至MOS管V1的1脚， 使得在输入电压在设定电压以下时，MOS管的1脚电压均比MOS管V1的3脚的电压高，使得MOS管V1工作在开关状态，此时MOS管V1几乎为0损耗。
本实用新型的保护范围包括但不限于以上实施方式，本实用新型的保护范围以权利要求书为准，任何对本技术做出的本领域的技术人员容易想到的替换、变形、改进均落入本实用新型的保护范围。