技术总结
本实用新型公开了一种单线圈驱动电路的限流保护结构，包括放大器、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、采样电阻和负载电阻，所述放大器的输出端连接所述第一MOS管的栅极，所述第一MOS管的漏极和所述第三MOS管的漏极同时连接直流电源。本实用新型有效抑制大电流，有效地实现了限流保护，不但不会由于采样电阻的增加而增加饱和压降，也不会由于采样电流的误差导致保护电路误动作，而且可以通过采样电阻保证准确采样电流，有效调节进入限流保护的阈值。
技术研发人员：郭洋
受保护的技术使用者：鑫雁电子科技（上海）有限公司
技术研发日：2018.08.27
技术公布日：2019.05.07