三相电源的变频控制器及空调器的制作方法

文档序号:16285914发布日期:2018-12-14 23:15阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种三相电源的变频控制器,其特征在于,包括:三相整流器、尖峰电压吸收电路、电容和三相逆变电路,其中,

三相整流器的输入端与三相电源连接,三相整流器的输出端与三相逆变电路的输入端通过直流母线连接;

尖峰电压吸收电路的一端连接直流母线的正极,另一端连接直流母线的负极;

电容的一端连接直流母线的正极,另一端连接直流母线的负极。

2.根据权利要求1所述的变频控制器,其特征在于,所述电容为薄膜电容。

3.根据权利要求1或2所述的变频控制器,其特征在于,所述尖峰电压吸收电路包括第一可控电子开关和电阻,其中,第一可控电子开关和电阻串联。

4.根据权利要求3所述的变频控制器,其特征在于,所述尖峰电压吸收电路还包括一二极管,与所述电阻并联。

5.根据权利要求1所述的变频控制器,其特征在于,还包括控制电路,与尖峰电压吸收电路、三相逆变电路连接。

6.根据权利要求1所述的变频控制器,其特征在于,所述三相整流器包括6个二极管,其中,6个二极管为独立组合形式或者整体集成的整流器模块形式。

7.根据权利要求3所述的变频控制器,其特征在于,所述三相逆变电路包括6个第二可控电子开关或者集成的逆变模块。

8.根据权利要求7所述的变频控制器,其特征在于,所述三相逆变电路中的每个第二可控电子开关并联一二极管。

9.根据权利要求7所述的变频控制器,其特征在于,第一、第二可控电子开关为绝缘栅双极型晶体管IGBT或金属-氧化物半导体场效应晶体管MOSFET。

10.一种空调器,其特征在于,包括权利要求1-9任一项所述的变频控制器。

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