本实用新型涉及逆变器电路领域，尤其是智能逆变器电路。
背景技术：
现有的逆变器有欠压保护，过压保护，过流保护，过温保护等，但是一般逆变器保护的时候，由于保护信号给出以后要维持在一定状态，所以这个系统必须持续供电。从而造成电池能源消耗较大。
技术实现要素：
本实用新型要解决的技术问题是：为了解决现有的逆变器必须持续供电的不足，本实用新型提供了一种智能逆变器电路，在出现保护时如果用户没有重启开关或者保护支持一段时间，单片机会把IO1和IO2都置为0电平状态，Q2 的基极为0电平，MOS管Q1的栅极通过R2和R1被拉到VIN+，MOS管又恢复到截止状态，VSYS和VIN+隔离，系统达到断电关机的目的，从而减小电池的耗电，节省电池能量。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：
一种智能逆变器电路，包括逆变器输入电源VIN+、开关S1、电阻R3、电阻 R5、二极管D1、电源、单片机IO1口、单片机IO2口、二极管组D2、电阻R4、电阻R6、电阻R1、电阻R2、MOS管Q1、三极管Q2和系统电源VSYS，所述逆变器输入电源VIN+一端分别与开关S1一端、电阻R1一端、MOS管Q1的源极连接，逆变器输入电源VIN+另一端分别与电阻R5的一端、三极管Q2的发射极连接并接地，开关S1的另一端与电阻R3的一端连接，电阻R3的另一端与单片机IO1 口连接，单片机IO1口分别与电阻R5的另一端、电阻R4的一端、二极管D1的正极连接，二极管D1的负极与电源连接，二极管组D2是由两个二极管的负极互相串联的二极管组，电阻R4的另一端与二极管组D2的其中一个二极管的正极连接，电阻R6一端与二极管组D2的另一个二极管的正极连接，电阻R6另一端与单片机IO2口连接，二极管组D2的负极与三极管Q2的基极连接，三极管 Q2的集电极分别与电阻R1的另一端、电阻R2的一端连接，电阻R2的另一端与 MOS管Q1的栅极连接，MOS管Q1的漏极与系统电源VSYS连接。
具体地，所述MOS管Q1为P沟道MOS管。
具体地，所述三极管Q2为NPN型晶体管。
具体地，所述电源为5V。
具体地，所述电阻R1的电阻值为100K，电阻R2的电阻值为10R，电阻R3 的电阻值为22K，电阻R4的电阻值为20K，电阻R5的电阻值为10K，电阻R6的电阻值为4.7K。
本实用新型的有益效果是：本实用新型提供了一种智能逆变器电路，在出现保护时如果用户没有重启开关或者保护支持一段时间，单片机会把IO1和IO2 都置为0电平状态，Q2的基极为0电平，MOS管Q1的栅极通过R2和R1被拉到 VIN+，MOS管又恢复到截止状态，VSYS和VIN+隔离，系统达到断电关机的目的，从而减小电池的耗电，节省电池能量。
附图说明
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
图1是本实用新型的结构示意图；
具体实施方式
现在结合附图对本实用新型作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本实用新型的基本结构，因此其仅显示与本实用新型有关的构成。
图1是本实用新型的结构示意图。
一种智能逆变器电路，包括逆变器输入电源VIN+、开关S1、电阻R3、电阻 R5、二极管D1、电源、单片机IO1口、单片机IO2口、二极管组D2、电阻R4、电阻R6、电阻R1、电阻R2、MOS管Q1、三极管Q2和系统电源VSYS，所述逆变器输入电源VIN+一端分别与开关S1一端、电阻R1一端、MOS管Q1的源极连接，逆变器输入电源VIN+另一端分别与电阻R5的一端、三极管Q2的发射极连接并接地，开关S1的另一端与电阻R3的一端连接，电阻R3的另一端与单片机IO1 口连接，单片机IO1口分别与电阻R5的另一端、电阻R4的一端、二极管D1的正极连接，二极管D1的负极与电源连接，二极管组D2是由两个二极管的负极互相串联的二极管组，电阻R4的另一端与二极管组D2的其中一个二极管的正极连接，电阻R6一端与二极管组D2的另一个二极管的正极连接，电阻R6另一端与单片机IO2口连接，二极管组D2的负极与三极管Q2的基极连接，三极管 Q2的集电极分别与电阻R1的另一端、电阻R2的一端连接，电阻R2的另一端与 MOS管Q1的栅极连接，MOS管Q1的漏极与系统电源VSYS连接。所述MOS管Q1 为P沟道MOS管。所述三极管Q2为NPN型晶体管。所述电源为5V。所述电阻 R1的电阻值为100K，电阻R2的电阻值为10R，电阻R3的电阻值为22K，电阻 R4的电阻值为20K，电阻R5的电阻值为10K，电阻R6的电阻值为4.7K。
如附图1所示，单片机IO1口和单片机IO2口是单片机的两个普通IO口，其中单片机IO1口设置为高阻输入模式，单片机IO2口设置为推挽输出模式。 VIN+为逆变器输入电源VIN+，范围为10V-15V直流。
系统未工作之前，三极管Q2三极管处于截止状态，集电极和发射极不导通， MOS管Q1管栅极通过电阻R2和电阻R1被拉到与输入电压相同，MOS管Q1截止，系统电源VSYS与逆变器输入电源VIN+之间隔离(或者断开)。
开机过程为：当轻触按键开关S1按下，由于电阻R5和电阻R3的分压，单片机IO1口处的电压为3.125V-4.687V之间。单片机IO1口处电压通过共阴极的二极管组D2施加到NPN型三极管Q2的基极，三极管Q2的集电极和发射极导通，MOS管Q1的栅极通过电阻R2以及三极管Q2的集电极和发射极接地，MOS 管Q1的源极和漏极导通，系统电源VSYS与逆变器输入电源VIN+便导通。系统电源VSYS使整个系统都供电，单片机开始正常工作，并且一旦开始工作，通过单片机IO2口输出5V的高电平，单片机IO2口处的电平便通过二极管D2也施加到三极管Q2的基极，这样当用户将开关S1按键松掉之后，系统仍然能继续工作。
关机过程为：当轻触按键开关S1按下，单片机通过单片机IO1口的电平变化识别到用户按键，将单片机IO2口的电平设置为低电平，这样当用户松开按键开关S1时，单片机IO1口和单片机IO2口都为0电平状态，三极管Q2的基极为0电平，MOS管Q1的栅极通过电阻R2和电阻R1被拉到逆变器输入电源VIN+， MOS管Q1又恢复到截止状态，系统电源VSYS和逆变器输入电源VIN+隔离，系统达到断电关机的目的。
以上述依据本实用新型的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项实用新型技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项实用新型的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。