技术特征：
技术总结
本发明提供了一种抗衰减多晶硅片，属于机械技术领域。它解决了现有多晶硅片性能易衰减的问题。本抗衰减多晶硅片，包括硅片主体，其特征在于，硅片主体呈矩形板状结构，且由下往上依次包括钢化玻璃层一、聚氟乙烯复合膜、N型硅片、导通层、P型硅片和钢化玻璃层二，硅片主体的外周边设置有保护边框，保护边框的一侧具有接线盒，接线盒内设置有第一转接头、第二转接头、第一输出电极和第二输出电极，第一电极和第二电极均垂直穿插在保护边框上。保护边框，即能对硅片主体进行保护，避免受磕碰损坏，同时能够对第一电极和第二电极进行辅助定位，并使接线更加方便，安装时省时省力，避免多晶硅片受损，降低多晶硅片的衰减。
技术研发人员：蒋春桥;张树华;龙文文;李有
受保护的技术使用者：嘉兴能发电子科技有限公司
技术研发日：2018.04.25
技术公布日：2018.08.28