1.一种单线圈驱动电路的限流保护结构，其特征在于，所述单线圈驱动电路的限流保护结构包括放大器、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、采样电阻和负载电阻，所述放大器的输出端连接所述第一MOS管的栅极，所述第一MOS管的漏极和所述第三MOS管的漏极同时连接直流电源，所述第一MOS管的源极连接所述采样电阻的一端，所述采样电阻的另一端、所述第四MOS管的源极、所述第五MOS管的源极和所述第六MOS管的漏极同时接地，所述第二MOS管的源极同时连接所述第四MOS管的漏极和所述负载电阻的一端，所述负载电阻的另一端同时连接所述第三MOS管的源极和所述第五MOS管的漏极，所述第五MOS管的栅极连接所述第六MOS管的漏极。