一种激光焊接机电源IGBT斩波放电的吸收保护装置的制作方法

本实用新型涉及电子电路技术领域，具体为一种激光焊接机电源IGBT斩波放电的吸收保护装置。

背景技术：

斩波是电力电子控制中的一项变流技术，其实质是直流控制的脉宽调制，因其波形如同斩切般整齐、对称，故名斩波。斩波在内馈调速控制中占有极为重要的地位，它不仅关系到调速的技术性能，而且直接影响设备的运行安全和可靠性，因此。如何选择斩波电路和斩波器件十分重要。

IGBT是近代新发展起来的全控型功率半导体器件，它是由MOSFET（场效应晶体管）与GTR（大功率达林顿晶体管）结合，并由前者担任驱动，因此具有：驱动功率小，通态压降低，开关速度快等优点，目前已广泛应用于变频调速、开关电源等电力电子领域。

对于充电后通过IGBT直接放电的电路，通常需要在IGBT的C、E两极并联一个C型电容，来吸收电路中由于杂散电感产生的尖峰电压。但对于调流激光电源，由于放电回路中增加了放电电感，并通过IGBT斩波放电来调节电流大小和稳定度。放电回路中因IGBT放大电流而产生尖峰电压就需要由RCD组合成的电路进行吸收，普通的并联电容方式效果不够理想。

技术实现要素：

现有技术难以满足人们的需要，为了解决上述存在的问题，本实用新型提出了一种激光焊接机电源IGBT斩波放电的吸收保护装置。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种激光焊接机电源IGBT斩波放电的吸收保护装置，包括第一吸收保护电路和第二吸收保护电路，所述第一吸收保护电路由电阻R1和二极管D5构成的串联电路、电阻R3和二极管D4构成的串联电路、电阻R5和二极管D3构成的串联电路、电阻R7和二极管D2构成的串联电路、电阻R9和二极管D1构成的串联电路以及电阻R15和电容C1构成的串联电路并联而成，所述第二吸收保护电路由电阻R2和二极管D6构成的串联电路、电阻R4和二极管D7构成的串联电路、电阻R6和二极管D8构成的串联电路、电阻R8和二极管D9构成的串联电路、电阻R10和二极管D10构成的串联电路以及电阻R11，R12，R13和R14构成的并联电路并联而成，且第二吸收保护电路的一端和电容C2电性连接。

优选的，所述第一吸收保护电路和第二吸收保护电路的一端均与三极管Q的集电极电性连接。

优选的，所述电容C2的一端与三极管Q的发射极电性连接。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：该激光焊接机电源IGBT斩波放电的吸收保护装置，它采用电阻、电容和二极管的组合电路来实现对激光焊接机电源IGBT斩波的放电进行吸收保护的设计，当IGBT关断放电电流时，由于放电回路存在的放电电感两端的电流不能突变，此时电感产生一个正向尖峰电压，尖峰电压被第一吸收保护电路和第二吸收保护电路内部的电阻、电容和二极管的组合电路吸收，并且被电阻R11、R12、R13、R14和R15以热能的方式释放出来，实用性强，易于推广使用。

附图说明

图1为本实用新型的电路图；

图中：1-第一吸收保护电路、2-第二吸收保护电路。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1，本实用新型提供的一种实施例：一种激光焊接机电源IGBT斩波放电的吸收保护装置，包括第一吸收保护电路1和第二吸收保护电路2，其特征在于：所述第一吸收保护电路1由电阻R1和二极管D5构成的串联电路、电阻R3和二极管D4构成的串联电路、电阻R5和二极管D3构成的串联电路、电阻R7和二极管D2构成的串联电路、电阻R9和二极管D1构成的串联电路以及电阻R15和电容C1构成的串联电路并联而成，所述第二吸收保护电路2由电阻R2和二极管D6构成的串联电路、电阻R4和二极管D7构成的串联电路、电阻R6和二极管D8构成的串联电路、电阻R8和二极管D9构成的串联电路、电阻R10和二极管D10构成的串联电路以及电阻R11，R12，R13和R14构成的并联电路并联而成，且第二吸收保护电路2的一端和电容C2电性连接，所述第一吸收保护电路1和第二吸收保护电路2的一端均与三极管Q的集电极电性连接，所述电容C2的一端与三极管Q的发射极电性连接。

本实用新型激光焊接机电源IGBT斩波放电的吸收保护装置在使用时，在IGBT关断放电电流时，放电回路内的放电电感会产生尖峰电压，尖峰电压一部分通过第一吸收保护电路1中的电阻R1、R3、R5、R7、R9，并经二极管D1、D2、D3、D4、D5给直流DC+充电，经电阻R15给电容C1吸收充电，C1两端的电压再通过电阻R15和二极管D1、D2、D3、D4、D5，IGBT泄放能量经R14吸收以热能释放；另一部分尖峰电压通过第二吸收保护电路2中的电阻R2、R4、R6、R8、R10，流经二极管D6、D7、D8、D9、D10和电容C2，并给电容C2充电，当IGBT再次打开时电容C2两端的电压和IGBT泄放能量由R11、R12、R13、R14吸收以热能释放；另外，本电路随着IGBT放电电流范围的增加，可通过增加吸收二极管、电阻的值来增大吸收电路的适应范围。

对于本领域技术人员而言，显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。