基于单槽模型的表贴式永磁电机电枢磁场重构方法与流程

技术特征：

技术总结
本发明涉及一种基于单槽模型的表贴式永磁电机电枢磁场重构方法，包括下列步骤：第一步.建立永磁电机单槽模型；第二步.单层绕组磁场重构；第三步.双层绕组磁场重构。本发明将永磁电机总的电枢反应磁场表示为单槽通电时的气隙磁场，对单个槽磁场进行子域法求解，降低矩阵的维数，降低永磁电机磁场分析的复杂性并能够重构出与有限元计算相吻合的电枢反应磁场。

技术研发人员：李斌;靳新悦;李桂丹
受保护的技术使用者：天津大学
技术研发日：2019.01.28
技术公布日：2019.05.17