动态SVG模块与储能电容混合型三相不平衡治理系统的制作方法

文档序号:17449484发布日期:2019-04-20 02:29阅读:529来源:国知局
动态SVG模块与储能电容混合型三相不平衡治理系统的制作方法

本实用新型涉及供电系统控制技术领域,尤其涉及一种动态SVG模块与储能电容混合型三相不平衡治理系统。



背景技术:

三相不平衡时电力系统运行中出现频率较高的一种问题,三相不平衡的存在增加了线路的电能损耗,减少了配电变压器的出力,影响用电设备的安全运行,针对这些问题,随着低压配电网的三相不平衡治理工作的不断开展,目前,三相不平衡的治理已经引起电力部门越来越多的关注和重视,也涌现出了诸多供电台区三相不平衡治理的解决方案,目前主要的解决方案有换相开关式和SVG式。换相开关式优点是可以从负载侧解决台变三相不平衡问题,损耗较小,但安装工作量相对较大,且因为其分布式安装的特点会给供电台区增加额外的故障点;SVG式其补偿精度较高,可以实现精细调节,易于安装,但其损耗较高,且因其安装位置位于台变出口侧,能完美解决台变输出端的三相不平衡问题,但是不能实现负载侧的平衡,对改善线损的效果有限。



技术实现要素:

本实用新型所要解决的技术问题是:提供一种安装方便且补偿精度高的动态SVG模块与储能电容混合型三相不平衡治理系统。

为解决上述技术问题,本实用新型的技术方案是:动态SVG模块与储能电容混合型三相不平衡治理系统,包括动态SVG模块及补偿电容,所述补偿电容并联在与台变输出端连接的三相母线上,所述补偿电容是三相分补式电容,用于对母线系统感性无功进行补偿,所述动态SVG模块包括检测模块、IGBT驱动模块、控制模块、储能电容和逆变模块;所述逆变模块并联在所述三相母线上,用于在控制模块的控制下,将不平衡电流转换成供母线系统吸收的交变补偿电流;所述储能电容与所述逆变模块并联,用于储存供所述逆变模块转换的能量;所述控制模块用于分析检测模块采集的电压、电流数据,并生成控制指令,综合控制逆变模块及补偿电容协同工作,进行三相不平衡治理。

作为一种改进,所述检测模块包含三路电压互感器和三路电流互感器,用于采集母线系统三相电压、电流数据。

作为一种改进,所述控制模块包括ARM系列MCU,所述检测模块和IGBT驱动模块均与所述控制模块电连接。

作为一种改进,所述储能电容的数量是多个,所述多个储能电容串联。

由于采用了上述技术方案,本实用新型的有益效果是:本实用新型将常规SVG模块与储能电容组合配置,在母线系统出现三相不平衡的情况下优先控制补偿电容对当前母线系统三相感性无功进行补偿,当补偿电容控制动作结束后,控制模块控制逆变模块将储能电容储存的能量通过逆变回路发出补偿电流并注入母线系统低负载相上,实现三相不平衡的精细调节。

附图说明

下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。

图1是本实用新型实施例的主电路原理图;

图2是本实用新型实施例中SVG模块的原理框图。

具体实施方式

如图1和图2共同所示,动态SVG模块与储能电容混合型三相不平衡治理系统,包括动态SVG模块及补偿电容,补偿电容并联在与台变输出端连接的三相母线上,补偿电容是三相分补式电容,用于对母线系统感性无功进行补偿,动态SVG模块包括检测模块、IGBT驱动模块、控制模块、储能电容和逆变模块。

逆变模块并联在三相母线上,用于在控制模块的控制下,将不平衡电流转换成供母线系统吸收的交变补偿电流。

储能电容与逆变模块并联,用于储存供逆变模块转换的能量。优选的,储能电容的数量是多个,多个储能电容串联。

控制模块用于分析检测模块采集的电压、电流数据,并生成控制指令,综合控制逆变模块及补偿电容协同工作,进行三相不平衡治理,优选的,控制模块包括ARM系列MCU,检测模块和IGBT驱动模块均与控制模块电连接。

检测模块包含三路电压互感器和三路电流互感器,用于采集母线系统三相电压、电流数据。

工作实例:

如图1所示,母线系统A、B、C三相负载电流分别为:5A、10A、15A,母线系统的三相电流出现了不平衡,三相电流处于平衡状态时A、B、C三相电流应全部为10A。当检测模块检测到三相不平衡状况时,控制模块控制IGBT驱动模块驱动C相的IGBT动作,将C相的交流电整流为直流电之后储存在储能电容中,然后控制模块控制A相的IGBT动作,将储能电容(A、B、C三相公用同一组储能电容)上的直流电进行逆变,然后释放到母线系统A相上,使A、B、C三相电流全部为10A,其原理就是将某相多出来的电流存储到SVG模块的储能电容中,然后从储能电容取出电流补偿至需要补偿的某相。

以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解,本实用新型不受上述实施例的限制,在不脱离本实用新型精神和范围的前提下,本实用新型还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。

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