一种抗衰减多晶硅片的制作方法

文档序号:15280873发布日期:2018-08-28 23:31阅读:158来源:国知局

本发明属于太阳能技术领域,涉及一种太阳能多晶硅片,特别是一种抗衰减多晶硅片。



背景技术:

多晶硅片,是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时,硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核,如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒,则这些晶粒结合起来,就结晶成多晶硅,多晶硅片多用于电子上和太阳能发电,是作为太阳能产业链的原料,用于铸锭或拉单晶硅棒,在切成硅片,生产成太阳能电池板,就是卫星、空间站上的太阳能帆板,大部分还是用在建太阳能电站了,自地球上生命诞生以来,就主要以太阳提供的热辐射能生存,而自古人类也懂得以阳光晒干物件,并作为制作食物的方法,如制盐和晒咸鱼等,太阳能是人类使用能源的重要组成部分,并不断得到发展,太阳能的利用有光热转换和光电转换两种方式,太阳能发电是一种新兴的可再生能源。

现如今的多晶硅片表面处理不够,及多晶硅片在安装和使用时的不规范,导致多晶硅片在使用后易衰减,所以,如何设计一种抗衰减多晶硅片,成为我们当前要解决的问题。



技术实现要素:

本发明的目的是针对现有的技术存在上述问题,提出了一种抗衰减多晶硅片,它所要解决的技术问题是如何保证太阳能多晶硅片的性能。

本发明的目的可通过下列技术方案来实现:一种抗衰减多晶硅片,包括硅片主体,其特征在于,所述硅片主体呈矩形板状结构,且由下往上依次包括钢化玻璃层一、聚氟乙烯复合膜、n型硅片、导通层、p型硅片和钢化玻璃层二,所述聚氟乙烯复合膜通过eva溶胶固连在n型硅片的底面上,所述钢化玻璃层一通过eva溶胶固连在聚氟乙烯复合膜的底面上,所述钢化玻璃层二通过eva溶胶固连在p型硅片的顶面上,所述p型硅片的侧面连接有第一电极,所述n型硅片的侧面连接有第二电极,所述硅片主体的外周边设置有保护边框,所述保护边框的一侧具有接线盒,所述接线盒内设置有第一转接头、第二转接头、第一输出电极和第二输出电极,所述第一电极和第二电极均垂直穿插在保护边框上,且第一电极通过第一转接头和第一输出电极相连通,第二电极通过第二转接头与第二输出电极相连通。

阳光照射在p型硅片表面,在表面形成电子和空穴对,在p-n结电场的作用下,空穴由p型硅片经过导通层流向n型硅片,电子由n型硅片经过导通层流向p型硅片,并通过第一电极和第二电极输出电流;保护边框,即能对硅片主体进行保护,避免受磕碰损坏,同时能够对第一电极和第二电极进行辅助定位,并使第一电极、第二电极与接线盒的连接更加方便,安装时省时省力,避免多晶硅片受损,降低多晶硅片的衰减。

在上述的抗衰减多晶硅片中,所述保护边框为矩形框,包括框杆一、框杆二、框杆三和框杆四,所述框杆二的左端固连在框杆一的上端,所述框杆四的左端固连在框杆二的下端,所述框杆三的上端可拆卸连接在框杆二的右端,且框杆三的下端可拆卸连接在框杆四的右端,所述框杆三具有用于穿插第一电极的第一定位孔和用于穿插第二电极的第二定位孔,所述接线盒可拆卸连接在框杆三上。连接更加方便,同时由于各个框杆的结构及相互之间的连接方式不同,辨识度高,不易混淆。

在上述的抗衰减多晶硅片中,所述框杆三的外侧壁具有向外凸出的弹性插接件,所述接线盒具有用于与弹性插接件相配合的插接孔,所述插接孔的一侧开口位于接线盒与框杆三相抵靠的内壁面上,插接孔的另一侧开口位于接线盒的底面上。接线盒与框杆三的连接均由框杆三上向外凸出的插接件或电极进行校准,安装更加方便。

在上述的抗衰减多晶硅片中,所述第二转接头包括接头主体二,所述接头主体二的前端具有用于插入第二电极的开口,所述第二输出电极连接在接头主体二的后端,且由接线盒的底面穿出,所述接头主体二呈管状,且接头主体二的后端底面具有向下开口的通孔二,具有接头主体二内设置有通过扭簧二连接的转板二,当第二电极插在接头主体二内时,转板二在第二电极作用下,转板二的后端底面抵靠在弹性插接件的顶面上。当第二电极与接线盒相连时,第二电极能够进一步对弹性插接件进行施力,提高结合强度;当要将接线盒取下时,按压弹性插接件时,弹性插接件能够迫使第二电极脱离第二转接头,可以避免第二电极与第二转接头黏连而损坏,拆卸效果好。

在上述的抗衰减多晶硅片中,所述转板二的顶面上设置有压块二,所述第二电极包括杆状的电极主体二和制为球状的球头二,所述球头二的直径大于电极主体二的直径。压迫转板及在转板作用下收缩效果更好。

在上述的抗衰减多晶硅片中,所述第一转接头包括接头主体一,所述接头主体一的前端具有用于插入第一电极的开口,所述第一输出电极连接在接头主体一的后端,且由接线盒的底面穿出,所述接头主体一呈管状,且接头主体一的后端底面具有向下开口的通孔一,具有接头主体一内设置有通过扭簧一连接的转板一,当第一电极插在接头主体一内时,转板一的后端穿出通孔一,所述转板一的顶面上设置有压块一,所述第一电极包括杆状的电极主体一和制为球状的球头一,所述球头一的直径大于电极主体一的直径。第一电极和第一转接头的结构与第二电机及第二转接头相近似,连接稳定性好,且脱出时效果好。

在上述的抗衰减多晶硅片中,所述框杆三顶面具有向外侧延伸的防护板,所述接线盒的顶面抵靠在防护板的底面上。当接线盒与保护边框相连后,接线盒藏匿在框杆三的防护板下,则接线盒与第一电极及第二电极的连接部不会由于两个部件之间的间隙而外露,可以避免露天使用时雨水的不良影响,减少衰减,延长使用寿面。

在上述的抗衰减多晶硅片中,所述硅片主体和保护边框之间设置有海绵垫圈,所述海绵垫圈的内壁面具有用于嵌装硅片主体的定位槽一,所述保护边框的内壁具有定位槽二,所述海绵垫圈的外壁面具有向外凸出且用于嵌设在定位槽二内的环形定位部。硅片主体与海绵垫圈、海绵垫圈与保护边框之间配合紧密,不易松动。

在上述的抗衰减多晶硅片中,所述钢化玻璃层一具有向下凸起且呈矩形的定位块一,所述海绵垫圈下部的内壁面抵靠在定位块一的外周壁上,所述钢化玻璃层二具有向上凸起且呈矩形的定位块二,所述海绵垫圈上部的内壁面抵靠在定位块二的外周壁上。钢化玻璃层一的上部边缘和钢化玻璃层二的下部边缘均嵌设在定位槽一,密封性更好。

在上述的抗衰减多晶硅片中,所述钢化玻璃层一的底面与保护边框的底面相齐平,定位块一和保护边框之间存在间隙且填充有无机硅填料层一,钢化玻璃层二的顶面与保护边框的顶面相齐平,定位块二和保护边框之间存在间歇且填充有无机硅填料层二。无机硅填料层以保证钢化玻璃层与保护边框之间的结合强度和密封性,避免漏水而影响电极。

与现有技术相比,本发明通过设置保护边框,并将接线盒集成在保护边框上,不仅能够避免多晶硅片受损,对输出的电极进行定位和进一步保护,使得电极的连接更加方便,而且还能够避免电极在使用时受到雨水侵蚀漏电,避免衰减,延长使用寿命。

附图说明

图1是本发明的俯视结构图。

图2是本发明的分解结构示意图。

图3是图1中a-a截面图。

图4是图1中b-b截面图。

图5是图3中c处放大图。

图6是图5中e处放大图

图7是图4中d处放大图

图8是图7中f处放大图

图中,1、硅片主体;11、钢化玻璃层一;111、定位块一;12、聚氟乙烯复合膜;13、n型硅片;14、导通层;15、p型硅片;16、钢化玻璃层二;161、定位块二;17、机硅填料层一;18、无机硅填料层二;保护边框;21、框杆一;22、框杆二;23、框杆三;231、第一定位孔;232、第二定位孔;233、第一插接头;234、第二插接头;235、弹性插接件;236、防护板;24、框杆四;25、定位槽二;3、海绵垫圈;31、定位槽一;4、接线盒;41、插接孔;5、第一转接头;51、接头主体一;511、通孔一;52、扭簧一;53、转板一;64、压块;6、第二转接头;61、接头主体二;611、通孔二;62、扭簧二;63、转板二;64、压块二;7、第一输出电极;8、第二输出电极;9、第一电极;91、电极主体一;92、球头一;10、第二电极;101、电极主体二;102、球头二。

具体实施方式

以下是本发明的具体实施例并结合附图,对本发明的技术方案作进一步的描述,但本发明并不限于这些实施例。

参照图1-图4,本实施例为一种抗衰减多晶硅片,包括硅片主体1,硅片主体1呈矩形板状结构,且由下往上依次包括钢化玻璃层一11、聚氟乙烯复合膜12、n型硅片13、导通层14、p型硅片15和钢化玻璃层二16,聚氟乙烯复合膜12通过eva溶胶固连在n型硅片13的底面上,钢化玻璃层一11通过eva溶胶固连在聚氟乙烯复合膜12的底面上,钢化玻璃层二16通过eva溶胶固连在p型硅片15的顶面上,p型硅片15的侧面连接有第一电极9,n型硅片13的侧面连接有第二电极10,硅片主体1的外周边设置有保护边框2,保护边框2的一侧具有接线盒4,具体的,保护边框2为矩形框,包括框杆一21、框杆二22、框杆三23和框杆四24,框杆二22的左端固连在框杆一21的上端,框杆四24的左端固连在框杆二22的下端,框杆三23的上端可拆卸连接在框杆二22的右端,且框杆三23的下端可拆卸连接在框杆四24的右端,具体的,框杆三23的上端左壁面具有用于与框杆二22相插接的第一插接头233,框杆三23的下端左壁面具有用于与框杆四24相插接的第二插接头234,此外框杆三23也可通过紧固件与框杆二22及框杆四24可拆卸连接,紧固件为螺栓或定位销。框杆三23具有用于穿插第一电极9的第一定位孔231和用于穿插第二电极10的第二定位孔232,接线盒4可拆卸连接在框杆三23上,框杆三23顶面具有向外侧延伸的防护板236,当接线盒4连接在保护边框2上后,线盒4的顶面抵靠在防护板236的底面上。接线盒4内设置有第一转接头5、第二转接头6、第一输出电极7和第二输出电极8,第一电极9和第二电极10均垂直穿插在保护边框2上,且第一电极9通过第一转接头5和第一输出电极7相连通,第二电极10通过第二转接头6与第二输出电极8相连通。

结合图5-图8,框杆三23的外侧壁具有向外凸出的弹性插接件235,接线盒4具有用于与弹性插接件235相配合的插接孔41,插接孔41的一侧开口位于接线盒4与框杆三23相抵靠的内壁面上,插接孔41的另一侧开口位于接线盒4的底面上。第二转接头6包括接头主体二61,接头主体二61的前端具有用于插入第二电极10的开口,第二输出电极8连接在接头主体二61的后端,且由接线盒4的底面穿出,接头主体二61呈管状,且接头主体二61的后端底面具有向下开口的通孔二611,具有接头主体二61内设置有通过扭簧二62连接的转板二63,当第二电极10插在接头主体二61内时,转板二63在第二电极10作用下,转板二63的后端底面抵靠在弹性插接件235的顶面上。转板二63的顶面上设置有压块二64,第二电极10包括杆状的电极主体二101和制为球状的球头二102,球头二102的直径大于电极主体二101的直径。第一转接头5包括接头主体一51,接头主体一51的前端具有用于插入第一电极9的开口,第一输出电极7连接在接头主体一51的后端,且由接线盒4的底面穿出,接头主体一51呈管状,且接头主体一51的后端底面具有向下开口的通孔一511,具有接头主体一51内设置有通过扭簧一52连接的转板一53,当第一电极9插在接头主体一51内时,转板一53的后端穿出通孔一511,转板一53的顶面上设置有压块64,第一电极9包括杆状的电极主体一91和制为球状的球头一92,球头一92的直径大于电极主体一91的直径。第一电极9和第二电极10的端部均制为球头结构,能够使得电机的插入和拔出更加顺畅,避免损坏,同时为了保证第一电极9和第二电极10的插入,转板一53和转板二63的前端可向下翻折,从而使得第一转接头5和第二转接头6的插入口扩大,更便于插入,此外,扭簧一52的一个簧臂固连在第一转接头5的接头主体一51的内壁上,另一个簧臂固连在转板一53的底面上,扭簧二62的一个簧臂固连在第二转接头6的接头主体二61的内壁上,另一个簧臂固连在转板二63的底面上,能够避免转板一53和转板二63在缺少扭簧作用下而自由转动。

进一步的,硅片主体1和保护边框2之间设置有海绵垫圈3,海绵垫圈3的内壁面具有用于嵌装硅片主体1的定位槽一31,保护边框2的内壁具有定位槽二25,海绵垫圈3的外壁面具有向外凸出且用于嵌设在定位槽二25内的环形定位部。硅片主体1与海绵垫圈3、海绵垫圈3与保护边框2之间配合紧密,不易松动。

进一步的,钢化玻璃层一11具有向下凸起且呈矩形的定位块一111,海绵垫圈3下部的内壁面抵靠在定位块一111的外周壁上,钢化玻璃层二16具有向上凸起且呈矩形的定位块二161,海绵垫圈3上部的内壁面抵靠在定位块二161的外周壁上。钢化玻璃层一11的上部边缘和钢化玻璃层二16的下部边缘均嵌设在定位槽一,密封性更好。

进一步的,钢化玻璃层一11的底面与保护边框2的底面相齐平,定位块一111和保护边框2之间存在间隙且填充有无机硅填料层一17,无机硅填料层一17的顶端与海绵垫圈3底面相抵靠,钢化玻璃层二16的顶面与保护边框2的顶面相齐平,定位块二161和保护边框2之间存在间歇且填充有无机硅填料层二18,无机硅填料层二18的顶端与海绵垫圈3顶面相抵靠。无机硅填料层一17和无机硅填料层二18以保证钢化玻璃层一11与保护边框2之间、钢化玻璃层二16与保护边框2之间的结合强度和密封性,避免漏水而影响电极。

本多晶硅片的接线盒4在安装时,可以将其顶面沿着防护板236的底面滑向框杆三23,校准更加方便;同时当第二电极10插入到接线盒4后,还能对弹性插接件235进行挤压,从而避免弹性插接件235松脱,保证结构的连接稳定性。当需要对接线盒4进行拆卸时,按压弹性插接件235,同时可以对第二电极10进行挤压,从而使得其能够快速脱出第二转接头6,避免损坏,同时也使得第一电极9在脱出更加方便。

本文中所描述的具体实施例仅仅是对本发明精神作举例说明。本发明所属技术领域的技术人员可以对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代,但并不会偏离本发明的精神或者超越所附权利要求书所定义的范围。

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